mosfet 文章最新資訊

網(wǎng)絡(luò)化智能調(diào)光LED隧道照明系統(tǒng)

摘要：本課題的主要研究內(nèi)容是根據(jù)《公路隧道通風(fēng)照明設(shè)計規(guī)范》要求研究設(shè)計了網(wǎng)絡(luò)化智能調(diào)光LED隧道燈控制系統(tǒng)。
關(guān)鍵字：智能調(diào)光 LED 隧道照明光耦 MOSFET 201312

高功率LED照明驅(qū)動應(yīng)用的新方法

摘要：傳統(tǒng)高功率LED驅(qū)動電源大多采用直流并聯(lián)LED的方式工作，成本低，容易實現(xiàn)，但目前高亮度LED消耗的電流可達(dá)350mA甚至更高，因此傳統(tǒng)方法的損耗極大，效率低;本文提出了一種串聯(lián)輸入多并聯(lián)驅(qū)動電源的實現(xiàn)方法，具有高性價比，輸出電流大，失真度低，且具有優(yōu)異的串電流調(diào)節(jié)功能等優(yōu)點。
關(guān)鍵字： LED 照明驅(qū)動 DC/DC SIMPLE MOSFET 201312

東芝電子攜“智慧社區(qū)”亮相第十五屆高交會

2013年11月22日，日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司宣布，在第十五屆中國國際高新技術(shù)成果交易會(簡稱高交會)電子展上圍繞“智慧與科技的雙贏，盡在東芝智能社區(qū)”這一主題，重點展示了面向移動終端、家用電器、汽車電子、工業(yè)電子以及存儲等五大應(yīng)用領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)與解決方案。
關(guān)鍵字：東芝存儲卡 MOSFET

針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的驅(qū)動器設(shè)計

引言對電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場是一個復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負(fù)載點應(yīng)用中，開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換...
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET

MOS管驅(qū)動電路總結(jié)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MOS管驅(qū)動電路 MOSFET 導(dǎo)通特性 AN799

把握LED設(shè)計關(guān)鍵實現(xiàn)情調(diào)照明

一、LED的出現(xiàn)打破了傳統(tǒng)光源的設(shè)計方法與思路，目前有兩種最新的設(shè)計理念。1.情景照明:是2008年由飛...
關(guān)鍵字： LED MOSFET

淺析MOSFET的UIS及雪崩能量

在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工...
關(guān)鍵字： MOSFET 電源設(shè)計

Power Integrations的高頻率雙管正激IC可大幅降低系統(tǒng)成本和尺寸

用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者 Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號：POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節(jié)省超過20個元件，從而減小外形尺寸并提高功率密度。
關(guān)鍵字： Power MOSFET HiperTFS-2

飛兆集成式智能功率級(SPS)模塊具有更高的功率密度和更佳的效率

在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中，提高效率和功率密度是設(shè)計人員面臨的重大挑戰(zhàn)。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET SPS 驅(qū)動器

德州儀器超小型 FemtoFET? MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻。
關(guān)鍵字： TI MOSFET 導(dǎo)通電阻

怎么能使Simulink的仿真速度更快?

現(xiàn)在的專業(yè)軟件都是越做越大，功能成倍成倍地增加，而處理的對象也是越來越復(fù)雜，特別是使用一些仿真軟件在高精度下建模仿真的時候，因為PC上硬件的發(fā)展速度慢于軟件功能復(fù)雜化的速度，就造成了我們的仿真看起來是越跑越慢了。
關(guān)鍵字： Simulink 仿真速度操作系統(tǒng) MOSFET

深入淺出常用元器件系列——MOSFET

MOSFET，中文名金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。
關(guān)鍵字： MOSFET 晶體管 datasheet 漏極電流

安森美用于辦公自動化設(shè)備應(yīng)用的高能效步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器方案

電機(jī)的應(yīng)用非常廣泛，遍及人們工作及生活的各個領(lǐng)域，如打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)、投影儀、電冰箱、洗衣機(jī)、空調(diào)、燃?xì)庠睢⒄障鄼C(jī)、ATM機(jī)、電動縫紉機(jī)、保安攝像機(jī)、自動售貨機(jī)、熱水供應(yīng)系統(tǒng)、園林灌溉系統(tǒng)及工業(yè)自動化等。
關(guān)鍵字：安森美電機(jī)驅(qū)動步進(jìn)電機(jī) MOSFET 驅(qū)動器

Vishay 聯(lián)袂中國電源學(xué)會舉辦電源專題研討會

2013 年 10 月14 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將與中國電源學(xué)會合作于10月16日舉辦電源專題研討會，該研討會內(nèi)容涵蓋功率MOSFET、電源模塊、光電器件和二極管，同期還將有多位業(yè)內(nèi)專家出席并做宣講。研討會將在中國武漢的長江大酒店召開。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

在ZVS拓?fù)渲羞x擇最優(yōu)的死區(qū)時間

摘要：通過本文的分析來優(yōu)化中壓和高壓功率MOSFET在各種隔離式轉(zhuǎn)換器拓?fù)涫褂脮r的死區(qū)時間，能夠幫助工程師發(fā)現(xiàn)各種器件技術(shù)的優(yōu)點，甚至使那些過時的設(shè)計方案也能達(dá)到更好的性能。
關(guān)鍵字： ZVS MOSFET DC-DC IBC 柵極 201311

共1291條 46/87 |‹ « 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 » ›|

mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]