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ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術
- 3 月 27 日消息，據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術，運行效率得以提升。根據IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實現 195 片晶圓的每小時吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術 High-NA（高數值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會導致影響晶圓吞吐量的光損失。
- 關鍵字： ASM NXE:3800E EUV 光刻機 High-NA
英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機？
- HIGH NA 無疑是打贏下一場比賽的重要籌碼。
- 關鍵字： 英特爾 ASML HIGH NA光刻機
英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？
- 英特爾（intel）近日宣布，已經接收市場首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節點。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。業界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時觀望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術，以確保產品競爭力。Hig
- 關鍵字： 英特爾 High-NA EUV 臺積電
SK海力士引領High-k/Metal Gate工藝變革
- 由于傳統微縮(scaling)技術系統的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實現了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰: 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數據的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數據的核心晶體管(Core Tr
- 關鍵字： SK海力士 High-k Metal Gate
Derive simple high-current source from lab sup
- Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
- 關鍵字： high-current Derive simple source
半導體設備業研發經費拮據 聯盟關系將成救星
- 市場研究機構Gartner警告，半導體設備產業的研發預算恐怕在接下來的五年內大幅削減80億美元，使該產業領域陷入危機。不過該機構資深分析師Dean Freeman也表示，研發聯盟的興起將成為救星。 缺乏適當的投資將導致技術藍圖延遲，而且公司恐怕無法做好迎接未來挑戰的準備;在目前營收低迷的情況下，半導體設備業正面臨著如此的危機點。不過Freeman卻認為，在這一輪不景氣中最大的不同，就是在過去十年來有不少產業聯盟的建立，而這些結盟關系在某些程度上減輕了業者因營收減少對研發所帶來的沖擊。 Fr
- 關鍵字： 半導體設備 通孔硅 high-k金屬閘極
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