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NAND Flash合約價(jià) Q3看漲10%

根據(jù)TrendForce預(yù)估，第三季NAND Flash價(jià)格走勢(shì)，預(yù)估平均合約價(jià)將季增5%至10%，但eMMC、UFS產(chǎn)品，因智慧手機(jī)下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場(chǎng)因OEM/ODM上半年去化庫(kù)存情況優(yōu)于預(yù)期，增強(qiáng)第三季回補(bǔ)動(dòng)能。而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引發(fā)換機(jī)潮，以及DeepSeek一體機(jī)熱潮，皆帶動(dòng)client SSD需求。此外，部分原廠積極推動(dòng)大容量QLC產(chǎn)品，帶動(dòng)出貨規(guī)模。綜合以上因素，預(yù)估第三季client SSD將季增3%至8%。隨NVIDIA B
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美光突破PC性能邊界，推出自適應(yīng)寫入技術(shù)與G9 QLC NAND

SSD?對(duì)于提升?PC?及客戶端設(shè)備的用戶體驗(yàn)和系統(tǒng)性能至關(guān)重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光?2600 NVMe? SSD，專為原始設(shè)備制造商（OEM）設(shè)計(jì)的高性價(jià)比客戶端存儲(chǔ)解決方案。2600 SSD?搭載業(yè)界首款應(yīng)用于SSD的第九代?QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光創(chuàng)新的自適應(yīng)寫入技術(shù)（Adaptive Write Technology?，AWT），在兼顧?QLC?
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DDR4漲勢(shì)Q4觸頂、NAND持平

TrendForce最新釋出的存儲(chǔ)器市場(chǎng)觀察指出，2025年第二季以來(lái)快速上漲的DDR4價(jià)格漲勢(shì)，恐將在第四季觸頂回落; 而NAND市場(chǎng)雖受惠AI需求帶動(dòng)，但因供需未形成緊張態(tài)勢(shì)，價(jià)格預(yù)期多呈持平。TrendForce表示，DDR4近期的強(qiáng)勁漲勢(shì)，主要來(lái)自供應(yīng)商削減產(chǎn)出與市場(chǎng)搶貨潮，但這波動(dòng)能可能難以延續(xù)至年底。根據(jù)通路查核，隨著價(jià)格進(jìn)入高檔區(qū)間，供應(yīng)商正逐步釋出庫(kù)存，預(yù)期第四季整體供應(yīng)將逐步改善。DDR5方面，目前價(jià)格趨勢(shì)穩(wěn)定，2025年第二、三季價(jià)格季增幅度預(yù)估介于3%至8%之間。不過(guò)，部分二線OE
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如何讓QLC技術(shù)成為主流？

縱觀整個(gè)電子行業(yè)，往更高密度的集成電路發(fā)展無(wú)疑是主流趨勢(shì)。相對(duì)于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲(chǔ)還需要考慮到電子的穩(wěn)定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲(chǔ)問(wèn)題，在穩(wěn)定保存的前提下追求更高的存儲(chǔ)密度才能確保新技術(shù)、新產(chǎn)品可持續(xù)發(fā)展，存儲(chǔ)單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Lev
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HBM 開發(fā)路線圖揭曉：2038 年將推出 HBM8，具有 16,384 位接口和嵌入式 NAND

韓國(guó)頂尖國(guó)家級(jí)研究機(jī)構(gòu) KAIST 發(fā)布了一份 371 頁(yè)的論文，詳細(xì)介紹了到 2038 年高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)的演進(jìn)，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發(fā)展，包括封裝、3D 堆疊、以內(nèi)存為中心的架構(gòu)以及嵌入 NAND 存儲(chǔ)，甚至基于機(jī)器學(xué)習(xí)的方法來(lái)控制功耗。請(qǐng)記住，該文件是關(guān)于 HBM 技術(shù)假設(shè)演進(jìn)的，基于當(dāng)前行業(yè)和研究方向，而不是任何商業(yè)公司的實(shí)際路線圖。（圖片來(lái)源：KAIST）每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
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芯片巨頭，「扔掉」這些業(yè)務(wù)

上半年，時(shí)至過(guò)半。回顧這半年的半導(dǎo)體市場(chǎng)，似是相對(duì)平靜，但是仔細(xì)回想也有不少芯片巨頭在該背景下做了諸多調(diào)整。它們接連「動(dòng)刀」，果斷退出部分產(chǎn)品領(lǐng)域。在這個(gè)過(guò)程中會(huì)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成哪些影響？又有哪些公司同步受益？芯片巨頭，放棄這些芯片存儲(chǔ)三巨頭，計(jì)劃停產(chǎn)?DDR3?和DDR4關(guān)于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商計(jì)劃停產(chǎn) DDR3 和 DDR4 內(nèi)存的消息，想必業(yè)內(nèi)人士早有耳聞。今年 2 月，這則消息正式傳來(lái)，這一決策是由于對(duì)?HBM（高帶寬內(nèi)存）和 DDR5 等
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三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來(lái)聚焦TLC和QLC技術(shù)

據(jù)消息人士透露，三星計(jì)劃在下個(gè)月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標(biāo)志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務(wù)。同時(shí)，三星還提高了MLC NAND的價(jià)格，促使部分客戶開始尋找替代供應(yīng)商。LG顯示（LG Display）正是受影響的客戶之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒體卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG顯示正在尋求其他供應(yīng)商，以填補(bǔ)這一空缺。據(jù)悉，LG顯示此前的eMMC產(chǎn)品還使用了ESMT和鎧俠的產(chǎn)品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
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臺(tái)積電CoWoS間接讓BT載板基材喊缺？ NAND主控芯片漲價(jià)蠢動(dòng)

業(yè)界傳出，全球BT載板用基材龍頭的日本三菱瓦斯化學(xué)株式會(huì)社（MGC），近日向客戶發(fā)出BT材料「延遲交付」通知。隨著原料缺貨日益嚴(yán)峻，載板供應(yīng)中長(zhǎng)期將出現(xiàn)短缺。供應(yīng)鏈業(yè)者同步透露，金價(jià)持續(xù)上漲、產(chǎn)品交期延長(zhǎng)，NAND Flash控制芯片等領(lǐng)域，也可望轉(zhuǎn)嫁成本上漲，包括群聯(lián)、慧榮等主控業(yè)者有機(jī)會(huì)受惠。多家BT載板業(yè)者證實(shí)，確實(shí)2025年5月上旬時(shí)，陸續(xù)接獲日本MGC書面通知，部分高階材料訂單交期將進(jìn)一步拉長(zhǎng)，顯示先前傳出ABF載板材料供不應(yīng)求的情形，已進(jìn)一步向BT載板供應(yīng)鏈蔓延。據(jù)三菱發(fā)出的通知內(nèi)容指出，
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閃存，是如何工作的？

NAND閃存將單元串聯(lián)排列以實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)，優(yōu)先考慮寫入/擦除速度而不是直接尋址。
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閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實(shí)現(xiàn) AI

Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應(yīng)用。當(dāng) Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)公司 Western Digital 分拆出來(lái)時(shí)，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時(shí)追求新興顛覆性內(nèi)存技術(shù)的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內(nèi)存技術(shù)高級(jí)副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
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兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點(diǎn)。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢(shì)與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢(shì)的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動(dòng)應(yīng)用場(chǎng)景的理想之選。GD5F1GM9系列
關(guān)鍵字：兆易創(chuàng)新 QSPI NAND

兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，突破性讀取速度，助力應(yīng)用快速啟動(dòng)

近日，兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點(diǎn)。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢(shì)與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢(shì)的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動(dòng)應(yīng)用場(chǎng)景的理想之選。GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash采用24n
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美光、SK海力士跟隨中！三星對(duì)內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶已開始談判新合同

4月7日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對(duì)主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價(jià)格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來(lái)，“需求大幅增長(zhǎng)”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)2025年和2026年價(jià)格都會(huì)上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過(guò)剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動(dòng)。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國(guó)接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動(dòng)化，對(duì)半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計(jì)顯示，
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SK海力士完成對(duì)英特爾NAND業(yè)務(wù)的收購(gòu)

據(jù)韓媒報(bào)道，根據(jù)SK海力士向韓國(guó)金融監(jiān)管機(jī)構(gòu)FSS披露的文件，該企業(yè)已完成了收購(gòu)英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第二階段，交易正式完成。據(jù)了解，第一階段完成于2021年12月30日，SK海力士當(dāng)時(shí)支付了78422億韓元，從英特爾接管SSD業(yè)務(wù)及其位于中國(guó)大連NAND閃存制造廠的資產(chǎn)。而在第二階段中，SK海力士以32783億韓元（約合人民幣163億元）的對(duì)價(jià)取得了包括NAND閃存晶圓的生產(chǎn)及設(shè)計(jì)相關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)、研發(fā)人員以及大連工廠的員工在內(nèi)的其余相關(guān)有形/無(wú)形資產(chǎn)。
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AI推理應(yīng)用爆發(fā)推升QLC NAND Flash市場(chǎng)需求

AI推論快速成長(zhǎng)，QLC NAND Flash成為企業(yè)級(jí)儲(chǔ)存解決方案的新寵。相較于傳統(tǒng)的TLC NAND，QLC具備更高存儲(chǔ)密度與更低成本，適合以讀取為主的AI推論工作負(fù)載。法人分析，臺(tái)廠如群聯(lián)、威剛、宇瞻等存儲(chǔ)器模組廠，有望從中受惠。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2025年QLC NAND產(chǎn)能將達(dá)250.48億Gb，占NAND總產(chǎn)能的22.2%，滲透率逐步提升。AI推論服務(wù)器主要負(fù)責(zé)分析以及處理大量數(shù)據(jù)，而這類應(yīng)用訪問(wèn)模式以讀取為主，寫入頻率相對(duì)較低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存儲(chǔ)密度
關(guān)鍵字： AI推理 QLC NAND Flash