- ASML近日發布2019年第3季財報。根據財報顯示，ASML在2019年第3季銷售凈額（net sales）為30億歐元，凈收入（net income）為6.27億歐元，毛利率（gross margin）43.7%。
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ASML EUV 營運
- 掌握全球唯一EUV光刻機研發、生產的荷蘭ASML（阿斯麥）公司今天發布了2019年Q2季度財報，當季營收25.68億歐元，其中凈設備銷售額18.51億歐元，總計出貨了41臺光刻機，其中EUV光刻機7臺。
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阿斯麥 極紫外光刻 EUV
- 韓國業界傳出消息，指三星電子(Samsung Electronics)獲高通(Qualcomm)新一代應用處理器(AP)Snapdragon 865(暫稱)晶圓代工訂單。2018年臺積電(TSMC)搶走高通AP晶圓代工訂單，如今再度回到三星手上，可望挹注三星晶圓代工事業部不少業績。
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高通 三星電子 NVIDIA 臺積電 EUV Snapdragon Exynos處理器
- IT之家5月26日消息 據《數字時報》報道，臺積電首席執行官表示，該公司7nm+ EUV已開始批量生產。這是臺積電第一次、也是行業第一次量產EUV極紫外光刻技術。
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臺積電 7nm+ EUV
- 在芯片代工領域，臺積電和三星是實力最強勁的兩大巨頭。不過，最近幾年，臺積電的實力要更勝一籌，通過7nm工藝，臺積電拿到了蘋果、高通、AMD、比特大陸等多家的大訂單。而三星自家最新的Exynos 9820處理器，采用的則還是8nm工藝。今天，三星在官網上帶來了一個新消息，5nm EUV成功開發完成。這對三星而言，算是一個里程碑式的成就。三星表示，與7nm相比，5nm FinFET工藝功耗降低了20％，性能提高了10％。需要說明的是，三星的7nm工藝去年10月開始宣布并初步生產，今年年初實現量產。最近三星曝光
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三星 EUV 5nm
- 在經歷了二十多年的研發之后，芯片制造商在一項能夠大幅度提升硅片上晶體管密度的技術上壓下了重注，那就是EUV光刻。他們能夠取得成功，日本東京郊區的一家名為Lasertec小公司功不可沒。
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EUV Lasertec
- 隨著晶片功能愈趨強大，在半導體制程愈趨復雜的情況下，摩爾定律的推進已經放緩，以臺積電、三星、英特爾等三大半導體廠目前采用的浸潤式(immersion)微影及多重曝影(multi-patterning)技術來說，若要維持摩爾定律的制程推進速度，晶片成本會呈現等比級數般飆升。也因此，能夠明顯減少晶片光罩層數的極紫外光(EUV)微影技術，將可為摩爾定律延命。
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EUV 摩爾定律
- 來自產業鏈的最新消息稱，臺積電將包攬ASML今年的30臺EUV光刻機中的18臺，加上之前采購的幾臺，臺積電有望在今年3月份啟動7nm EUV的量產，推動7nm在其2019年晶圓銷售中的占比從去年的9%提升到25%。
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臺積電 7nm EUV
- 如何向芯片設計企業推薦最合適的工藝，芯片設計企業應該怎么權衡?不久前，在珠海舉行的“2018中國集成電路設計業年會(ICCAD)”期間，芯原微電子、Cadence南京子公司南京凱鼎電子科技有限公司、UMC(和艦)公司分別介紹了他們的看法。
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芯片 EUV
- 荷蘭光刻機霸主阿斯麥(ASML)公司公布了2018年第四季度及全年業績報告，而在當天的聲明中，公司CEO彼得·維尼克(Peter Wennink)特別指出，中國對其產品的需求強勁，繼續看好對中國的出口。
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ASML EUV
- 12月中旬英特爾宣布擴建美國俄勒岡州以及以色列、愛爾蘭的晶圓廠產能。英特爾這次的產能擴張計劃有對應14nm的，但是并不是應急用的，也有面向未來工藝的，其中俄勒岡州的D1X晶圓廠第三期工程就是其中之一，未來英特爾的7nm
EUV處理器會在這里生產。 2018年下半年英特爾忽然出現了14nm產能不足的危機，這件事已經影響了CPU、主板甚至整個PC行業的增長，官方也承認了14nm產能供應短缺，并表示已經增加了額外的15億美元支出擴建產能。12月中旬英特爾宣布擴建美國俄勒岡州以及以色列、愛爾蘭的晶圓廠產
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英特爾 晶圓 EUV
- 荷蘭當地時間1月23日，ASML發布了去(2018)年第四季度及全年的業績報告。 報告指出，去年第四季度凈銷售額為31億歐元，凈收入為7.88億歐元，毛利率為44.3%。 具體來看，ASML指出，DUV光刻業務中，存儲客戶的需求使得TWINSCAN
NXT:2000i保持著持續增長。同時ASML也提高了該產品的可靠性，據了解，上一代產品需要六個月才能達到高可靠性，而該產品僅用了兩個月。 去年全年，ASML凈銷售額為109億歐元，凈收入為26億歐元。 值得注意的是，ASML已與尼康簽署了諒解
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EUV ASML
- 用于高端邏輯半導體量產的EUV(Extreme
Ultra-Violet，極紫外線光刻)曝光技術的未來藍圖逐漸“步入”我們的視野，從7nm階段的技術節點到今年(2019年，也是從今年開始)，每2年~3年一個階段向新的技術節點發展。 高端邏輯半導體的技術節點和對應的EUV曝光技術的藍圖。 也就是說，在EUV曝光技術的開發比較順利的情況下，5nm的量產日程時間會大約在2021年，3nm的量產時間大約在2023年。關于更先進的2nm的技術節點，還處于模糊階段，據預測，其量產時間最快也是在2026
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ASML EUV
- 日前，有消息稱，比利時研究機構Imec和微影設備制造商ASML計劃成立一座聯合研究實驗室，共同探索在后3nm邏輯節點的奈米級元件制造藍圖。此次雙方這項合作是一項為期五年計劃的一部份，分為兩個階段： 首先是開發并加速極紫外光(EUV)微影技術導入量產，包括最新的EUV設備準備就緒。 其次將共同探索下一代高數值孔徑(NA)的EUV微影技術潛力，以便能夠制造出更小型的奈米級元件，從而推動3nm以后的半導體微縮。 極紫外光(EUV)微影技術 EUV光刻也叫極紫外光刻，它以波長為10-14 nm的極紫外
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