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Power Integrations推出汽車級IGBT/SiC模塊驅動器產品系列SCALE EV,為巴士、卡車以及建筑和農用電動汽車提供強大動力

- 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門極驅動板。新款驅動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊,其應用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車(包括巴士和卡車)以及建筑、采礦和農用設備的大功率汽車和牽引逆變器。SCALE EV板級門極驅動器內部集成了兩個增強型門極驅動通道、相關供電電源和監(jiān)控遙測電路。新驅動板已通過汽車級認證和ASIL B認證,可實現(xiàn)AS
- 關鍵字: Power Integrations IGBT SiC 模塊驅動器 SCALE EV PI
環(huán)旭電子預計在2022量產電動車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊
- 搭配電動車市場的快速成長,近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產與測試,近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞,預計在2022正式量產電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據調研機構Canalys的報告指出,2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛,與去年同期相比大幅成長160%,成長率遠高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關鍵功率半導體組件和模塊需求,其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
- 關鍵字: 環(huán)旭電子 電動車用逆變器 IGBT SiC 電源模塊
環(huán)旭電子預計2022量產電動車用逆變器用IGBT與SiC電源模塊
- 搭配電動車市場的快速成長,近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產與測試,近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞,預計在2022正式量產電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據調研機構Canalys的報告指出,2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛,與去年同期相比大幅成長160%,成長率遠高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關鍵功率半導體組件和模塊需求,其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
- 關鍵字: 環(huán)旭電子 電動車用逆變器 IGBT SiC 電源模塊
Power Integrations推出適用于“新型雙通道”模塊的SCALE-iFlex Single即插即用型門極驅動器

- SCALE-2技術可優(yōu)化外形尺寸,提高耐壓在3300V以內的功率逆變器和變換器的效率、性能和可靠性
- 關鍵字: PI 雙通道門機驅動器 SCALE-iFlex?Single IGBT
功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究

- 高端變頻空調在實際應用中出現(xiàn)大量外機不工作,經過大量失效主板分析確認是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效,本文結合大量失效品分析與電路設計分析,對IGBT失效原因及失效機理分析,分析結果表明:經過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關波形檢測、熱設計分析、IGBT極限參數(shù)檢測對比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因導致,IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應、驅動控制、ESD能力等方面存在不足,逐一分析論證后從IGBT本身及電路設計方面全部提升IGBT工作可靠性。
- 關鍵字: 主動式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應 ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET
Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案,取代硅IGBT,現(xiàn)已提供1700V版本

- 如今為商用車輛推進系統(tǒng)提供動力的節(jié)能充電系統(tǒng),以及輔助電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應用都依賴于高壓開關電源設備。為了滿足這些需求,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布擴大其碳化硅產品組合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術是硅IGBT的替代產品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關頻率,之前的技術要求設計人員在性能上做出妥協(xié)并使用復雜的拓撲結構。此外,電力電
- 關鍵字: MOSFET MCU IGBT
ROHM推出內置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調、路燈等工業(yè)設備,開發(fā)出內置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來,隨著節(jié)能意識的提高,在交流400V級工業(yè)設備領域,可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導體的應用越來越廣。而另一方面,在工業(yè)設備中,除了主電源電路之外,還內置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源,但出于設計周期的考量,它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
- 關鍵字: MOSFET IGBT
比亞迪半導體將發(fā)布新一代高性能IGBT
- 2018年比亞迪半導體在寧波發(fā)布了IGBT4.0芯片,樹立了國內車規(guī)級中高端IGBT芯片標桿。歷時兩年積累沉淀,比亞迪半導體即將在西安新研發(fā)中心發(fā)布更高性能的IGBT6.0。西安高新區(qū)已經匯聚了華為、浪潮、三星等一大批知名企業(yè),隨著西安研發(fā)中心大樓的落成,也標志著比亞迪半導體正式入駐中國“西部硅谷”。2008年比亞迪1.7億元收購了寧波中緯。中緯賬面上最有價值的東西是源自臺積電淘汰的一條8英寸晶圓線,但這筆收購給還給比亞迪帶來了晶圓車間、技術團隊等資源。當時長三角地區(qū)是中國半導體制造的重要基地。彼時這些資
- 關鍵字: 比亞迪 IGBT
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