最近一段時間來，內存、閃存漲價的消息搞的玩家心慌慌，2020年5G智能手機、數據中心、AI等市場對存儲芯片的要求更高了。值得注意的是，今年微軟、索尼還會推出新一代主機PS5、Xbox Series X，它們也會用上16GB內存及TB級SSD，也會爭搶內存閃存份額。
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閃存 PS5
最近一段時間來，內存、閃存漲價的消息搞的玩家心慌慌，2020年5G智能手機、數據中心、AI等市場對存儲芯片的要求更高了。值得注意的是，今年微軟、索尼還會推出新一代主機PS5、Xbox Series X，它們也會用上16GB內存及TB級SSD，也會爭搶內存閃存份額。微軟的Xbox One X、索尼的PS4系列主機用的還是8GB內存，硬盤倒是HDD機械盤，但是今年推出的PS5、Xbox Series X主機配置就會全面升級了，PS5的內存是16GB，Xbox Series X有兩個版本，少則12GB，多則16
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閃存 PS5
去年8月份，閃存巨頭SK海力士重返消費級SSD市場，首發產品Gold S31只是個試水之作，常規的2.5英寸SATA形態，最大容量1TB。CES 2020展會上，SK海力士展出了兩款新的高端SSD，分別是Gold P31、Platinum P31，最大特點采用了SK海力士自己家的4D TLC NAND閃存。其實這里所謂的4D閃存，本質上還是3D堆疊閃存，依然基于3D CTF(電荷捕獲閃存)設計、PUC(Peri. Unde，只不過SK海力士在存儲單元陣列之下增加了一個電路層。SK海力士已在半年前開始量產這
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固態硬盤 閃存
紫光旗下的長江存儲在2019年9月份正式量產了國內首個64層堆棧的3D閃存，容量256Gb，TLC芯片，2020年長江存儲還會進一步提升產能，年底將達到每月6萬片晶圓的水平，是初期產能的10倍。擴大產能就意味著要購買更多的半導體生產設備，其中光刻機還只能依賴進口，但是其他設備有望加大國產采購力度。1月2日，上海中微半導體宣布中標了9臺蝕刻機，而2019全年他們中標的也不過13臺。蝕刻機是芯片制造中的一種設備，與光刻機、MOCVD并稱為三大關鍵性半導體生產設備，它主要用來在芯片上進行微觀雕刻，每個線條和深孔
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閃存，半導體
在CES展會上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質還是3D閃存，4D只是商業名稱），已經用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個量產128層堆棧閃存的，預計三星、西數、東西都會在今年跟進100多層的閃存。3D閃存到底能堆棧多少層？就好像摩天大樓也不能無限堆高一樣，3D閃存的層數也是有限制的，之前廠商的研究顯示最多能堆棧到500多層，不過這是極限值，實際上并沒有這么高。根據Techinsights最新的NAND閃存路線圖，相比此前幾年動不動就翻倍的堆棧層數，2022年大部分閃存廠商在
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閃存 TLC閃存 長江存儲
2020年伊始，三星位于韓國華城的多座晶圓廠遭遇意外斷電，在UPS電源的支持下只停了三分鐘，已經夠讓存儲芯片行業擔心受怕了。現在第二大閃存廠鎧俠工廠又出事了，這次又是火災，官方表示損失情況還在統計中。據報道，1月7日，鎧俠位于日本四日市的Fab 6晶圓廠傳出火警，著火地點是在工廠的無塵室，火災被迅速撲滅，但是存在無塵室暫時無法運行的可能，這也會導致東芝的閃存生產受到影響。鎧俠官方已經證實了這次火災，昨天發表公告稱火災導致的損害情況還在統計中，對于客戶的供貨情況還在統計中。這次出事的Fab 6晶圓廠在201
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閃存 火災 鎧俠
本周三，三星電子對外確認，部分半導體芯片產線臨時停車，原因是1分鐘的突然斷電。事發地點位于三星華城工業園，波及到的多是DRAM和NAND芯片生產線。據悉，此次意外是因為當地輸電線纜問題造成，預計產能完全恢復需要2~3天時間。三星在聲明中稱，他們正全面檢查產線，全面評估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數百萬美元左右，算不上重大。有分析人士認為，此次停車將減少三星的芯片庫存，作為最大的存儲芯片制造上，會否帶來連鎖效應尚不得而知。尤其是最新多方消息預判，明年內存、閃存、MLCC、液晶面板等諸多元器件
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三星 內存 閃存
在內存、閃存價格處于一個很敏感的拐點階段，三星在韓國華城的內存及閃存工廠突然遭遇停電事故。對于這件事，大家很容易聯系到之前三星、海力士、東芝、美光等存儲芯片工廠遭遇的火災、停電、跳閘等事故，不少人會心一笑。調侃歸調侃，這次事件最大的問題在于三星損失多嚴重，對內存閃存的影響有多大。官方表示，他們正全面檢查產線，全面評估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數百萬美元左右，算不上重大，而且只要2-3天就可以恢復正常。從目前的信息來看，三星認為事件影響不大，數百萬美元的損失意味著只有極少數的晶圓受到影響，
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三星 內存 閃存
北京時間2020年1月1日消息，三星電子公司今天表示，在昨天下午發生大約一分鐘的斷電事故后，其華城芯片工廠的部分芯片生產已經暫停。三星在一份聲明中表示，正在檢查生產線以備重新啟動，并正在評估造成的損失。需要指出的，這不是三星存儲工廠第一次出現停電事。根據資料顯示，在2018年3月，三星位于Pyeongtaek（平澤市）的NAND閃存工廠也曾出現過停電事故，雖然停電僅持續了半小時，但依然損壞了5000~6000片晶圓，是三星當月產量的11%，預計相當于3月份的全球供應的3.5%。事后，根據預計此次事故造成了
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三星 內存 閃存
今年3月份，三星宣布全球第一家商業化規模量產eMRAM(嵌入式磁阻內存)，基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝，內存容量8Mb，可廣泛應用于MCU微控制器、IoT物聯網、AI人工智能領域。MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統內存，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數據，綜合了傳統內存、閃存的有點。三星量產的eMRAM內存是基于磁阻的存儲，擴展性非常好，在非易失性、
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三星 內存 閃存
近日，以“數智·未來”為主題的2019中國數據與存儲峰會在北京成功舉辦。匯聚全球數據存儲領域知名的專家學者、企業領軍人物與代表性企業用戶，本次峰會旨在幫助企業和社會提升數據智能水平，推動全球存儲與數據產業發展。英特爾公司中國區非易失性存儲事業部總經理劉鋼先生出席大會并發表演講，不僅從產品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術和QLC NAND?技術填補當前存儲層級中的巨大鴻溝，還通過諸多用戶案例進一步展示英特爾如何通過內存與存儲的產品、技術創新引領存儲新架構，構建數據金字塔。英特爾公司中國區非易失性存儲事業部
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QLC NAND 內存
近日消息 根據guru3D的報道，隨著NAND閃存技術的創新發展，固態硬盤TB內存時代即將到來，SK海力士現已推出了第一批基于其128層4D NAND產品樣品。
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SK 4D NAND 128層
在被美日韓掌控的存儲芯片市場上，終于有中國公司可以殺進去跟國際大廠正面競爭了。紫光旗下的長江存儲（YMTC）于今年三季度官方宣布，開始量產64層堆棧3D閃存，容量256Gb，TLC芯片。外界預計，初期的月產能在5000片左右。來自業內分析人士最新爆料稱，長江存儲的64層3D閃存芯片將在2020年底前把月產能提高到6萬片。不過，接受采訪時，長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華未對產能數據予以確認，表示暫不能透露詳情，包括下一代更先進產品的研發計劃。有報道猜測，長江存儲可能會跳過96層堆棧，預
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閃存 TLC 閃存紫光 長江存儲
在被美日韓掌控的存儲芯片市場上，終于有中國公司可以殺進去跟國際大廠正面競爭了。據報道，今年一季度，紫光旗下的長江存儲（YMTC）開始投產64層堆棧3D閃存，容量256Gb，TLC芯片，初期的月產能僅有5000片。最新消息稱，長江存儲的64層3D閃存芯片將在年底前將月產能提高到6萬片。不過，接受采訪時，長江存儲副總裁、聯合CTO Cheng Weihua卻表示暫不能透露具體的數據詳情包括下一代更先進產品的研發計劃。有報道指出，長江存儲預計最早明年初投產128層堆棧3D閃存，可能會采用第二代Xtacking架
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