在工業、汽車和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件，比如 SiC，對提高能效至關重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發展，從而實現更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術的公司而言，建立穩健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業系統（如電動汽車充電基礎設施）和可再生能源系統（如太陽能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續的挑戰，必須在不增加太陽
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安森美 SiC
在工業、汽車和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件，比如 SiC，對提高能效至關重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發展，從而實現更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術的公司而言，建立穩健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業系統（如電動汽車充電基礎設施）和可再生能源系統（如太陽能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續的挑戰，必須在不增加太陽
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碳化硅 SiC
近日，意法半導體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動汽車設計電驅逆變器平臺。為了充分發揮意法半導體SiC MOSFET 芯片的優勢，意法半導體和博格華納技術團隊密切合作，力爭讓意法半導體的芯片與博格華納的Viper功率開關匹配，最大限度提高逆變器性能，縮小電驅架構尺寸并提升經濟效益。意法半導體汽車和分立器件產品部（ADG）總裁Marco Monti表示，意法半導體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車輛性能
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STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數字電源解決方案。電路設計包括前端無橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構。前級圖騰柱PFC提供功率因數校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉換器提供安全隔離和穩定的輸出電壓。該參考設計為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時，測量峰值效率為96.3%
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ST 第三代半導體 SIC GNA 圖騰柱PFC 無橋PFC 全橋LLC 數字電源
●? ?意法半導體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實現電動化目標●? ?博格華納將采用意法半導體碳化硅芯片為沃爾沃現有和未來的多款純電動汽車設計電驅逆變器平臺服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)將與提供創新和可持續移動解決方案的全球領導者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼：BWA)合作，為博格華納專有的基于 Viper 功率模塊
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據日經中文網，日本最大的半導體晶圓企業信越化學工業和從事ATM及通信設備的OKI開發出了以低成本制造使用氮化鎵(GaN)的功率半導體材料的技術。制造成本可以降至傳統制法的十分之一以下。如果能夠量產，用于快速充電器等用途廣泛，有利于普及。功率半導體裝入充電器、小型家電以及連接純電動汽車(EV)馬達與電池的控制裝置，用于控制電力等。如果使用GaN，可以控制大量的電力。根據TrendForce集邦咨詢研究報告顯示，全球GaN功率元件市場規模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率
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_____減少碳排放的迫切需求推動了對電氣技術的投資，特別是數據中心和電動汽車領域。根據彭博社最新的電動汽車展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實現電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續性的未來方面的重要意義。越來越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開關模式電源和電機驅動器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來的，包括比硅器件更快
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在科技領域中，碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星，逐漸嶄露頭角。隨著移動互聯網、人工智能和物聯網等領域的迅速發展，芯片技術也不斷突破創新。而在這股技術浪潮中，碳化硅芯片憑借其獨特的優勢正愈發引起人們的矚目。伴隨著阿斯麥這位傳統芯片巨頭的重磅投資，人們開始紛紛關注，碳化硅芯片是否即將主宰市場？更高的溫度耐受性碳化硅芯片，作為一種新興的半導體材料，因其出色的性能和優異的耐受性而備受關注。其中，其更高的溫度耐受性是其最大的優勢之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結構決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體，
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出業界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產品于今日開始支持批量出貨。類似上述的工業應用通常使用DC?1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產品。然而，預計未來幾年內DC?1500V將得到廣泛應用，因此東芝發布了業界首款
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東芝 2200V 雙碳化硅 SiC MOSFET模塊
幾乎所有現代工業系統都會用到 AC/DC 電源，它從交流電網中獲取電能，并將其轉化為調節良好的直流電壓傳輸到電氣設備。隨著全球范圍內功耗的增加，AC/DC 電源轉換過程中的相關能源損耗成為電源設計人員整體能源成本計算的重要一環，對于電信和服務器等“耗電大戶”領域的設計人員來說更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個 100MW 數據
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TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開發的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統參考設計，該參考設計為 OEM 和設計工程師創建高性能、高效率的牽引逆變器系統并更快地將其推向市場提供了基礎。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統技術（包括用于驅動 Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實時可變柵極驅動強度的高性能隔離式柵極驅動器）如何通過降低電壓過沖來提高系統效率。隔離式柵極驅動器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
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SiC 牽引逆變器
隨著設備變得越來越小，電源也需要跟上步伐。因此，當今的設計人員有一個優先目標：化單位體積的功率（W/mm 3）。實現這一目標的一種方法是使用高性能電源開關。盡管需要進一步的研發計劃來提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進行設計需要在設計過程中進行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經為新型電力電子產品鋪平了道路階段。使用 SiC 柵極驅動器可以減少 30% 的能量損耗，同時限度地延長系統正常運行時間。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅
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“能夠優先掌握SiC這種領先技術的國家，將能夠改變游戲規則，擁有SiC將對美國具有深遠的影響。” Alan Mantooth 接受媒體采訪時坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領導的工程研究人員從美國國家科學基金（NSF）獲得了1787萬美元的資助，用于在阿肯色大學開始建設一個國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學生提供SiC相關技術的培訓和教育，以達到鼓勵美國新一代在該領域發展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產線，能夠讓美國大學，企業以及政府研究人員進行長期
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SiC MOSFET 功率損耗 碳中和
【中國上海 – 2023年8月3日】氮化鎵功率半導體全球領導廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結盟，共同致力于加速并擴大氮化鎵功率半導體于電動車應用的發展。安世博能源科技為電源行業領導廠商，擁有完整電源供應器、電動車充電模塊及車載充電器產品解決方案。結合 GaN Systems 尖端的氮化鎵功率器件、在車用領域所累積的應用實績，與安世博能源科技在高功率電源系統設計及批量生產的卓越能力，此次策略合作將為中國電動車行業帶來突破性革新。氮化鎵功率半導體將在實現下世代電動車對尺寸微縮、輕
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2023年8月3日，中國 -意法半導體宣布已開始量產能夠簡化高效功率轉換系統設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統、工業電源、可再生能源發電、汽車電氣化等應用的性能。該系列先期推出的兩款產品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業級650V常關G-HEMT? 晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導通電阻(RDS(on))分別為7
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