- DDR5內存的標準起步頻率只有4800MHz，而潛力顯然是無限的。此前華碩、芝奇合作先后超到了8888MHz、9560MHz，現在終于突破了10000MHz！ 這也是內存頻率第一次達到五位數字，進入了10GHz+時代。 達成這一成就的是Kovan Yang領銜的微星超頻團隊成員，使用了一條金士頓的Fury Beast DDR5，搭配微星Z690 UNIFY-X主板，成功運行在了5001.8MHz的基礎頻率，等效于DDR5-10004。 為了如此之高的頻率，內存時序也放寬到了史無前例的72-126
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DDR5 內存
- 自從國外對我們實行卡脖子的政策后，在芯片這件事上加速進階就成為了國家級戰略，而上海兆芯推出的KX-6000是一款國產x86處理器，采用16nm工藝，最高8核架構，代號為“陸家嘴 (Lujiazui)”，日前知名的編譯器GCC也添加了對KX-6000的支持。
KX-6000系列處理器在2019年6月份發布，由上代的KX-5000系列的28nm升級到16nm工藝，有4核及8核兩種規格，頻率可達3.0GHz，還支持PCIe
3.0、雙通道DDR4內存，搭配的芯片
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國產 X86處理器 7nm DDR5 兆芯
- 12代酷睿誕生以來，除開CPU本身，最受關注的莫過于在先進協議上的革命，其一是全面支持PCIe5.0協議，為下一代的顯卡和存儲器提供了普及接口；其二便是全面引入新一代的DDR5內存協議，打破了多年來內存產品性能和體驗的“停滯不前”，引發新一輪的內存浪潮。關于前者，鑒于尚未出現消費級PCIe5.0相關產品，在此略過。今天，重點聊聊被譽為“內存行業革命”的DDR5內存。關于DDR5內存，大多數用戶的直觀感受便是頻率的提升，即由DDR4內存2133MHz起步頻率，倍增至4800MHz，甚至根據最新消息DDR5內
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DDR5 內存 PCIe5.0
- 根據市調預估，第二季整體DRAM平均價格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰事和高通膨影響，進而削弱消費者購買力道，目前僅服務器為主要支撐內存需求來源，故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標準型PC DRAM方面，受俄烏戰爭影響，引發PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續影響下半年旺季訂單情形，進而下修今年的出貨目標，然而整體供給位卻仍在增長，故第二季PC DRAM價格跌幅達3～8％，且可能會進一步惡化。在服務器DR
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DRAM 集幫咨詢
- 據TechPowerUp的報告來看，Intel正在研發僅為13代Raptor Lake處理器提供支持的700系列芯片組主板，雖然DDR4+DDR5的內存控制器仍是主流，但Intel正在努力提升DDR5內存的市場比例。 從該報道來看，Intel正在研發的700系列芯片組主板將僅支持DDR5內存，而DDR4內存則主要保留在600系芯片組平臺。 不過需要注意的是，廠商往往并不會完全聽從Intel指揮，只要市場需要700系主板支持DDR5內存的呼聲夠大，總會有廠商忍不住。 此外，13代Raptor La
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ddr4 DDR5 內存
- 今日三星宣布，高通技術公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數據速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應用于高通技術公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發出三星首款基于14nm的LPDDR5X
DRAM以來，三星與高通技術公司密切合作，優化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5
(6.4Gbps)快約1.2倍，有
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三星 LPDDR5X DRAM 高通 驍龍
- 11月23日消息，美光科技（Micron）近日宣布，聯發科（MediaTek）已在其全新的5G旗艦智能手機芯片天璣9000平臺上完成了對美光LPDDR5X DRAM內存的驗證。美光由此成為首家送樣并驗證該款業界最快、最先進移動內存的半導體廠商，并已出貨首批基于1α節點的LPDDR5X樣片。美光同時也是業界首家應用1α制造節點的廠商。美光LPDDR5X專為高端與旗艦智能手機設計，讓智能手機生態系統能夠在人工智能(AI)與5G創新背景下，推動數據密集型應用的新一波發展浪潮。Micron LPDDR5X
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美光 聯發科 DDR5
- 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現，如何利用SEMulator3D研究先進DR
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DRAM 微結構
- 三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認，美光已將EUV技術納入DRAM技術藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節點開始導入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產，預
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美光 EUV DRAM
- 根據TrendForce調查，第三季PC DRAM合約價格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應，本季合約價調漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現貨市場已提前出現PC DRAM需求疲弱的態勢。賣方積極調節手上庫存，持續降價求售。合約市場方面，先前PC OEMs因擔憂長短料問題而大量備料，使DRAM庫存已達高水位，庫存迭高問題成為漲價的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預估PC DRAM合約價于第四
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TrendForce PC DRAM
- 今年下半年，最快10月底就能升級DDR5內存了，這一次Intel的12代酷睿Alder Lake會首發支持DDR5。SK海力士日前在財報會議上也表示未來幾個月就要量產DDR5內存。 DDR5的標準已經發布一年多了，相比DDR4繼續提升性能、降低功耗，標準電壓從1.2V進一步降至1.1V，最大單條容量從32GB來到128GB(單Die密度64Gb)，標準最高頻率從3200MHz翻番到6400MHz(實際瞄準8400MHz)，此時帶寬達到51GB/s，基本是DDR4-3200的兩倍。 另外，DDR5支
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英特爾 酷睿 DDR5 SK海力士
- 三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現良好，其內存業務也不例外。該公司預計該部門將持續增長，尤其是針對高端服務器和高性能計算（HPC）市場的DRAM產品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內存模塊，該公司最近發布了業界首個512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案。 但事實證明，這家韓國巨頭可能還不滿足，因為它計劃在不久的將來的某個時候更進一步，生產768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
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三星 內存 DRAM DDR5
- SK海力士公司在7月12日表示，本月已經開始生產10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內存芯片生產中應用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產中應用EUV。根據SK海力士的說法，比起前一代規格的產品，第四代在一片晶圓上產出的DRAM數量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應給智能手機制造商，并且還將在2022年初開始生產的DDR5芯片中應用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內存芯片，批量生產采用
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EUV DRAM
- SK海力士宣布已于7月初開始量產適用第四代10納米（1a）級工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動端DRAM產品。*
LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動終端開發的低功耗DRAM規格。“DDR”
為電子工程設計發展聯合協會(Joint Electron Device Engineering
Council，簡稱JEDEC)規定的DRAM規格標準名稱，DDR1-2-3-4為其順序進行換代。?圖1.
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SK海力士 10納米 DRAM
- 近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra代表美光發布多項產品創新，涵蓋基于其業界領先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內存和存儲創新產品，并推出業界首款面向汽車應用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創新產品和創新技術體現了美光通過內存和存儲創新加速數據驅動洞察的愿景，從而助力數據中心和智能邊緣的創新，突出了內存和存儲在幫助企業充分發揮數據經濟潛能方面的核心作用。在新的數據經濟背后，有一
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美光 176層NAND 1α DRAM
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