- 科索有限責任公司近日宣布擴大其為中型機器人和工廠自動化設計的RB系列，增加一款300W的版本。RBC300F是一種開放式框架，可配置AC/DC電源，具有三路輸出，專門為機器人控制器和工廠自動化定制。基于一個獨特的概念，科索RBC300F系列提供三個可配置隔離輸出，其中一個具有增強隔離給智能柵雙極型晶體管（IGBT）或等效應用供電。RBC300F通過EN62477-1過電壓類別（OVC）Ⅲ認證，當連接到配電板時，通過減少額外的隔離變壓器，RBC300F電源簡化了系統架構師的設計過程，同時降低了成本。RBC3
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OVC IGBT COSEL RBC300F 對流冷卻設計
- 隨著電動汽車（EV）數量的增加，對創建更加節能的充電基礎設施系統的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據聯合充電系統和Charge de Move標準， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅動更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術
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EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
- 受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現諸如圖騰柱無橋功率因數控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優點，包括更低的開關損耗、更佳
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MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
- 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業標準模塊封裝產品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計,以及溝槽柵芯片技術,為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門。在傳統62mm IGBT模塊基礎上,將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現極高的電流密度。其極低的開關損耗
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MOSFET TIM IGBT
- 舒 暉（奇瑞新能源汽車股份有限公司，安徽 蕪湖 241002） 摘 要：針對電動汽車在能量回饋時，動力電池高壓繼電器異常斷開的特殊工況下，提出了一種IGBT保護策略優化方案，快速檢測因動力電池瞬斷產生的尖峰電壓，觸發保護機制保護IGBT模塊。本文通過臺架實驗對比了方案優化前后的尖峰電壓值，最終通過實車驗證了該方案的可行性。結果表明，優化后的保護策略能更快地檢測到抬升的母線電壓，觸發保護機制，停止IGBT工作，降低IGBT模塊損壞的風險。 關鍵詞：電動汽車；能量回饋；IGBT 0 引言 傳統汽車
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202007 電動汽車 能量回饋 IGBT
- 我國正在大力進行新基建，工業物聯網、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發展基礎。充電樁、工業物聯網、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區功率分立器件和模擬產品部區域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪，分享了對工業市場的預測，并介紹了ST的新產品。ST亞太區 功率分立器件和模擬產品部 區域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業電源市場
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電源 SiC IGBT GaN
- 本文將強調出無論就能源效率、散熱片尺寸或節省成本方面來看,工業傳動不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優點。摘要由于電動馬達佔工業大部分的耗電量,工業傳動的能源效率成為一大關鍵挑戰。因此,半導體製造商必須花費大量心神,來強化轉換器階段所使用功率元件之效能。意法半導體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)技術,為電力切換領域立下全新的效能標準。1.導言目前工業傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發的碳化
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MOSEFT FWD ST IGBT
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出型號為“TPD4162F”的高壓智能功率器件（IPD）。該器件采用小型表面貼裝封裝，設計用于空調、空氣凈化器和泵等產品中的電機驅動。并計劃于今日開始出貨。TPD4162F采用新工藝制造，與東芝當前的IPD產品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%[1]。這有助于為集成該器件的設備降低總體功率損耗。TPD4162F具有各種控制電路[2]、輸出級安裝了IGBT和FRD。其支持從霍爾傳感器或者霍爾IC直接驅動帶方波輸入信號的無刷直流電機，無需PWM控制
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IPD IGBT IC
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預驅動光耦，適用于工業逆變器和光伏（PV）的功率調節系統。這款全新的預驅動光耦內置多種功能[1]，其中包括通過監控集電極電壓實現過流檢測。產品于今日起開始出貨。新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。目前現有產品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來實現電流放大，這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠
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IGBT MOSEFT
- 各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布，將繼續致力于應對汽車和工業市場的挑戰，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術提供了一種一體化解決方案，即整合了內置柵極驅動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優化了功率開關的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現更高效、更簡潔電機驅動的電動機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產品上市時間。該可擴展
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SiC IPM
- 中高壓逆變器應用領域門極驅動器技術的創新者Power Integrations近日推出1SP0351?SCALE-2?單通道+15/-10V即插即用型門極驅動器，新產品專為東芝、Westcode和ABB等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發。新的門極驅動器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設計而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應用。1SP0351驅動器裝備了動態高級有源鉗位功能(DAAC)、短路保護
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門極驅動器 IGBT
- 顧偉俊? （羅姆半導體（上海）有限公司?技術中心?現場應用工程師）摘? 要：介紹了電機的應用趨勢，以及MCU、功率器件的產品動向。 關鍵詞：電機；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機的應用趨勢?隨著智能家居、工業自動化、物流自動化等概念的 普及深化，在與每個人息息相關的家電領域、車載領 域以及工業領域，各類電機在技術方面都出現了新的 需求。?在家電領域，電器的 智能化需要電器對人機交 流產生相應的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間，規劃路線，然后執 行移動以及相應
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202003 電機 BLDC MCU SiC IPM
- 姜鐵軍 （東芝電子元件（上海）有限公司?系統LSI戰略業務企劃統括部?高級工程師）摘? 要：介紹了家用電器用電機的特點，以及東芝提升電機效率的智能相位控制技術和產品。 關鍵詞：BLDC；智能相位控制技術；IPM1? 家電用電機的特點?電機在如今這個時代非常重要。根據相關數據顯 示，全球大約50%的電能 是被電機消耗的。在以 前，電機的應用主要集中 在工業領域，隨著人民生 活水平的不斷提升，家用 電器領域開始異軍突起。 數量巨大的家用電器在電 機使用中占比很大，如家 電類的冰箱、空調、洗
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202003 BLDC 智能相位控制技術 IPM
- Steven?Shackell? （安森美半導體?工業業務拓展經理）摘? 要：電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉向無刷直流(BLDC)電機；工業電機需要更高能效的電機，同時 需要強固和高質量。安森美以領先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應對這些轉變帶來的商機。 關鍵詞：電機；電動工具；MOSFET；工業；IGBT；IPM安森美半導體提供全面的電機產品系列，尤其是功 率半導體方面。安森美半導體因來自所有電機類型的 商機感到興奮，并非?？春脽o刷直流電機(BLDC)應用 （例如電動工具），
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202003 電機 電動工具 MOSFET 工業 IGBT IPM
- 基于國內外大客戶對高端功率半導體器件的旺盛需求，特別是超級結產品(SJ)和絕緣柵雙極型器件(IGBT)的應用，華虹集團旗下華虹二廠在2020年1月的投入再創新高，光刻層數達到了48萬！生產線在年度動力檢修后已滿負荷運行，在1月也取得了出貨6.12萬片晶圓的佳績！
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半導體 IGBT SJ 華虹
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