隨著不間斷電源等特殊電源的興起，IGBT在電子電路設計領域地位變得越來越重要，在之前的文章中小編為大家介紹有關IGBT可靠性中的芯片額定輸出功率密度
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連接器 電容 IGBT 可靠性
IGBT有三個電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發射極E(也稱源極)一、用指針式萬用表對場效應管進行判別(1)用測電阻法判別結
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IGBT 場效應管 檢測方法
隨著不間斷電源的興起，IGBT技術開始走進人們的生活。而對于新手來說，對于IGBT的相關知識進行學習并不困難，困難的是理解這種技術在實際應用當中的一
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IGBT 器件選用 溫度
IGBT作為電壓控制型開關器件，IGBT的開關由柵極的電壓控制。大家都知道柵極電壓升高，IGBT導通，柵極電壓低，IGBT關斷。但是使用的時候還是很容易忽略
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電源 IGBT 驅動能力
在綠色能源快速發展的當下，太陽能發電對于人們來說已經不是什么新鮮事物。在太陽能逆變電源的角度來說，想要獲得更多的效率，IGBT就是必不可少的重要
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太陽能 逆變 IGBT
熟悉IGBT的朋友都知道，IGBT的內部主要是MOS結構。這就意味著IGBT對于靜電非常敏感，在使用過程中稍有不當就可能造成IGBT的損壞。那么在使用IGBT時，需
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IGBT 電源 電路設計
隨著大功率電源設備的普及率越來越高，IGBT在大功率電源設備中的作用也越來越重要，因此對IGBT知識進行全方面的了解是非常有必要的。隨著使用頻率的升
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IGBT 電源 逆變器
由于IGBT類電源的特殊性，于一般的電源相比其中很多器件都會有相應的改動。濾波電容就是其中一個變動較大的器件。為了為大功率電源進行不間斷的供電，
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電源 IGBT 濾波電容
電動汽車逆變器用于控制汽車主電機為汽車運行提供動力，IGBT功率模塊是電動汽車逆變器的核心功率器件，其驅動電路是發揮IGBT性能的關鍵電路。驅動電路
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逆變器 IGBT 驅動電源 可用性測試
電動汽車逆變器用于控制汽車主電機為汽車運行提供動力，IGBT功率模塊是電動汽車逆變器的核心功率器件，其驅動電路是發揮IGBT性能的關鍵電路。驅動電路
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IGBT 逆變器 電動汽車
近年來，IGBT被廣泛關注，隨著技術的發展，其應用前景被廣泛看好，作為國家戰略性新興產業IGBT，在很多領域應用廣泛。
什么是IGBT?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓
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IGBT
IGBT基礎與運用 IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快 的特點(控制和響應)，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內。 理想等效電路與實際等效電路如圖所示： IGBT 的靜態特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態特性(開關特性)。 動態特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
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IGBT，MOSFET
隨著功率半導體的不斷發展和技術進步，功率器件下游產業的穩步擴張，未來在政策資金支持以及國內新能源汽車的蓬勃發展下，國內功率半導體產業將迎來黃金發展期。 6月26日，PCIM 亞洲 2018展會在上海世博展覽館隆重舉行。作為全球500強企業，同時也是現代功率半導體器件的開拓者，大中國區三菱電機半導體攜多款功率器件產品及相關解決方案亮相，同時發布了更高集成度、更小體積、更能降低生產成本，并擁有全面保護功能的表面貼裝型IPM，以及助力新能源發電應用新封裝大功率IGBT模塊兩款最新產品。 (圖一：2018
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三菱電機 IGBT
《“十三五”國家戰略性新興產業發展規劃》明確表示國家將大力發展新能源汽車，而IGBT、碳化硅器件等作為新能源汽車的核心器件，國產化替代需求巨大。6月22日，“2018國際新能源汽車功率半導體關鍵技術論壇”在北京舉行，旨在把行業最優的核心器件推廣至新能源汽車應用。作為全球第一家提供溝槽型場截止型(Trench FS, Field Stop)IGBT量產技術的8英寸代工廠，華虹宏力在IGBT代工領域有口皆碑，始終以深厚的技術底蘊和卓越的性能品質深受客戶認可，會上被授予“新能源汽車功率半導體十佳企業”。
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華虹宏力 IGBT
英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。英飛凌將在2號館的F 01展臺，展示涵蓋整個電能供應鏈的領先產品和全套系統及應用解決方案。此外，英飛凌的技術專家還將就產品和應用發表多篇論文，并在同期的國際研討會上進行交流。 從前沿的硅基 MOSFET 和 IGBT 到數字化功率創新，以及最新的碳化硅和氮化鎵技術，英飛凌芯片對于提高發電、輸電和用電效率起著至關重要的作用。此次，英飛凌將圍繞“賦能世
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英飛凌 IGBT
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