東芝針對(duì)移動(dòng)設(shè)備的高電流充電電路將推出超緊湊型MOSFET
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時(shí)間：2013-08-27
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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高功耗封裝陣容擴(kuò)大
本文引用地址：http://www.104case.com/article/164325.htm
東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布，該公司已經(jīng)為智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備的高電流充電電路的開(kāi)關(guān)推出了超緊湊型MOSFET，包括兩種電池。
隨著更多功能添加至智能手機(jī)和手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等移動(dòng)設(shè)備以及對(duì)它們的電池提出更多要求，公司不斷顯著增加充電電流來(lái)縮短充電時(shí)間，以提高電荷密度和改善用戶(hù)體驗(yàn)。新的超緊湊型“SSM6J781G”和“SSM6J771G”是東芝高功耗封裝的高電流MOSFET陣容的最新成員。即日起開(kāi)始批量生產(chǎn)和出貨。
應(yīng)用
智能手機(jī)和手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等移動(dòng)設(shè)備的高電流充電開(kāi)關(guān)。
推薦電路
高端開(kāi)關(guān)(P溝道)
結(jié)合升壓控制LSI的高端開(kāi)關(guān)(N溝道)
低端電池保護(hù)的控制開(kāi)關(guān)(N溝道)
主要特性
♦ 高電流
♦ 低導(dǎo)通電阻
♦ 低電容
♦ 小型封裝(1.5 x 1.0mm;WCSP6C)
♦ 高功耗
主要規(guī)格
| 產(chǎn)品型號(hào) | VDSS （V） |
VGSS （V） |
ID（DC） （A） |
RDS（ON）典型值（mΩ） | PD （W） |
|
|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS=2.5V | VGS=-4.5V | |||||
| SSM6K781G | 12 | ±8 | 7 | 17.9 | 14.4 | 1.2 |
| 產(chǎn)品型號(hào) | VDSS （V） |
VGSS （V） |
ID（DC） （A） |
RDS（ON）典型值（mΩ） | PD （W） |
|
|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS = -4.5V | VGS = -8.55V | |||||
| SSM6J771G | -20 | ±12 | -5 | 26 | 23 | 1.2 |
評(píng)論