功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉換的電路系統中，都會用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發電設備產生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉換調制變成擁有特定電能參數的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業和電力系統。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發展。20世紀70年代
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功率半導體 MOSFET IGBT
近日消息，從東風汽車官方獲悉，東風碳化硅功率模塊項目課題已經順利完成，將于2023年搭載東風自主新能源乘用車，實現量產。IGBT行業的門檻非常高，除了芯片的設計和生產，IGBT模塊封裝測試的開發和生產等環節同樣有著非常高的技術要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級產品、第三代半導體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動新能源汽車電氣架構從400V到800V的迭代，從而實現10分鐘充電80%，并進一步提升車輛續航里程，降低整車成本。同時，總投資2.8億元的功率模塊二期項
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東風 碳化硅 功率模塊 IGBT
吉利招標平臺發布了一則《晶能微電子一期工廠改造項目監理工程招標公告》。該公告指向，吉利加入IGBT封裝的自制隊伍。從開發走向制造晶能微電子一期工廠改造項目租賃樂坤產業園 A-3 的314單元約 5000 平萬米，建設年產60萬套IGBT 功率模塊的一期工廠，主要包括 3000 平方米的萬級潔凈室及實驗室，1000平方米的動力站，1000 平方米的倉庫及辦公區。本項目位于杭州市余杭區錢江經濟開發區，杭州錢江經濟開發區于2006年3月6日經浙江省人民政府批準設立，是余杭區五大“產業平臺”之一，是連接杭州城東智
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IGBT 功率模塊 吉利
半導體周期雖然出現階段性調整，但受益于新能源汽車、新能源發電等需求推動，以IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）為代表的功率器件強勢增長，相關IGBT公司訂單量飽滿，產能供不應求。車規級IGBT持續放量作為IGBT龍頭，斯達半導今年前三季度實現凈利潤達到5.9億元，同比增長1.21倍，增速超過營業收入，銷售毛利率達到41.07%，環比提升。在12月5日斯達半導三季度業績說明會上，公司高管介紹，近幾個季度營收增長主要驅動力來自公司產品在新能源汽車、光伏、儲能、風電等行業持續快速放量，市場份額不斷提高；隨著規模化效應
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半導體 IGBT
IGBT模塊是新一代的功率半導體電子元件模塊，誕生于20世紀80年代，并在90年代進行新一輪的改革升級，通過新技術的發展，現在的IGBT模塊已經成為集通態壓降低、開關速度快、高電壓低損耗、大電流熱穩定性好等等眾多特點于一身，而這些技術特點正式IGBT模塊取代舊式雙極管成為電路制造中的重要電子器件的主要原因。近些年，電動汽車的蓬勃發展帶動了功率模塊封裝技術的更新迭代。目前電動汽車主逆變器功率半導體技術，代表著中等功率模塊技術的先進水平，高可靠性、高功率密度并且要求成本競爭力是其首先需要滿足的要求。功率器件模
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IGBT 功率模塊 封裝
11月25日，時代電氣發布公告稱，公司擬對控股子公司株洲中車時代半導體有限公司（以下簡稱“中車時代半導體”）增資人民幣24.6億元，增資的資金用于中車時代半導體向公司購買汽車組件配套建設項目（包含IGBT項目）部分資產。天眼查顯示，近日，宜興中車時代半導體有限公司成立，注冊資本36億元。該公司由時代電氣、株洲芯連接零號企業管理合伙企業（有限合伙）共同持股，經營范圍包含：半導體分立器件制造；半導體分立器件銷售；工程和技術研究和試驗發展；貨物進出口等。就在今年9月，時代電氣就已投資111億元加速擴產IGBT項
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IGBT 車規級芯片
摘 要：介紹了一種純電動汽車用永磁同步電機系統的堵轉控制包含對原理、法規要求過程分析、測試方法及
策略控制應用，通過對永磁同步電機的基本工作原理變換到堵轉的工作原理及帶來的問題的原因，通過建立堵
轉策略及仿真計算開展實施驅動電機和IGBT的溫度保護策略，并確立目標開展對驅動電機和IGBT選型設計，
通過仿真設計校核并通過臺架和整車實車測試驗證設計目標，驗證了系統性能，安全性高，在通過設計對整車
目標進行校核的同時，防止過度開發，降低了系統開發成本。關鍵詞：PMSM；PWM；堵轉；IGBT；載頻0
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202211 PMSM PWM 堵轉 IGBT 載頻
EconoDUAL?3是一款經典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產品已經廣泛應用于級聯型中高壓變頻器、靜止無功發生器（SVG）和風電變流器，覆蓋了中功率和一部分大功率的應用場合。隨著芯片技術的發展和市場對高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經基于最新的1700V IGBT7技術開發了新一代的EconoDUAL?3模塊，并率先推出了900A和750A兩款新產品。本文首先分析了上一代最大電流等級600A的產品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型應用，然后介紹了1700V IG
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英飛凌 IGBT
IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關鍵參數和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數的背景信息，以便合理地使用IGBT。英飛凌的IGBT數據手冊通常包含以下內容：1. 封面，包括器件編號，IGBT技術的簡短描述，如果是帶共封裝續流二極管的器件，數據手冊也會包括二極管的功能，關鍵參數，應用以及基本的封裝信息。2. 最大額定電氣參數和IGBT熱阻/二極管熱阻3. 室溫下的電氣特性，包括靜態和動態參數4. 25°C和150°C或175°C時的開關特性5. 電氣特性
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英飛凌 IGBT
柵極驅動中最關鍵的時刻是IGBT的開啟和關閉。我們的目標是快速執行此功能，在IGBT開啟時噪音和振鈴最小。不過，上升/下降時間過快可能會導致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時間過慢會增加IGBT的開關損耗。柵極驅動中最關鍵的時刻是IGBT的開啟和關閉。我們的目標是快速執行此功能，在IGBT開啟時噪音和振鈴最小。不過，上升/下降時間過快可能會導致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時間過慢會增加IGBT的開關損耗。圖1：DGD0216 的柵極驅動組件上圖展示的是來自Diodes的DGD0216柵極驅
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DigiKey IGBT
提到軟開關技術，大家耳熟能詳的有零電壓開通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現在的電源產品中，絕大多數的采用軟開關拓撲的電源產品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。今天我就來嘮一嘮IGBT在軟開關拓撲中的應用，IGBT是否能用于ZVS以及IGBT是否更適用于ZCS。長期以來，IGBT給人的印象就如農
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英飛凌 IGBT
在過去的文章中，我們曾經討論過IGBT在關斷的時候，集電極會產生電壓過沖的問題（回顧：IGBT集電極電壓超過額定電壓會發生什么？）。IGBT關斷時，集電極電流Ic迅速減小到0，急劇變化的di/dt流經在系統雜散電感，產生感應電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上，使IGBT承受高于平常的電壓應力。哪怕這電壓尖峰時間很短，也可能對IGBT造成永久性損壞。di/dt與IGBT芯片特性有關，也與關斷時器件電流有關。當器件在短路或者過流狀態下關斷時，集電極電壓過沖會格外大，有可能超過額定值，從而損壞IGBT。所以如何抑制
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英飛凌 IGBT
IGBT主要用于電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數據手冊是這樣描述短路能力的，在驅動電壓不超過15V時，短路電流典型值是2400A，只要在10us內成功關斷短路電流，器件不會損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護贏得時間，驅動保護電路可以從容安全地關斷短路電流。短路能力不是免費的器
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英飛凌 IGBT 功率半導體
摘要：針對軌道交通領域IGBT的使用要求，設計了一款基于可編程邏輯器件并具有故障存儲功能的數字化
驅動器。文章介紹了驅動器總體方案，設計了多電壓軌電源系統；分析了異常驅動信號對IGBT正常工作的危
害，并通過軟件算法實現了短脈沖抑制與超頻保護；電源欠壓會導致IGBT開關異常，使用欠壓檢測芯片進行
檢測并在發生欠壓故障時進行脈沖封鎖；針對短路故障，使用退飽和電路檢測并結合軟件時序進行保護；詳細
分析了IGBT開關過程各階段的不同特性，設計了可優化開關性能的多等級開關電路；通過存儲芯片與可編程
邏輯
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202206 存儲 數字化 IGBT 驅動器
摘要：本文介紹了一種新能源電動汽車上用驅動電機控制器IGBT驅動電源方案的設計分析及其驗證，通過
對基本Buck-boost拓撲研究變換到Flyback電路，通過對LTC1871電流驅動芯片的應用設計、分析，設計反激變
壓器參數目標需求匹配驅動電路，通過PWM供電、NMOS驅動、電流檢測、反饋輸出電壓跟蹤閉環調節，實
現滿足一款Infineon的驅動芯片1ED020I12芯片的驅動電路系統，本方案通過原理設計、電路仿真及電路臺架測
試，驗證了系統性能、安全性高，同時可以通過較少的外圍電路實現可靠的
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202206 升降壓變換器 反激 反激變壓器 IGBT 脈寬調制
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