high-na 文章最新資訊

半導(dǎo)體巨頭對(duì)high-NA EUV態(tài)度分化

據(jù)外媒報(bào)道，近期，一位匿名英特爾高層提出一種頗具爭(zhēng)議的觀點(diǎn)：未來(lái)晶體管設(shè)計(jì)，例如GAAFET和CFET架構(gòu)，可能會(huì)降低芯片制造對(duì)先進(jìn)光刻設(shè)備的依賴(lài)，尤其是對(duì)EUV光刻機(jī)的需求。這一觀點(diǎn)無(wú)疑對(duì)當(dāng)前芯片制造技術(shù)的核心模式提出了挑戰(zhàn)。目前，ASML的極紫外光（EUV）及高數(shù)值孔徑（high-NA）EUV光刻機(jī)在先進(jìn)制程中扮演關(guān)鍵角色，通過(guò)曝光步驟將電路設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)印至晶圓，隨后通過(guò)沉積和蝕刻工藝形成晶體管結(jié)構(gòu)。然而，該英特爾高層認(rèn)為，隨著GAAFET和CFET等3D晶體管結(jié)構(gòu)的發(fā)展，芯片制造將更依賴(lài)蝕刻技術(shù)，而非單純
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 high-NA EUV

ASML研發(fā)5納米分辨率Hyper NA光刻機(jī)

據(jù)外媒報(bào)道，ASML正與蔡司（Carl Zeiss）合作，啟動(dòng)研發(fā)分辨率可達(dá)5納米的Hyper NA光刻機(jī)設(shè)備。ASML技術(shù)執(zhí)行副總裁Jos Benschop表示，這種新型光刻機(jī)將滿(mǎn)足2035年及之后的芯片制造需求。目前，ASML剛剛開(kāi)始出貨最先進(jìn)的光刻機(jī)，其單次曝光分辨率可達(dá)8納米，相比舊款設(shè)備需要多次曝光才能實(shí)現(xiàn)類(lèi)似效果。Benschop還提到，ASML正與蔡司進(jìn)行設(shè)計(jì)研究，目標(biāo)是開(kāi)發(fā)數(shù)值孔徑（NA）達(dá)到0.7或更高的系統(tǒng)。數(shù)值孔徑是衡量光學(xué)系統(tǒng)聚焦能力的重要指標(biāo)，直接影響光刻分辨率。NA越高，光波長(zhǎng)
關(guān)鍵字： ASML 5納米 Hyper NA 光刻機(jī)

臺(tái)積電仍在評(píng)估ASML的“High-NA”，因?yàn)橛⑻貭栁磥?lái)會(huì)使用

全球最大的合同芯片制造商臺(tái)積電制造股份有限公司（2330.TW）仍在評(píng)估何時(shí)將 ASML 的尖端高數(shù)值孔徑（NA）機(jī)器用于其未來(lái)的工藝節(jié)點(diǎn)，一位高管周二表示。芯片制造商正在權(quán)衡這些價(jià)值近 4 億美元的機(jī)器的速度和精度優(yōu)勢(shì)何時(shí)會(huì)超過(guò)芯片制造廠中最昂貴的設(shè)備幾乎翻倍的價(jià)格標(biāo)簽。當(dāng)被問(wèn)及臺(tái)積電是否計(jì)劃將這臺(tái)機(jī)器用于其即將推出的 A14 和未來(lái)節(jié)點(diǎn)的增強(qiáng)版本時(shí)，Kevin Zhang 表示，該公司尚未找到令人信服的理由?！癆14，我所說(shuō)的增強(qiáng)，在不使用 High-NA 的情況下非?？捎^。因此，我們的技術(shù)團(tuán)
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 ASML “High-NA”

三星已組建專(zhuān)注于1nm芯片開(kāi)發(fā)的團(tuán)隊(duì) 量產(chǎn)目標(biāo)定于2029年

2nm GAA 工藝進(jìn)展被傳順利，但三星的目標(biāo)是通過(guò)推出自己的 1nm 工藝來(lái)突破芯片開(kāi)發(fā)的技術(shù)限制。一份新報(bào)告指出，該公司已經(jīng)成立了一個(gè)團(tuán)隊(duì)來(lái)啟動(dòng)這一工藝。然而，由于量產(chǎn)目標(biāo)定于 2029 年，我們可能還需要一段時(shí)間才能看到這種光刻技術(shù)的應(yīng)用。1nm 晶圓的開(kāi)發(fā)需要“高 NA EUV 曝光設(shè)備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購(gòu)這些機(jī)器。另一方面，臺(tái)積電也正在推出 2 納米以下芯片，據(jù)報(bào)道，這家臺(tái)灣半導(dǎo)體巨頭已于 4 月初開(kāi)始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA 技術(shù)的試產(chǎn)過(guò)程中
關(guān)鍵字：三星 1nm 芯片臺(tái)積電 NA EUV

英特爾：ASML首批兩臺(tái)High-NA EUV設(shè)備已投產(chǎn)

據(jù)路透社報(bào)道，半導(dǎo)體大廠英特爾近日表示，半導(dǎo)體設(shè)備大廠阿斯麥（ASML）的首批兩臺(tái)尖端高數(shù)值孔徑（High NA）光刻機(jī)已在其工廠正式投入生產(chǎn)，且早期數(shù)據(jù)顯示，這些設(shè)備的性能比之前的機(jī)型更可靠。報(bào)道稱(chēng)，英特爾資深首席工程師Steve Carson在加利福尼亞州圣何塞舉行的一次會(huì)議上指出，英特爾已經(jīng)利用ASML高數(shù)值孔徑光刻機(jī)在一個(gè)季度內(nèi)生產(chǎn)了3萬(wàn)片晶圓，這些晶圓是足以生產(chǎn)數(shù)千個(gè)計(jì)算芯片的大型硅片。2024年，英特爾成為全球第一家接收這些先進(jìn)設(shè)備的芯片制造商，與之前的ASML設(shè)備相比，這些機(jī)器可望制造出更小
關(guān)鍵字：英特爾 ASML High-NA EUV

英特爾兩臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)已投產(chǎn)，單季完成3萬(wàn)片晶圓

據(jù)路透社2月24日?qǐng)?bào)道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國(guó)在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場(chǎng)會(huì)議上表示，英特爾已經(jīng)安裝的兩臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)正在其晶圓廠生產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)表明它們的可靠性大約是上一代光刻機(jī)的兩倍。Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻機(jī)能以更少曝光次數(shù)完成與早期設(shè)備相同的工作，從而節(jié)省時(shí)間和成本。英特爾工廠的早期結(jié)果顯示，High NA EUV 機(jī)器只需要一次曝光和“個(gè)位數(shù)”的處理步驟，即可完成早期機(jī)器需要三次曝光和約40個(gè)處
關(guān)鍵字：英特爾 High NA EUV 光刻機(jī) 晶圓

英特爾：首批兩臺(tái)High-NA EUV 設(shè)備已投產(chǎn)

英特爾24日表示，ASML首批的兩臺(tái)先進(jìn)曝光機(jī)已投產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)顯示比之前機(jī)型更可靠。英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數(shù)值孔徑（High NA）曝光機(jī)一季內(nèi)生產(chǎn) 3 萬(wàn)片晶圓，即生產(chǎn)數(shù)千顆運(yùn)算芯片的大型硅片。英特爾去年成為全球第一間接收這些設(shè)備的芯片制造商，與之前ASML設(shè)備相比，這些機(jī)器可望制造出更小、更快的運(yùn)算芯片。此舉是英特爾策略轉(zhuǎn)變，因英特爾采用上代極紫外光（EUV）曝光機(jī)時(shí)落后競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。英特爾花了七年才將之前機(jī)器全面投產(chǎn)，導(dǎo)致領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)被臺(tái)積電超越。生產(chǎn)
關(guān)鍵字：英特爾 High-NA EUV

移遠(yuǎn)通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過(guò)北美兩大重要運(yùn)營(yíng)商認(rèn)證

近日，全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)整體解決方案供應(yīng)商移遠(yuǎn)通信宣布，其旗下符合3GPP R17標(biāo)準(zhǔn)的新一代5G-A模組RG650V-NA成功通過(guò)了北美兩家重要運(yùn)營(yíng)商認(rèn)證。憑借高速度、大容量、低延遲、高可靠等優(yōu)勢(shì)，該模組可滿(mǎn)足CPE、家庭/企業(yè)網(wǎng)關(guān)、移動(dòng)熱點(diǎn)、高清視頻直播等FWA應(yīng)用對(duì)高速、穩(wěn)定5G網(wǎng)絡(luò)的需求。移遠(yuǎn)通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過(guò)北美兩大重要運(yùn)營(yíng)商認(rèn)證此前，RG650V系列已通過(guò)了北美FCC、PTCRB以及GCF全球認(rèn)證，此次再獲北美兩項(xiàng)認(rèn)證，表明該模組已全面取得北美運(yùn)營(yíng)商的認(rèn)可，標(biāo)志著搭
關(guān)鍵字：移遠(yuǎn)通信 5G-A模組 RG650V-NA

imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)

比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費(fèi)爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗(yàn)室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī)，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機(jī)通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）專(zhuān)用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計(jì)劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過(guò)這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
關(guān)鍵字： imec High-NA EUV DRAM

價(jià)值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)

8月6日消息，在近日的財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺(tái)價(jià)值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機(jī)）。High NA EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一，其分辨率達(dá)到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實(shí)現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入Intel位于美國(guó)俄勒岡州的晶圓廠，預(yù)計(jì)將支持公司新一代更強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺(tái)High NA EUV光刻
關(guān)鍵字： Intel High NA EUV 光刻機(jī) 晶圓 8納米

ASML第二臺(tái)High-NA設(shè)備，即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠

英特爾正接收ASML第二臺(tái)耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議紀(jì)錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開(kāi)始接收第一臺(tái)大型設(shè)備，安裝時(shí)間需要數(shù)月，預(yù)計(jì)可帶來(lái)新一代更強(qiáng)大的電腦英文。Gelsinger在電話(huà)中指出，第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財(cái)報(bào)會(huì)議后股價(jià)表現(xiàn)不佳，因此這番話(huà)并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開(kāi)始出貨第二臺(tái)High NA設(shè)備給一位未具名客戶(hù)，今年只記錄第一臺(tái)的收入。不過(guò)
關(guān)鍵字： ASML High-NA 英特爾光刻機(jī)

ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機(jī)定價(jià)翻倍，讓臺(tái)積電、三星和英特爾猶豫不決

ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，業(yè)界準(zhǔn)備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過(guò)ASML已經(jīng)開(kāi)始對(duì)下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案，計(jì)劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機(jī)。據(jù)Trendforce報(bào)道，Hyper-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格預(yù)計(jì)達(dá)到驚人的7.24億美元，甚至可能會(huì)更高。目前每臺(tái)EUV光刻機(jī)的價(jià)格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格大概為3.8億美元，是EUV光刻機(jī)的兩倍多
關(guān)鍵字： ASML Hyper-NA EUV 光刻機(jī) 臺(tái)積電三星英特爾

臺(tái)積電CEO秘訪ASML，High-NA EUV光刻機(jī)競(jìng)賽提前打響？

5月26日，臺(tái)積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺(tái)北站”的活動(dòng)，臺(tái)積電CEO魏哲家罕見(jiàn)的沒(méi)有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問(wèn)位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國(guó)迪琴根的工業(yè)激光專(zhuān)業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設(shè)備供應(yīng)商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過(guò)社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品，包括High-NA EUV設(shè)備將如何實(shí)現(xiàn)未來(lái)
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 ASML High-NA EUV 光刻機(jī)

High-NA EUV光刻機(jī)或?qū)⒊蔀橛⑻貭柕霓D(zhuǎn)機(jī)

上個(gè)月英特爾晶圓代工宣布完成了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)組裝工作。隨后開(kāi)始在Fab D1X進(jìn)行校準(zhǔn)步驟，為未來(lái)工藝路線圖的生產(chǎn)做好準(zhǔn)備。
關(guān)鍵字： High-NA EUV 光刻機(jī) 英特爾芯片半導(dǎo)體

High-NA EUV光刻機(jī)入場(chǎng)，究竟有多強(qiáng)？

光刻機(jī)一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)熱門(mén)話(huà)題。從早期的深紫外光刻機(jī)（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)；再到后來(lái)的極紫外光刻機(jī)（EUV）以其獨(dú)特的極紫外光源和更短的波長(zhǎng)，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(jī)（High-NA）正式登上歷史舞臺(tái)，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個(gè) TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個(gè)由 ASM 與 imec 合作開(kāi)發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
關(guān)鍵字： High-NA EUV