ST在SiC和GaN的發展簡況

ST（ 意法半導體） 關注電動汽車、充電基礎設施、可再生能源和工業應用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應用領域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業界最低的通態電阻，可以實現能效和功率密度更高的產品設計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開關管用于開發超快速充電和高頻功率轉換應用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統變得尺寸更小，重量更輕，開關和導通損耗更低，從而提高能效。

Gianfranco DI MARCO(意法半導體汽車和分立器件產品部(ADG)功率晶體管事業部市場溝通經理)

1 面臨的技術挑戰

在制造方面，充分發揮寬帶隙半導體的潛力面臨接二連三的挑戰，其中包括提高晶圓良率，降低缺陷率和成本，以及通過嚴格的測試驗證芯片的長期可靠性。設計人員必須仔細評估寄生參數和熱特性，同時增加有關SiC 和GaN 的性能細微差別的經驗。OEM（原廠）需要魯棒性很高的柵極驅動器和適合高速開關的控制器。為應對這些挑戰，我們與客戶和合作伙伴密切合作，完善改進技術，直面實際設計過程中的系統級挑戰。

2 ST的解決方案

ST 深耕SiC 研發已經有25 年的歷史，擁有尖端技術和大批量制造能力。嚴格的質量控制成就高度可靠的設備，ST 的市場領先地位是最有力的證明。ST 與汽車和工業市場的知名企業合作，為其提供參考設計和應用支持，以簡化SiC 和GaN 解決方案的應用。ST 還與GaN 代工合作伙伴密切合作，加快GaN 器件上市銷售，并確保供貨，同時在公司內部推進下一代技術研發。通過這種雙管齊下的方法，ST 為市場提供高性能功率芯片，加快功率器件向更寬禁帶半導體的轉化。

（本文來源于EEPW 2023年10月期）