“現在的新車，只要能用碳化硅的地方，便不會再用傳統功率器件”。功率半導體大廠意法半導體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當下，在全球半導體行業的逆流中，第三代半導體正閃爍著獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關于第三代半導體的爭奪劇集已經開始上演。一、三代半方興未艾產業進入高速成長期近日，科學技術部黨組成員、副部長相里斌在2023中關村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產業進入下行周
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第三代半導體 SiC GaN
牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程。因此，為了構建下一代牽引逆變器系統，業界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 來實現更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅動器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓（輸入到輸出）的電隔離，驅動逆變器每相的高邊和低邊功率模塊，并監測和保護逆變器免受各種故障的影響。根據汽車安全完整性等級 (ASIL) 功能安全要求，柵極驅
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SiC 牽引逆變器
?·?????? 緯湃科技正在鎖定價值19億美元（17.5億歐元）的碳化硅（SiC）產能·?????? 緯湃科技通過向安森美提供2.5億美元（2.3億歐元）的產能投資，獲得這一關鍵的半導體技術，以實現電氣化的強勁增長·?????? 除了產能投資外，兩家公司還將在進一步優化主驅逆變器系統方面達成合作?2023年
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緯湃 安森美 碳化硅 SiC
中國北京，2023年5月31日—— 全球領先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領域快速發展，泰克WBG-DPT解決方案能夠對寬禁帶器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自動可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉換器設計師現在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優化自己的設計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無縫集成到示波器測量系統
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泰克 示波器 雙脈沖測試 SiC GaN
加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領先同類產品。這款產品的發布展現Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統，以及已普遍用于工業、數據通信和可再生能源市場的三相電力系統。與替代技術相比，這些應用可受益于1
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Transphorm 1200伏 GaN-on-Sapphire器件 常關型 氮化鎵.三相電力系統
2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對電動汽車行業造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對電動汽車的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施，電動汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里，電動車領導品牌的銷量紛紛呈現巨幅成長的趨勢。 低成本、低排放汽車的不斷發展，將推動整個亞太地區的電動汽車市場實現穩步擴張。同時，不斷加碼的政府激勵措施和持續擴張的高性能車市場也推動著北美和歐洲地區電動汽車市場的快速增長。因此，根據MarketsandMarkets 市調數據估計，全球電動汽車市場規模將從 2
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車用 電能轉換 車電領域 IGBT SiC 功率模塊
案例聚焦新一代替代硅技術?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術的全球領導者宜普電源轉換公司（Efficient
Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）于今日向美國聯邦法院和美國國際
貿易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎專利組合中的
四項專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統稱英諾賽科）侵犯。 這些專利
涉及宜普公司獨家的增強型氮化
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宜普電源 EPC 英諾賽科 氮化鎵 GaN
“引言”近年來，為了更好地實現自然資源可持續利用，需要更多節能產品，因此，關于焊機能效的強制性規定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。?逆變焊機通常是通過功率模塊解決方案設計來實現更高輸出功率，從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機行業，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進持續發展的推動力。譬如，多
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增強互連封裝技術 SiC MOSFET單管 焊機
2023?年?5?月?19?日，中國——意法半導體高壓寬禁帶功率轉換芯片系列新增VIPerGaN100?和?VIPerGaN65兩款產品，適合最大功率100W和65W的單開關管準諧振(QR)反激式功率轉換器。這個尺寸緊湊、高集成度的產品設計的目標應用包括USB-PD充電器、家電、智能建筑控制器、照明、空調、智能表計和其他工業應用的開關式電源(SMPS)。?每個器件都集成了脈寬調制?(PWM)?控制器和650
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意法半導體 GaN 功率轉換芯片
IT之家 5 月 18 日消息，安森美半導體表示將投資 20 億美元，用于擴展現有工廠，目標在全球汽車碳化硅（SiC）芯片市場中，占據 40% 的份額。安森美半導體目前在安森美半導體美國、捷克共和國和韓國都設有工廠，其中韓國工廠已經在生產 SiC 芯片了。報道中并未提及安森美半導體具體會擴建哪家工廠，安森美半導體計劃構建完整產業鏈，實現從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導體預估到 2027 年占領全球碳化硅汽車芯片市場 40% 的份額。專家還表示到 2027 年，安森美半導體的銷售
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汽車電子 安森美 SiC
2023 年 SiC 襯底市場將持續強勁增長。
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SiC
全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產，這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統。據悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實現無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
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ROHM 650V GaN HEMT
2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發 L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優勢包括 2μA 關斷電流，集成軟啟動時間可調、內部環路補償、電源正常指示，以及過流保護、熱關斷等保護功能。擴
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意法半導體 隔離式降壓轉換器 功率轉換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅動
基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統性能、精度、扭矩和可實現更長的續航里程。宜普電源轉換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農業機械、叉車和大功率無人機等應用。EPC9186在每個開關位置使用四個并聯的EPC2302，可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關鍵功能電路
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EPC GaN FET ARMS 電機驅動器
奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化鎵產品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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Nexperia E-mode GAN FET
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