ASML研發5納米分辨率Hyper NA光刻機

據外媒報道，ASML正與蔡司（Carl Zeiss）合作，啟動研發分辨率可達5納米的Hyper NA光刻機設備。ASML技術執行副總裁Jos Benschop表示，這種新型光刻機將滿足2035年及之后的芯片制造需求。
目前，ASML剛剛開始出貨最先進的光刻機，其單次曝光分辨率可達8納米，相比舊款設備需要多次曝光才能實現類似效果。
Benschop還提到，ASML正與蔡司進行設計研究，目標是開發數值孔徑（NA）達到0.7或更高的系統。數值孔徑是衡量光學系統聚焦能力的重要指標，直接影響光刻分辨率。NA越高，光波長越短，投影精度也越高。目前主流EUV設備的NA為0.33，而最新一代High NA EUV設備已提升至0.55。ASML正邁向NA 0.7或更高的Hyper NA階段，這需要重新設計多個關鍵系統。
據悉，ASML已向英特爾和臺積電交付了首批High NA EUV設備。Benschop指出，這類設備的大規模應用仍需時日。客戶需要驗證新系統的性能，并開發配套材料與工具，這一過程通常需要數年時間。他補充道：“客戶需要適應新設備的操作方式，但我相信它很快會被廣泛用于高產能芯片制造。”