5 月 5 日消息, 鎧俠和西數展示最新的技術儲備,雙方正在努力實現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據其公布的技術論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數據還合作開發具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導側向
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3D NAND
近日,外媒《BusinessKorea》報道稱,三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法,據稱這將改變存儲器行業的游戲規則。3D DRAM是什么?它將如何顛覆DRAM原有結構?壹摩爾定律放緩,DRAM工藝將重構1966年的秋天,跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發明了動態隨機存取存儲器(DRAM),而在不久的將來,這份偉大的成就為半導體行業締造了一個影響巨大且市場規模超千億美元的產業帝國。DRA
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3D DRAM 存儲器
MIMO 是multi-input multi-out put 系統的縮寫,從字面上來看任何具有多個發射和多個接收天線的無線系統都可以稱為MIMO。除了MIMO之外,還有single-input multiple-output (SIMO),multiple-input single-output (MISO) 這些只在發射端或接收端有多個天線的準多天線系統。MIMO概述MIMO 是multi-input multi-out put 系統的縮寫,從字面上來看任何具有多個發射和多個接收天線的無線系統都可以稱
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KEYSIGHT MIMO
據外媒《BusinessKorea》報道,三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被認為是半導體產業的未來增長動力。考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況,業界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然,而不是一種方向。與現有
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存儲 3D DRAM
國內EDA行業領導者芯和半導體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現,近日在半導體行業國際在線平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。? “Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產品的設計,這一事件引起了我們極大的關注。“3D InCites創始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D InCi
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芯和半導體榮 3D InCites Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎
國內EDA行業領導者芯和半導體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現,近日在半導體行業國際在線平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。?“Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產品的設計,這一事件引起了我們極大的關注。“3D?InCites創始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D
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芯和半導體 3D InCites Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎
本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝(用于移動應用程序、數據中心和人工智能)的性能,就需要對架構、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料,包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料,以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺,包括一個或多
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3D NAND DRAM 5nm SoC
近日,努比亞宣布,將在MWC 2023上,公布全球首款由AI引擎驅動3D平板:努比亞Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鮮技術, 這難免讓人懷疑這款努比亞Pad 3D的最大賣點,是否會向其他同類產品一樣,淪為“空中樓閣”。而今天,努比亞打消了用戶的這一顧慮。今天,努比亞官方宣布, 努比亞Pad 3D將搭載全球最大的Leia 3D內容生態系統,包含大量運用裸眼3D技術的App,并獲得了來自多個包括Unity、UNREL等游戲引擎,以及GAMELOFT等游戲開發商的內容支持。
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努比亞 MWC 3D 游戲引擎
雙方將通過立體攝像頭數據融合技術演示3D立體深度視覺, *AIoT 、AGV小車和工業設備依靠3D立體攝像頭跟蹤快速運動物體參考設計利用意法半導體的高性能近紅外全局快門圖像傳感器,確保打造出最佳品質的深度感測和*點云圖資訊2023年1月5日,中國----在 1 月 5 日至 8 日舉行的拉斯維加斯CES 2023 消費電子展上,服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM),和專
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意法半導體 鈺立 CES 2023 機器視覺 3D 立體視覺攝像頭
本文回顧3D霍爾效應位置傳感器的基礎知識,并描述在機器人、篡改偵測、人機接口控制和萬向節馬達系統中的用途;以及介紹高精密度線性3D霍爾效應位置傳感器的范例。用于實時控制的3D位置感測在各種工業4.0應用中不斷增加,從工業機器人、自動化系統,到掃地機器人和保全。3D霍爾效應位置傳感器是這些應用的理想選擇;它們具有高重復性和可靠性,還可以與窗戶、門和外殼搭配,進行入侵或磁性篡改偵測。盡管如此,使用霍爾效應傳感器設計有效且安全的3D感測系統可能復雜且耗時。霍爾效應傳感器需要與足夠強大的微控制器(MCU)介接,以
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3D位置感測 實時控制 3D 霍爾效應傳感器
2022年11月16日,致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布,其旗下世平推出基于耐能(Kneron)KL520芯片的3D AI人臉識別門禁系統方案。 圖示1-大聯大世平基于耐能Kneron產品的3D AI人臉識別門禁系統方案的展示板圖 在現代化經濟建設和智能管理的驅動下,人工智能門禁系統作為安防基礎核心迎來了前所未有的廣闊前景。特別是在疫情這個特殊情境下,各種酒店、賓館、寫字樓、智能大廈、政府機關等單位,對于多功能智能門禁系統的需求更是日益攀高。在此趨勢下,大
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大聯大世平 耐能 Kneron 3D AI 人臉識別門禁
新聞重點· 隨著業界首次采用 Arm 2022 全面計算解決方案,Arm 持續提高安卓生態系統的性能標桿· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光線追蹤,將為高級移動游戲提供超真實的圖形性能· Arm Cortex-X3 所提供的計算基礎可為新一代智能手機提供具有智能能效的旗艦性能Arm? 今日宣布,MediaTek 近期發布的天璣 9200 移動芯片采用了 Arm 旗艦級 GPU Arm Immortalis?-G
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Arm Immortalis 3D 游戲
臺積電10月27日宣布,成立開放創新平臺(OIP)3D
Fabric聯盟以推動3D半導體發展,目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創意電子、IBIDEN、西門子、Silicon
Creations、矽品精密工業、Teradyne、Unimicron19個合作伙伴同意加入。據悉,3DFabric聯盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術,使得他們能夠與臺積電同步開發及優化解決方案,也
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臺積電 三星 ARM 美光 OIP 3D Fabric
- 長期批量供應協議即刻生效- 為下一代 3D 傳感應用開發 VCSEL 技術- 進一步加強 IQE 作為 3D 傳感市場領導者的地位 IQE plc(AIM 股票代碼:IQE,以下簡稱“IQE”或“集團”),全球領先的化合物半導體晶圓產品和先進材
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IQE VCSEL 3D 傳感
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