泛林集團在提高EUV光刻分辨率、生產率和良率取得技術突破

泛林集團與阿斯麥 (ASML) 和比利時微電子研究中心 (imec) 共同研發的全新干膜光刻膠技術將有助于提高EUV光刻的分辨率、生產率和良率。

2月27日，泛林集團發布了一項用于EUV光刻圖形化的干膜光刻膠技術。泛林集團研發的這項全新的干膜光刻膠技術，結合了泛林集團在沉積、刻蝕工藝上的領導地位及其與阿斯麥 (ASML) 和比利時微電子研究中心 (imec) 戰略合作的成果，它將有助于提高EUV光刻的分辨率、生產率和良率。泛林集團的干膜光刻膠解決方案提供了顯著的EUV光敏性和分辨率優勢，從而優化了單次EUV光刻晶圓的總成本。

由于領先的芯片制造商已開始將EUV光刻系統應用于大規模量產，進一步提升生產率和分辨率將幫助他們以更合理的成本抵達未來的工藝節點。泛林集團全新的干膜光刻膠應用和顯影技術可以實現更低的劑量和更高的分辨率，從而增加生產率并擴大曝光工藝窗口。此外，通過將原材料的用量降低至原來的五分之一到十分之一，泛林集團的干膜光刻膠技術不僅為客戶大幅節省了運營成本，同時還為環境、社會和公司治理提供了一種更加可持續的解決方案。

“經過阿斯麥及其合作伙伴20余年的持續研發，EUV目前已應用于芯片的大規模量產，”阿斯麥總裁兼首席執行官Peter Wennink表示，“通過和泛林集團、比利時微電子研究中心的密切合作，我們致力于讓這項技術日趨成熟并得以擴展。這項在干膜光刻膠技術上的戰略合作支持芯片制造商用更低的成本實現更高性能芯片的創新，釋放技術的潛能以造福社會。”

“這一技術突破是協作創新的完美典范，也充分展現了泛林集團與阿斯麥、比利時微電子研究中心極具價值的合作如何持續為客戶及行業創造新的效益，”泛林集團總裁兼首席執行官Tim Archer表示，“泛林集團一直在沉積和刻蝕工藝上處于領先地位，這一新機會使我們得以將圖形化解決方案直接擴展至光敏光刻材料，這令人非常激動。這種新能力展現了泛林集團全面的圖形化策略，率先通過多重圖形化解決方案推動行業實現器件的小型化，現在則可以通過提升EUV光刻的生產率和性能來推動這一目標。”

泛林集團正與多家芯片制造商通力合作，以解決這項干膜光刻膠技術應用于EUV光刻上的關鍵挑戰。這一全新的干膜光刻膠技術使高級邏輯和存儲設備得以繼續小型化。

“優化圖形工藝需要各種各樣的技術，比利時微電子研究中心和幾家重要的業內伙伴多年來一直保持緊密合作，在圖形化工藝的開發上處于領先地位，”比利時微電子研究中心總裁兼首席執行官Luc Van den hove談到，“干膜光刻膠將會成為推動EUV光刻進一步應用以及技術路線圖加速發展的關鍵技術。我們和泛林集團、阿斯麥共同合作，旨在優化干膜光刻膠技術以實現其最佳性能。”