IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負6次方/800*10的負12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時間林約是9MS，頻率為111HZ。實際上必須加上上升時間，所以振蕩頻率大約為100HZ。 因為C1的微調很困難，所以允許A2的正
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一、設計及制作
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IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。
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EUV 晶圓
美國麻省理工學院(MIT)的研究人員日前發表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結果，這一進展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術展開競爭提供了動力。盡管EUV光刻技術目前在商業化方面領先一步，有可能在22納米以下的工藝生產中取代目前使用的浸末式光刻技術，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強光源和光掩膜保護膜等，而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。
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GlobalFoundries公司的光刻技術專家Obert Wood在最近召開的高級半導體制造技術會議ASMC2011上表示，盡管業界在改善EUV光刻機用光源技術方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術成熟過程中最“忐忑”的因素。
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英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節點，此一計劃預計在2013下半年實現。同時，這家芯片業巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產。
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英特爾 EUV
當半導體業準備進入14/15nm節點時，將面臨眾多的技術挑戰
對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現。按IBM技術經理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因為隨著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個挑戰。
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目前次世代微影技術發展仍尚未有主流出現，而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術最快于2014年可望進入量產，而應用存儲器制程又將早于邏輯制程，他也指出，無光罩多重電子束恐怕來不及進入量產。
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微影技術 EUV
Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
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繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日于SEMICON West展會中宣布，投入EUV微影技術，預計于2012年下半將機臺導入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產。
由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機臺與雙重曝光(double-patterning)技術，讓微影技術得以發展至2x奈米，不過浸潤式微影機臺采用的是 193nm波長的光源，走到22奈米已
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臺積電 EUV 晶圓代工
一、設計及制作
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英特爾的先進光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補者,并聲稱11納米可能發生在2015年。
Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。
在Nikon的年會上許多其它的專家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機設計部總經理Masato Hamatani認為,當EUV達到所有的預定目標時,進入量產
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相比于2009年今年全球半導體業的態勢好了許多，但是仍有少部分人提出質疑，2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎?
在今年1月由SEMI主辦的工業策略年會上(ISS)，有些演講者表示一些擔憂，認為雖然半導體業正在復蘇的路上，但是制造商們仍缺少激情，不肯繼續大幅的投資，以及不太愿意重新擴大招慕員工。
恐怕更大的擔心來自全球半導體業間的兼并與重組到來，以及產業能否支持得起22納米及以下技術的進步。
IBS的CEO Handle Jones認為，雖然工業正在復蘇，但是在半導體業運營中仍面臨成
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TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設備，是全球六個取得這項設備的客戶伙伴之一。
這項設備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(GigaFab™)-臺積十二廠，用以發展新世代的工藝技術。TSMC也將成為全球第一個可以在自身晶圓廠發展超紫外光微影技術的專業集成電路制造服務業者。
相較于現行浸潤式微影技術以193納米波長當作光源，超
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臺積電 EUV 微影設備 ASML
半導體技術市場權威分析公司IC Insights近日發布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術以及極紫外光刻技術(EUV)投入實用的時間點將再度后延。
據IC Insights預計，基于450mm技術的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開始實用化建設--比預期的時間點后延了兩年左右。另外，預計16nm級別制程技術中也不會應用EUV光刻技術，這項技術會被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實用。
另外一項較新的半導體制造技術，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(TS
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