Microchip推出業界耐固性最強的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現已提供1700V版本

如今為商用車輛推進系統提供動力的節能充電系統，以及輔助電源系統、太陽能逆變器、固態變壓器和其他交通和工業應用都依賴于高壓開關電源設備。為了滿足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴大其碳化硅產品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。

Microchip的1700V碳化硅技術是硅IGBT的替代產品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關頻率，之前的技術要求設計人員在性能上做出妥協并使用復雜的拓撲結構。此外，電力電子系統的尺寸和重量因變壓器而變得臃腫，只有通過提高開關頻率才能減小尺寸。

新推出的碳化硅系列產品使工程師能夠舍棄IGBT，轉而使用零件數量更少、效率更高、控制方案更簡單的兩級拓撲結構。在沒有開關限制的情況下，功率轉換單元的尺寸和重量可以大大減少，從而騰出空間來建立更多充電站，提供更多空間搭載付費乘客和貨物，或者延長重型車輛、電動巴士和其他電池驅動商業車輛的續航能力和運行時間，所有這些都可以降低整體系統成本。

Microchip分立產品業務部副總裁Leon Gross表示：“交通運輸領域的系統開發人員不斷被要求在無法變大的車輛中容納更多的人和貨物。幫助實現這一目標的最佳方式之一，是通過利用高壓碳化硅功率器件，大幅降低電源轉換設備的尺寸和重量。在交通運輸行業的應用也可為許多其他行業應用帶來類似的好處。”

新產品特點包括柵極氧化物穩定性，Microchip在重復非鉗位感應開關（R-UIS）測試中觀察到，即使延長到10萬個脈沖之后，閾值電壓也沒有發生漂移。R-UIS測試還顯示了出色的雪崩耐固性和參數穩定性，以及柵極氧化物的穩定性，實現了在系統使用壽命內的可靠運行。抗退化體二極管利用碳化硅MOSFET可以消除對外部二極管的需要。與IGBT相當的短路耐受能力可經受有害的電瞬變。在結溫0至175攝氏度范圍內，相比對溫度更敏感的碳化硅MOSFET，較平坦的RDS（on）曲線使電力系統能夠更穩定地運行。

Microchip通過AgileSwitch^?數字可編程門驅動器系列和各種分立和功率模塊，以標準和可定制的形式簡化了技術的采用。這些柵極驅動器有助于加快碳化硅從實驗到生產的開發速度。

Microchip的其他碳化硅產品包括700V和1200V的MOSFET和肖特基勢壘二極管系列，提供裸片和各種分立和功率模塊封裝。Microchip將內部碳化硅裸片生產與低電感功率封裝和數字可編程門驅動器相結合，使設計人員能夠制造出最高效、緊湊和可靠的最終產品。

Microchip整體系統解決方案還包括單片機（MCU）、模擬和MCU外設以及通信、無線和安全技術產品。

開發工具

與Microchip的MPLAB^? Mindi?模擬仿真器兼容的碳化硅SPICE仿真模型為系統開發人員提供了在投入硬件設計之前模擬開關特性的資源。智能配置工具（ICT）使設計人員能夠為Microchip的AgileSwitch?系列數字可編程柵極驅動器的高效碳化硅柵極驅動器建模。

供貨

Microchip的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊現可訂購，有多種封裝選項可供選擇。