三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開始量產

今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術方面的優勢。

"采用差異化的工藝技術，三星業內先進的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內存產品與技術執行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們為滿足計算市場對大規模數據處理的需求，提供高性能和高容量的產品，而且還將通過商業化的下一代解決方案，助力實現更高的生產力。"

與上一代產品相比，三星最新的12納米級DDR5 DRAM功耗降低了23%，晶圓生產率提高了20%。出色的能效表現，使它能夠成為全球IT企業的服務器和數據中心節能減排的優秀解決方案。

三星12納米級工藝技術的開發基于一種新型高κ材料，這種新型材料有助于提高電池電容。高電容使數據信號出現明顯的電位差，從而更易于準確地區分。同時，三星在降低工作電壓和噪聲方面的成果，也讓此解決方案更加適用于客戶公司的需求。

三星12納米級DDR5 DRAM最高可支持7.2吉比特/秒（Gbps）的速度，相當于每秒可處理大約兩部30GB的超高清電影。三星為滿足客戶需求將持續擴大12納米級DRAM的產品陣容，以支持越來越多的應用，助力數據中心、人工智能在內的下一代計算。

三星在去年12月完成了16Gb DDR5 DRAM與AMD的兼容性評估，并將繼續與全球IT公司合作，推動下一代DRAM市場的創新。