GaN新技術可使散熱能力提高2倍以上

近期，大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上，有望應用于5G通信基站、氣象雷達、衛(wèi)星通信、微波加熱、等離子體處理等領域，該研究成果已發(fā)表在“Small”雜志上。

隨著半導體技術不斷發(fā)展，功率密度和散熱等問題日益凸顯，業(yè)界試圖通過新一代材料解決上述問題。

據(jù)悉，金剛石具備極強的導熱性能，氮化鎵具有寬帶隙和高導電性等特性，居于上述特性，以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。

在最新研究中，大阪公立大學的科學家們成功地用金剛石作為襯底制造了GaN高電子遷移率晶體管。為了進一步提高金剛石的導熱性，研究人員在GaN和金剛石之間加入了一層3C-SiC（立方碳化硅）層。這一技術顯著降低了界面的熱阻，從而提高了散熱效率。