東芝擴充低壓N通道MOSFET陣容 —— 低導通電阻可減少移動設備的傳導損失 作者： 時間：2013-08-13 來源：電子產品世界 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布通過“MOSFET”擴充移動設備鋰離子電池和電源管理開關專用保護電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實現了低導通電阻，可減少設備的傳導損失。本文引用地址：http://www.104case.com/article/158932.htm 主要特性 采用第八代工藝打造，實現低導通電阻 采用TSON Advance封裝，具有很好的導熱性 高雪崩電阻 主要規格 離子色譜儀相關文章:離子色譜儀原理
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