- 內存大廠華邦電日前宣布擴大利基型DDR3產出，爭取韓系DRAM廠退出后的市占率，推升營收及獲利續創新高。華邦電自行開發的20奈米DRAM制程，將于明年導入至高雄廠量產，為長遠發展奠定良好的基礎與成長動能，同時滿足5G基地臺、人工智能物聯網（AIoT）、電動車及車用電子、元宇宙等產業大趨勢強勁需求。華邦電第一季迎來利基型DRAM價格回升，SLC NAND及NOR Flash價格回穩，季度營收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達45.59億元并創下歷史新高，每股凈利1.15元優于預期
- 關鍵字：
DRAM 華邦電 AIoT 元宇宙
- 2022年5月10日 ，作為先進內存技術的廠商，三星宣布開發出三星首款512 GB 內存擴展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業化邁出了重要一步，CXL將在IT系統中實現更高的內存容量且更低的延遲。三星半導體512GB 內存擴展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開發的CXL內存容量為其4倍，從而讓服務器擴展至數十TB，而系統延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本，以推動CXL內存在現有和新興IT系統中的部署自2021年5月推出三星首款配備
- 關鍵字：
三星 內存擴展器 CXL DRAM
- DDR5內存的標準起步頻率只有4800MHz，而潛力顯然是無限的。此前華碩、芝奇合作先后超到了8888MHz、9560MHz，現在終于突破了10000MHz！ 這也是內存頻率第一次達到五位數字，進入了10GHz+時代。 達成這一成就的是Kovan Yang領銜的微星超頻團隊成員，使用了一條金士頓的Fury Beast DDR5，搭配微星Z690 UNIFY-X主板，成功運行在了5001.8MHz的基礎頻率，等效于DDR5-10004。 為了如此之高的頻率，內存時序也放寬到了史無前例的72-126
- 關鍵字：
DDR5 內存
- 自從國外對我們實行卡脖子的政策后，在芯片這件事上加速進階就成為了國家級戰略，而上海兆芯推出的KX-6000是一款國產x86處理器，采用16nm工藝，最高8核架構，代號為“陸家嘴 (Lujiazui)”，日前知名的編譯器GCC也添加了對KX-6000的支持。
KX-6000系列處理器在2019年6月份發布，由上代的KX-5000系列的28nm升級到16nm工藝，有4核及8核兩種規格，頻率可達3.0GHz，還支持PCIe
3.0、雙通道DDR4內存，搭配的芯片
- 關鍵字：
國產 X86處理器 7nm DDR5 兆芯
- 12代酷睿誕生以來，除開CPU本身，最受關注的莫過于在先進協議上的革命，其一是全面支持PCIe5.0協議，為下一代的顯卡和存儲器提供了普及接口；其二便是全面引入新一代的DDR5內存協議，打破了多年來內存產品性能和體驗的“停滯不前”，引發新一輪的內存浪潮。關于前者，鑒于尚未出現消費級PCIe5.0相關產品，在此略過。今天，重點聊聊被譽為“內存行業革命”的DDR5內存。關于DDR5內存，大多數用戶的直觀感受便是頻率的提升，即由DDR4內存2133MHz起步頻率，倍增至4800MHz，甚至根據最新消息DDR5內
- 關鍵字：
DDR5 內存 PCIe5.0
- 根據市調預估，第二季整體DRAM平均價格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰事和高通膨影響，進而削弱消費者購買力道，目前僅服務器為主要支撐內存需求來源，故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標準型PC DRAM方面，受俄烏戰爭影響，引發PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續影響下半年旺季訂單情形，進而下修今年的出貨目標，然而整體供給位卻仍在增長，故第二季PC DRAM價格跌幅達3～8％，且可能會進一步惡化。在服務器DR
- 關鍵字：
DRAM 集幫咨詢
- 據TechPowerUp的報告來看，Intel正在研發僅為13代Raptor Lake處理器提供支持的700系列芯片組主板，雖然DDR4+DDR5的內存控制器仍是主流，但Intel正在努力提升DDR5內存的市場比例。 從該報道來看，Intel正在研發的700系列芯片組主板將僅支持DDR5內存，而DDR4內存則主要保留在600系芯片組平臺。 不過需要注意的是，廠商往往并不會完全聽從Intel指揮，只要市場需要700系主板支持DDR5內存的呼聲夠大，總會有廠商忍不住。 此外，13代Raptor La
- 關鍵字：
ddr4 DDR5 內存
- 今日三星宣布，高通技術公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數據速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應用于高通技術公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發出三星首款基于14nm的LPDDR5X
DRAM以來，三星與高通技術公司密切合作，優化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5
(6.4Gbps)快約1.2倍，有
- 關鍵字：
三星 LPDDR5X DRAM 高通 驍龍
- 11月23日消息，美光科技（Micron）近日宣布，聯發科（MediaTek）已在其全新的5G旗艦智能手機芯片天璣9000平臺上完成了對美光LPDDR5X DRAM內存的驗證。美光由此成為首家送樣并驗證該款業界最快、最先進移動內存的半導體廠商，并已出貨首批基于1α節點的LPDDR5X樣片。美光同時也是業界首家應用1α制造節點的廠商。美光LPDDR5X專為高端與旗艦智能手機設計，讓智能手機生態系統能夠在人工智能(AI)與5G創新背景下，推動數據密集型應用的新一波發展浪潮。Micron LPDDR5X
- 關鍵字：
美光 聯發科 DDR5
- 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現，如何利用SEMulator3D研究先進DR
- 關鍵字：
DRAM 微結構
- 三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認，美光已將EUV技術納入DRAM技術藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節點開始導入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產，預
- 關鍵字：
美光 EUV DRAM
- 根據TrendForce調查，第三季PC DRAM合約價格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應，本季合約價調漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現貨市場已提前出現PC DRAM需求疲弱的態勢。賣方積極調節手上庫存，持續降價求售。合約市場方面，先前PC OEMs因擔憂長短料問題而大量備料，使DRAM庫存已達高水位，庫存迭高問題成為漲價的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預估PC DRAM合約價于第四
- 關鍵字：
TrendForce PC DRAM
- 今年下半年，最快10月底就能升級DDR5內存了，這一次Intel的12代酷睿Alder Lake會首發支持DDR5。SK海力士日前在財報會議上也表示未來幾個月就要量產DDR5內存。 DDR5的標準已經發布一年多了，相比DDR4繼續提升性能、降低功耗，標準電壓從1.2V進一步降至1.1V，最大單條容量從32GB來到128GB(單Die密度64Gb)，標準最高頻率從3200MHz翻番到6400MHz(實際瞄準8400MHz)，此時帶寬達到51GB/s，基本是DDR4-3200的兩倍。 另外，DDR5支
- 關鍵字：
英特爾 酷睿 DDR5 SK海力士
- 三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現良好，其內存業務也不例外。該公司預計該部門將持續增長，尤其是針對高端服務器和高性能計算（HPC）市場的DRAM產品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內存模塊，該公司最近發布了業界首個512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案。 但事實證明，這家韓國巨頭可能還不滿足，因為它計劃在不久的將來的某個時候更進一步，生產768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
- 關鍵字：
三星 內存 DRAM DDR5
- SK海力士公司在7月12日表示，本月已經開始生產10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內存芯片生產中應用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產中應用EUV。根據SK海力士的說法，比起前一代規格的產品，第四代在一片晶圓上產出的DRAM數量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應給智能手機制造商，并且還將在2022年初開始生產的DDR5芯片中應用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內存芯片，批量生產采用
- 關鍵字：
EUV DRAM
ddr5 dram介紹
您好，目前還沒有人創建詞條ddr5 dram!
歡迎您創建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
