比亞迪半導體將發布新一代高性能IGBT

2018年比亞迪半導體在寧波發布了IGBT4.0芯片，樹立了國內車規級中高端IGBT芯片標桿。

歷時兩年積累沉淀，比亞迪半導體即將在西安新研發中心發布更高性能的IGBT6.0。西安高新區已經匯聚了華為、浪潮、三星等一大批知名企業，隨著西安研發中心大樓的落成，也標志著比亞迪半導體正式入駐中國“西部硅谷”。

2008年比亞迪1.7億元收購了寧波中緯。中緯賬面上最有價值的東西是源自臺積電淘汰的一條8英寸晶圓線，但這筆收購給還給比亞迪帶來了晶圓車間、技術團隊等資源。當時長三角地區是中國半導體制造的重要基地。彼時這些資源在中國大陸是非常稀缺的。

但這并不是比亞迪第一次進入半導體行業，早在2002年比亞迪微電子就開始從事集成電路設計，已經開發出涵蓋電源管理芯片、CMOS圖像傳感器、液晶驅動和觸摸控制芯片等諸多產品。

2018年，IGBT4.0芯片，更大的電流通過能力、更低的能耗、更長的高溫壽命，這些是當年全新一代唐能做到百公里加速時間4.5S，百公里電耗僅17.9kwh的保障。

2019年，得益于更低能耗，更高熱導率的SiC芯片的裝車，比亞迪漢的峰值扭矩達到了350N.M，峰值功率達到200KW，成就了漢的出色的產品力。

這次即將發布的IGBT6.0，將有比同類產品更高的可靠性，和產品性能上的重大突破。即將在創業板的上市，也將助力比亞迪半導體的飛速發展。