gan+sic 文章 最新資訊
SR-ZVS與GaN：讓電源開關(guān)損耗為零的魔法
- 當今，快充市場正迎來前所未有的機遇與挑戰(zhàn)。風暴仍在繼續(xù)，快充市場的迅猛發(fā)展，用戶對于充電器的功率需求也在不斷增大；移動設備的普及，用戶對于充電器體積的要求也越來越高；同時為了在激烈的市場競爭中脫穎而出，低成本是每個快充產(chǎn)品必須考慮的因素。種種這些都對快充技術(shù)的要求愈發(fā)嚴格，不僅需要高效率、高功率，還需要適應多樣化的標準和滿足用戶個性化的需求。在種種挑戰(zhàn)之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開關(guān)IC，在內(nèi)部集成750V或900V PowiGaN?初級開關(guān)、初級側(cè)控制器、FluxLink?
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意法半導體:SiC新工廠今年投產(chǎn),豐沛產(chǎn)能滿足井噴市場需求
- 回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進步？出現(xiàn)了哪些變化？2024將迎來哪些新機遇和新挑戰(zhàn)？為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來的前進方向，行家說三代半、行家極光獎聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開》專題報道。本期嘉賓是意法半導體亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部市場和應用副總裁Francesco MUGGERI（沐杰勵）。全工序SiC工廠今年投產(chǎn)第4代SiC MOS即將量產(chǎn)行家說三代半：據(jù)《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》統(tǒng)計，2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅(qū)車型又新增了40多款，預計明年部分
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臻驅(qū)科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項目
- 2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬片功率模塊、45萬片PCBA板和20萬臺電機控制器”建設項目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露，該項目建設單位為臻驅(qū)科技的全資子公司——臻驅(qū)半導體（嘉興）有限公司，臻驅(qū)半導體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)新明路南側(cè)建造廠房用于生產(chǎn)及研發(fā)等，項目建筑面積達45800m2。公開資料顯示，臻驅(qū)科技成立于2017年，是一家提供國產(chǎn)功率半導體及新能源汽車驅(qū)動解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞琛（Aachen）等地布局了多家子
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SiC生長過程及各步驟造成的缺陷
- 眾所周知，提高 SiC 晶圓質(zhì)量對制造商來說非常重要，因為它直接決定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產(chǎn)成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過渡，正在向8英寸邁進。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長，同時具有高剛性和化學穩(wěn)定性，這導致生長的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結(jié)了?SiC 生長過程及各步驟造成的缺陷
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EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動激光二極管，實現(xiàn)75~231A脈沖電流
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出三款激光驅(qū)動器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉(zhuǎn)換的GaN FET以實現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達系統(tǒng)。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅(qū)動器和通過車規(guī)級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
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Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對高功率服務器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領域擴展產(chǎn)品線
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現(xiàn)更全面的開關(guān)功能。新
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安森美：緊握第三代半導體市場，助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展
- 1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，在汽車和工業(yè)市場增長的 推動下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績都超預期。 其中，第一季度由先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎設施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%，在第 二季度汽車業(yè)務收入超 10 億美元，同比增長 35%，創(chuàng) 歷史新高，第三季度汽車和工業(yè)終端市場都實現(xiàn)創(chuàng)紀錄 收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領域在第三代半導體領域，安森美專注于 SiC，重點聚 焦于汽車、能源、電網(wǎng)基礎設施等應
- 關(guān)鍵字： 安森美 第三代半導體 碳化硅 SiC
低功耗 GaN 在常見交流/直流電源拓撲中的優(yōu)勢
- 消費者希望日常攜帶的各種電子設備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器，越來越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設備充電。在設計現(xiàn)代消費級 USB Type-C 移動充電器、PC 電源和電視電源時，面臨的挑戰(zhàn)是如何在縮小解決方案尺寸的同時保持甚至提高功率水平。德州儀器的低功耗氮化鎵 (GaN) 器件有助于在各種最流行的拓撲中解決這一問題，同時提供散熱、尺寸和集成方面的優(yōu)勢。在過去的幾十年里，隨著 GaN 等寬帶隙技術(shù)的發(fā)展，交流/直流拓撲
- 關(guān)鍵字： TI GaN 電源拓撲
瑞薩收購Transphorm,利用GaN技術(shù)擴展電源產(chǎn)品陣容
- 2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本東京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亞州戈利塔訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股，較Transphorm在2024年1月
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 Transphorm GaN
SiC 長期供貨，理想簽協(xié)議
- 意法半導體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議。
- 關(guān)鍵字： SiC
GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上
- 近期，大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上，有望應用于5G通信基站、氣象雷達、衛(wèi)星通信、微波加熱、等離子體處理等領域，該研究成果已發(fā)表在“Small”雜志上。隨著半導體技術(shù)不斷發(fā)展，功率密度和散熱等問題日益凸顯，業(yè)界試圖通過新一代材料解決上述問題。據(jù)悉，金剛石具備極強的導熱性能，氮化鎵具有寬帶隙和高導電性等特性，居于上述特性，以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。在最新研究中，大阪公立大學的科學家們成
- 關(guān)鍵字： GaN 散熱能力
使用 GaN 器件可以減小外置醫(yī)用 AC/DC 電源的體積
- 盡管電池技術(shù)和低功耗電路不斷取得進步，但對于許多應用來說，完全不依賴純電池設計可能是不可行、不適用和無法接受的。醫(yī)療系統(tǒng)就屬于這類應用。相反，設備通常必須直接通過 AC 線路運行，或至少在電池電量不足時連接 AC 插座即可運行。除了滿足基本的 AC/DC 電源性能規(guī)范外，醫(yī)用電源產(chǎn)品還必須符合監(jiān)管要求，即滿足電隔離、額定電壓、泄漏電流和保護措施 (MOP) 等不那么明顯的性能要求。制定這些標準是為了確保用電設備即使在電源或負載出現(xiàn)故障時，也不會給操作員或病人帶來危險。與此同時，醫(yī)療電源的設計者必須不斷提地
- 關(guān)鍵字： DigiKey GaN AC/DC
SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴展仿真模型功能！
- 過去，仿真的基礎是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們在學校都學過，它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象。當今大多數(shù)功率器件不是橫向結(jié)構(gòu)，而是垂直結(jié)構(gòu)，它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌停肓烁鼜碗s的結(jié)構(gòu)，如超級結(jié)，并極大地改變了MOSFET的行為。基本Spice模型中提供的簡單器件結(jié)構(gòu)沒有考慮所有這些非線性因素。現(xiàn)在，通過引入物理和可擴展建模技術(shù)，安森美(onsemi)使仿真精度
- 關(guān)鍵字： 功率器件 Spice模型 SiC 仿真
基于 GaN 的高效率 1.6kW CrM 圖騰柱PFC參考設計 TIDA-00961 FAQ
- 高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo?高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。功率級尺寸 65 x 4
- 關(guān)鍵字： TI GaN 圖騰柱 PFC TIDA-00961 FAQ
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