1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導體領域的全球領先企業，致力于設計和制造用于新世代電力系統的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開發階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利，氮化鎵器件為單一業務。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業模式運營的上市公司，這意味著在器件開發的每個關鍵階段，我們均能做到自主可控和創新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應晶體管芯片。
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202310 SuperGaN 氮化鎵 GaN Transphorm
1? ?SiC和GaN應用及優勢我們對汽車、工業、數據中心和可再生能源等廣泛市場中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動汽車，以提高效率、續航里程和整車性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率。●? ?數據中心：SiC 和GaN 可用于數據中心電源，以提高效率并降低運營成本。●? ?可再生能
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202310 SiC GaN 安世半導體
1 SiC和GaN的優勢相比傳統MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅動損耗和更高的開關速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉換器、大功率太陽能發電站和大型三相電網變流器等應用。SiC 進入市場的時間略長，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導通電阻。
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202310 納芯微 SiC GaN
1 SiC、GaN相比傳統方案的優勢雖然硅功率器件目前占據主導地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級應用。最為重要的一點，SiC 的擊穿場是硅的10 倍。由于這種性質，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開關器件。此外，SiC 的導熱系數大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
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202310 東芝 SiC GaN
ST（ 意法半導體） 關注電動汽車、充電基礎設施、可再生能源和工業應用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應用領域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業界最低的通態電阻，可以實現能效和功率密度更高的產品設計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開關管用于開發超快速充電和高頻功率轉換應用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統變得尺寸更小，重量更輕，開關和導通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
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1 SiC的應用優勢Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質因數（FoM）和低反向恢復電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰性的應用，尤其是高壓大電流等應用場景，主驅逆變器采用SiC，可提升系統的效率，進而使得在相同的電池容量下里程數得以提升。OBC（車載充電機）采用SiC，可實現更高的能效和功率密度。隨著汽車市場向800 V 高壓系統發展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優勢將更能體現。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業群先進電源
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碳化硅（SiC）具有高擊穿場強、高熱導率、高飽和電子漂移速率等特點，可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網、軌道交通等應用需求，對我國“新基建”產業發展具有重要意義，是未來五年“中國芯”最好的突破口之一，當下我國應該集中優勢資源重點發展。
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效率和尺寸是電源設計的兩個主要考慮因素，而功率因數校正 (PFC)也在變得越來越重要。為了減少無功功率引起的電力線諧波含量和損耗，盡可能降低電源運行時對交流電源基礎設施的影響，需要使用 PFC。但要設計出小尺寸、高效率電源（包括 PFC）仍極具挑戰性。本文介紹了如何通過修改傳統 PFC 拓撲結構來更好地實現這一目標。使用整流器和升壓二極管的 PFC電源的輸入級通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級，由四個整流器二極管和一個升壓二極管組成。圖 1：橋式整流器后接單相 PFC 級圖騰柱無橋拓撲結構還有一種提高
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預計在未來五年，住宅太陽能系統的數量將大幅增長。太陽能系統能為家庭提供清潔和綠色的能源，用于為家用電器供電，為電動汽車充電，甚至將多余的電力輸送至電網。有了太陽能系統，即使發生電網故障，也不用擔心。本篇博客介紹了住宅太陽能系統的主要組成部分，并建議采用安森美 (onsemi) 的電源方案方案來提高太陽能系統的效率、可靠性和成本優勢。住宅太陽能逆變器系統概述住宅太陽能逆變器系統中包括了產生可變直流電壓的光伏面板陣列。升壓轉換器使用“最大功率點跟蹤”(MPPT) 方法（根據陽光的強度和方向優化能量采集），將可
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由創新科技及工業局和引進重點企業辦公室共同推動，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發中心，并投資開設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態圈及第三代半導體芯片產業的發展。香港特區政府創新科技及工業局去年公布的《香港創科發展藍圖》中，明確指出應加強支持具策略性的先進制造產業發展，譬如半導體芯片，促進香港「新型工業化」的發展。作為全球最大的半導體進出口市場之一，香港更是位處大
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全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都）擴大了支持電路仿真工具*1 LTspice? 的SPICE模型*2陣容。LTspice?具有電路圖捕獲和波形查看器功能，可以提前確認和驗證電路是否按設計預期工作。此前羅姆已經陸續提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經提供超過3,500 種分立產品的LTspice?模型，這些模型從各產品頁面均可下載。目前，羅姆官網上發布的產品所對應的LTspice?模型覆蓋率
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L4986簡介：L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器，采用專有的乘法器“模擬器”，除了創新型THD優化器，還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真（THD）性能。該器件引腳采用SO封裝，集成了800V
高壓啟動功能，無需使用傳統的放電電阻。可以支持的功率范圍從一兩百瓦到幾千瓦。 ST 提供兩個版本：A為65 kHz，B為130
kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡介：Double-boost 是無橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋，可以顯著提
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過往產品的充電裝置多由各家廠牌使用各自的接口，導致裝置汰換時將造成許多浪費。由于USB的普及，市面大部分的產品都透過此接口傳輸數據，進而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過去即使透過USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，則電子產品需要較長的時間來充電。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年發表第一版USB Power Delivery規范 (USB Power Delivery Specifi
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無論是在太空還是在地面，這些基于 GaN 的晶體管都比硅具有新的優勢。
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GaN 晶體管
全球氮化鎵功率半導體領導廠商GaN Systems?今推出全新第四代氮化鎵平臺?(Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著的性能表現優化及業界領先的質量因子?(figures of merit)。以GaN Systems 在?2022 年發表的?3.2kW 人工智能(AI) 服務器電源供應器來看，改采用最新第四代平臺，不僅效率超過鈦金級能效標準，功率密度更從?100W/in3提升至&nbs
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GaN Systems 氮化鎵
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