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        臺積電與三星3nm開發遇阻 量產時間或將推遲

        作者: 時間:2021-01-05 來源:ZOL 收藏

        據臺媒報道,業內人士透露,目前FinFET和GAA在工藝的開發過程中都遇到了瓶頸。因此二者制程工藝的開發進度都將放緩。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202101/421801.htm

        此前,按公布的計劃,將于今年完成認證與試產,2022年投入大規模量產,甚至業界有傳聞稱蘋果已率先包下3nm初期產能,成為臺積電3nm的第一批客戶。

        此前業界預計臺積電和的3nm工藝都會在2022年實現量產,而臺積電有望領先至少半年。

        此前臺積電曾宣稱,其3nm工藝會比目前最新的5nm工藝性能提升10%-15%,功耗將降低20%-25%。

        臺積電2020年營收持續創新高,臺積電董事長劉德音此前曾表示,為提前布局3nm,臺積電已累計投資超過2萬億元新臺幣,目標是3nm量產時,12 英寸晶圓月產能超過60萬片。而為了爭奪市場,三星晶圓代工業務準備投入1160億美元,以實現在3nm工藝上趕超臺積電。

        雖然三星和臺積電都在研發3nm工藝,但兩者采用的技術并不相同,臺積電采用了成熟的鰭式場效應晶體管技術(FinFET),而三星則采用了環繞柵極晶體管技術(GAA)。



        關鍵詞: 臺積電 三星 3nm

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