NAND Flash 2020年新戰場暗潮洶涌　各家布局蓄勢待發

受到東芝工廠停產及日韓貿易戰導致存儲器價格將反轉契機出現，NAND Flash價格調漲從7月開始顯現，而國際大廠之間的技術競爭更是暗潮洶涌。

各家NAND大廠爭取資料中心龐大的儲存商機，2020年將進入新一波技術對決。

業界認為，隨著各家大廠96層3D NAND邁入量產，2019年下半將開始進入新一代制程競爭，三星電子(Samsung Electronics)不僅將量產的第六代3D V NAND(即120/128層)，旗下的Z-NAND將與東芝存儲器研發的XL-Flash形成對決，并與英特爾、美光的3D XPoint搶攻資料中心的儲存市場大餅。

2019年快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)即將于8月在美國登場，各家大廠將紛紛亮出戰略性武器展示火力，而即將于2019 年10 月1 日正式改名為Kioxia的東芝存儲器展開上市規劃。據透露，XL-Flash將成為東芝存儲器此次力拱的發表重點，由于具有低延遲的特性，將鎖定于資料中心及特殊商用市場。

三星日前于首爾投資人論壇上公布2019年下半~2022年依序量產第六~第八代3D V NAND目標，提前宣告128層NAND Flash前哨戰開打，更讓業界關注的是，三星Z-NAND技術從2018年開始應用于高階企業產品上，2019年更積極推動Z-NAND SSD開始大量應用到資料中心。

業界指出，2020年起NAND Flash技術競爭將分為兩大趨勢，包括從96層技術加快推動至128層NAND，以達成更具競爭力的生產生本，另一方面，各家大廠積極搶攻資料中心及高階商用產品的動作更為積極，將主打特殊制程的儲存級存儲器，形成技術對決的新戰局。

英特爾將3D XPoint/Optane存儲器生產作為搶攻資料中心及服務器市場的重要布局環節，不同于其它NAND業者為了維持產品市占而提高產能，英特爾的3D XPoint作為典型的相變化存儲器，其結構是一種交叉點架構，3D XPoint以兩層堆疊架構打造，密度為128GB(gigabit)，是介于DRAM和NAND之間的儲存存儲器，比NAND快速和耐久。

英特爾2018年起開始推出3D XPoint/Optane，以及高容量3D NAND存儲器產品上市，作為提高客戶端和服務器平臺產品市場競爭力，以及形成市場差異化的要素。

英特爾與美光在新一代3D Xpoint產品開發達成分家協議，但美光仍看好，資料中心將受到異質運算比重增加，帶動存儲器需求也可望增加6倍，內部規劃將推出更高容量的3D XPoint存儲器目前正與客戶進行測試中，主要應用市場將鎖定于資料中心，近期也可望對外發布新進展。

業界分析，由于XL-Flash及Z-NAND都歸類于低延遲快閃存儲器(Low Latency NAND)，作為DRAM 與 SSD 之間的緩存存儲器(cache memory)，并主打低延遲、高性能和長壽命，其涵蓋的應用面雖然不如3D Xpoint 廣泛，但應用至資料中心等特殊領域上，將能發揮更高的成本競爭優勢。

供應鏈認為，盡管2019年下半資料中心的存儲器庫存水位開始降低，但回升速度并不如預期強勁，主要仍受到短期市場前景不明的影響，但2020年5G技術即將鋪天蓋地展開，資料中心建置與升級需求將重回成長動能，雖然成長復蘇的力道是否如同往年強勁仍有待觀察，但儲存存儲器已成為兵家必爭之地。

挾著資料中心布局優勢的英特爾已推出3D XPoint/Optane、美光也即將新一代3D XPoint、三星Z-NAND以及SK海力士旗下與英特爾相似的3D XPoint(硫族化合物；chalcogenide)以及東芝存儲器開發的XL-Flash等都將重兵部署，2020年將可望在資料中心及高階商用市場再掀起版圖爭奪戰。