mosfet 文章最新資訊

LTC4366浪涌抑制器入門簡介

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： LTC4366 浪涌抑制器 MOSFET Linear

內(nèi)置MOSFET降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器NJW1933

日本無線株式會社（總部：東京都中央?yún)^(qū)　代表取締役社長：小倉　良）開發(fā)出了一款600mA， 500kHz的小型封裝降壓型開關(guān) ...
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飛兆汽車級高速、低邊驅(qū)動器系列可提高效率、簡化設(shè)計

使用功率MOSFET的汽車應(yīng)用要求柵極驅(qū)動器具備高峰值驅(qū)動電流和低輸出阻抗。來自飛兆半導(dǎo)體的 FAN31xx_F085 和FAN32xx_F085* 系列高速、低端汽車合格柵極驅(qū)動器(紐約證券交易所代碼： FCS)為電源和其他高效MOSFET開關(guān)應(yīng)用帶來了靈活性，可提供大量功能和性能組合選擇以創(chuàng)建緊湊、高效和可靠的設(shè)計。
關(guān)鍵字：飛兆驅(qū)動器 MOSFET

東芝針對移動設(shè)備的高電流充電電路將推出超緊湊型MOSFET

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布，該公司已經(jīng)為智能手機和平板電腦等移動設(shè)備的高電流充電電路的開關(guān)推出了超緊湊型MOSFET，包括兩種電池。
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET 智能手機移動設(shè)備

東芝推出高壓MOSFET “πMOS VIII”系列

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新系列高壓MOSFET “πMOS VIII”系列，并推出了該系列的首款產(chǎn)品“TK9J90E”，并計劃于2013年8月投入量產(chǎn)。
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET TK9J90E

東芝擴充低壓N通道MOSFET陣容

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布通過“MOSFET”擴充移動設(shè)備鋰離子電池和電源管理開關(guān)專用保護電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻，可減少設(shè)備的傳導(dǎo)損失。
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET 鋰離子電池

騙子成堆的LED燈具廠商……

請不要認(rèn)為是標(biāo)題黨，慢慢往下看……
關(guān)鍵字： LED LED驅(qū)動驅(qū)動電源無源元件 MOSFET

利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障

用肖特基二極管實現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系...
關(guān)鍵字： MOSFET LTC4225 LTC4227

東芝擴大用于基站和服務(wù)器的功率MOSFET陣容

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為其用于基站和服務(wù)器的通用直流-直流轉(zhuǎn)換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產(chǎn)品。這些產(chǎn)品使用最新的第八代低電壓溝槽結(jié)構(gòu)，并實現(xiàn)了頂尖[1]低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能。即日開始批量生產(chǎn)。
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET

東芝為基站和服務(wù)器推出30V電壓功率MOSFET

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為專用于基站和服務(wù)器的通用DC-DC轉(zhuǎn)換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產(chǎn)品采用了最新的第八代低壓溝槽結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了最高級別的低導(dǎo)通電阻和高速轉(zhuǎn)換。該系列產(chǎn)品計劃于6月底投入量產(chǎn)。
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET 電阻

對使用銅絲鍵合的功率MOSFET進行失效分析

摘要：由于銅絲鍵合可以替代金鍵合，價格又便宜，正在被越來越多地應(yīng)用到微電子元器件當(dāng)中。目前的情況表明銅是可行的替代品，但是證明其可靠性還需要采用針對銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術(shù)。
關(guān)鍵字：銅絲鍵合 MOSFET 金鍵合失效分析金屬層 201308

利用PowerTrench MOSFET應(yīng)對更高功率密度的新挑戰(zhàn)

引言隨著社會經(jīng)濟從紙張型向數(shù)字信息管理型方向發(fā)展，用于數(shù)據(jù)處理、存儲和網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)中心在個人業(yè)務(wù)、學(xué)術(shù)...
關(guān)鍵字： PowerTrench MOSFET

飛兆開發(fā)出SP 5智能功率模塊系列三相MOSFET逆變器解決方案

　　電機控制系統(tǒng)設(shè)計人員需要能夠在嚴(yán)苛的應(yīng)用條件下，提高效率同時確保最高可靠性的解決方案。為此，飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了SPM? 5 智能功率模塊系列三相 MOSFET 逆變器解決方案，為設(shè)計人員提供交流感應(yīng)電機 (ACIM) 和無刷直流電機逆變器解決方案，適用于功率最高為 200 W 的電機，包括風(fēng)扇電機、洗碗機和各種小型工業(yè)電機。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET SPM

理想二極管和熱插拔控制器實現(xiàn)電源冗余并隔離故障

用肖特基二極管實現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA 網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統(tǒng)，例如 AC 交流適配器和備份電池饋送。
關(guān)鍵字：凌力爾特肖特基二極管 MOSFET

Vishay新款-40V和-30V MOSFET擴充Gen III P溝道產(chǎn)品

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]