IT之家 11 月 20 日消息，2020 年初，美光的軟件工程師宣布了一款專為 SSD 和持久內存設計的開源存儲引擎 HSE，這是一款快速鍵值存儲數據庫。去年 HSE 2.0 首次亮相，不再依賴于對 Linux 內核的修改，改為完全基于用戶空間的解決方案。本周，美光發布了 HSE 3.0 開源存儲引擎，帶來了更多功能改進。據介紹，HSE 3.0 改進了數據管理，提高了各種重要工作負載的性能。此外，HSE 3.0 引擎圍繞具有單調遞增鍵（例如時間序列數據）的工作負載、多客戶端工作負載、將壓縮和未壓縮值存儲
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美光 SSD DRAM HSE
2022 年 11 月 18 日——中國上海——內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布出貨適用于數據中心并已通過AMD 全新EPYC? （霄龍） 9004 系列處理器驗證的 DDR5 內存。隨著現代服務器配備更多處理內核的CPU，其單個CPU內核的內存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸，美光 DDR5 提供比前幾代產品更高的帶寬，從而提升可靠性和可擴展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強強聯合，使
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美光 DDR5 AMD EPYC 處理器
當地時間11月10日，美光宣布推出適用于數據中心的DDR5存儲器，該存儲器已針對新的AMD EPYC?
9004系列處理器進行了驗證。隨著現代服務器將更多處理內核裝入CPU，每個CPU內核的存儲器帶寬一直在下降。與前幾代相比，美光DDR5提供了更高的帶寬，從而緩解了這一瓶頸，提高了可靠性和可擴展性。據介紹，美光將配備其DDR5的單個第4代AMD EPYC處理器系統的STREAM基準性能與3200MT/秒的第3代AMD
EPYC處理器系統和美光DDR4進行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統
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美光 數據中心 DDR5 存儲器
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SK海力士 移動端 DRAM HKMG
IT之家 11 月 9 日消息，根據最新的報告，三星電子在全球 DRAM 市場的份額已跌至八年來的最低點。據 Eugene Investment & Securities 11 月 8 日發布的報告，第三季度全球 DRAM 市場銷售額為 179.73 億美元（當前約 1301.25 億元人民幣），較第二季度的 254.27 億美元下降 29.3%。三星電子的 DRAM 銷售額從第二季度的 111.21 億美元下降到第三季度的 73.71 億美元（當前約 533.66 億元人民幣
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三星 DRAM
本周美光宣布，采用全球最先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產準備。 1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。 一個值得關注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。 這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目
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美光 DRAM 內存芯片 光刻機 EUV
隸屬SGH（Nasdaq：SGH) 控股集團的全球專業內存與儲存解決方案領導者 SMART Modular世邁科技（“SMART”）宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內存模塊，為刀鋒服務器專用VLP模組產品添增生力軍。 專為網通及高算力應用所需1U刀鋒服務器而生隸屬SGH（Nasdaq：SGH) 控股集團的全球專業內存與儲存解決方案領導者 SMART Modular世邁科技（“SMART”）宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內存模塊，為
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DDR5 內存模塊
11 月 2 日消息，據國外媒體報道，受電子消費品續期下滑影響，當前全球存儲芯片市場并不樂觀，DRAM 與 NAND 閃存的需求和價格都有下滑，三星電子、SK 海力士等存儲芯片制造商的業績，也受到了影響。雖然存儲芯片市場整體的狀況并不樂觀，但部分領域的需求，卻在不斷增長。研究機構在最新的報告中就表示，服務器 DRAM 的需求在不斷增長，在今年有望首次超過智能手機、平板電腦等移動設備對 DRAM 的需求。研究機構在報告中預計，今年全球服務器對 DRAM 的需求，會達到 684.86 億 GB，智能手機、平板
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DRAM 市場
當地時間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機制造商和芯片組運送其1β DRAM技術的合格樣品合作伙伴，并已通過世界上最先進的DRAM技術節點實現了量產準備。據官方介紹，美光于2021年實現1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區儲存的位元數也增加35%。美光表示，隨著LPDDR5X的出樣，移動產品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門副總裁Thy Tran表示，新版
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功率效率 美光 1β DRAM
2022年11月2日——中國上海——內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術節點的1β DRAM產品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產準備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內存上采用該新一代制程技術，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節點在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動應用，基于1β節點的DRAM產品還具備低延遲、低功耗和高
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美光 1β技術節點 DRAM
IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發布了 LPDDR5X-8500 內存，采用先進 1β 工藝，正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發送樣品。據官方介紹，美光 2021 年實現 1α 工藝批量出貨，現在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場領先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個 die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動產品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消
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美光 LPDDR5X-8500 內存 1β DRAM
近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠設備”等消息引發業界高度關注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業績發表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠的設備轉移”等相關發言是針對可能性極低的極端情況作出的現場回復，SK海力士澄清并未研究過與此相關的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
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SK海力士 DRAM NAND
據媒體報道，因筆電市場低迷，沖擊DDR5內存價格跌幅進一步擴大，可望推動各廠商在2023年啟動產品世代轉換，DDR5將隨之放量。從具體跌價幅度來看，TrendForce集邦咨詢預估，2022年第四季度DRAM跌幅約在13%~18%左右，而DDR5價格跌幅大于DDR4。市場消息上，英睿達、美光16GB DDR5 4800筆記本內存條當前秒殺價為499元，而今年6月份售價則一直穩定在699元左右，跌幅超28%。DDR5為何跌跌不休？據了解，PC市場是DDR5的關鍵終端市場之一。然而近期PC市場情況并不樂觀，終
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DDR5 滲透率
10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內存已通過驗證，可在驍龍（Snapdragon?）移動平臺上使用，該內存速度可達到當前業界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優化應用處理器和存儲器之間的高速信號環境，三星超過了自身在今年3月創下的7.5Gbps的最高運行速度，夯實了在內存市場的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達8.5Gbps的運行速度作為十多年來全球移動內存（DRAM）市場的推動者，三星一直在努力推進高端智能手機普及，使更多消費者能夠在移動設備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
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三星 LPDDR5X DRAM
SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務部進行協商，確保在接下來一年內不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應所需的半導體生產設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來一年內不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產設備的供應，進而維持在中國的生產經營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續生產半導體產品的協商。SK海力士將繼續與韓國政府及美國商務部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力。”美國商務部先前于10月7日發布稱，將限制用于在中國生產18納米以下
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SK海力士 DRAM NAND
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