武漢全力保障國家存儲器基地建設 國產閃存發展提速

去年中國進口的3000多億美元的半導體芯片中，存儲芯片就占了三分之一左右，價值上千億美元的芯片基本上沒有國產的份兒，國內科技產業存在被卡脖子的可能性，所以發展國產存儲芯片已經是刻不容緩的大事了。

過去兩年里國內投巨資在武漢建設了國家存儲器基地，負責實施這個計劃的是長江存儲科技公司。根據官網資料，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。

2017年，長江存儲在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎上，通過自主研發和國際合作相結合的方式，成功設計并制造了中國首批3D NAND閃存芯片。長江存儲在武漢、上海、北京等地設有研發中心，通過不懈努力和技術創新，致力于成為全球領先的NAND閃存解決方案提供商。

日前湖北日報報道稱，湖北省委副書記、省長王曉東、武漢市長周先旺等高官赴國家存儲器基地調研并現場辦公，王曉東強調在武漢建設國家存儲器基地，是黨中央作出的重大決策部署。

王曉東要求長江存儲把握變局、克難奮進，搶抓新一輪科技革命和產業變革的歷史機遇，以國家先進存儲產業創新中心和國家半導體三維集成制造創新中心為依托，引進培育高端科研人才和團隊，加快芯片全流程智能化制造和國產化進程，著力構建以芯片為基礎的“芯屏端網”產業鏈，努力在應對風險中攻克難關、在主攻重點中打造“產業航母”，加快培育發展集成電路產業集群。

根據長江存儲之前公布的消息，長江存儲斥資10億美元研發成功國產3D NAND閃存，全年小規模試產了32層堆棧的64Gb閃存，今年的目標是量產64層堆棧的3D NAND閃存，再下一代則會直接進入128層堆棧，跳過了三星、美光、東芝、Intel等公司現在力推的96層堆棧閃存，這幾家公司預計在2020年才會推出128層堆棧的閃存。

去年長江存儲推出了Xtacking結構的3D NAND閃存技術，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。長江存儲今年8月份將會推出Xtacking 2.0閃存技術，Xtacking依然會不斷進化中。