西門子數字化工業軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案，旨在幫助客戶加快和簡化基于2.5D和3D架構的新一代集成電路（IC）關鍵可測試性設計（DFT）。隨著市場對于更小巧、更節能和更高效能的IC需求日益提升，IC設計界也面臨著嚴苛挑戰。下一代組件正傾向于采用復雜的2.5D和3D架構，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式連接多個晶粒，使其能夠作為單一組件運作。但是，這種做法為芯片測試帶來巨大的挑戰，因為大部分傳統的測試方法都是基于常規的2D流程。為了解決這些挑戰，西門子推出Tess
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西門子 2.5D 3D 可測試性設計
10月17日，2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區閉幕式舉行，中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個優勝獎，實現多個項目上金牌和獎牌零的突破。 本次特別賽韓國賽區比賽于10月12日開幕，共舉行8個項目的比賽，吸引了來自34個國家和地區的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個項目的角逐。 其中，來自廣州市工貿技師學院的選手楊書明獲得移動應用開發項目金牌，成為本次大賽該新增項目首個金牌獲得者。 來自深圳技師學院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數字游戲藝術項目、云計算項目金牌，實現我國在這兩個項目上
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世界技能大賽 3D 云計算
疫情突顯產業供應鏈中斷和制造業缺工問題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業快速轉型，走向更自動化、數字化的智能化方向。因此，各產業對自動光學檢測(AOI)技術的需求更為殷切。疫情突顯產業供應鏈中斷和制造業缺工問題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業快速轉型，走向更自動化、數字化的智能化方向。導入自動化及AI的過程中，傳統人力逐漸被取代，也改變產線人員配置的傳統生態，其中，可以確保產線及產品質量的自動檢測儀器不僅發揮精準有效的優勢，還能針對缺陷或瑕疵及時修復、舍棄，降低不必要的時間成本與人力成本，快速穩定且
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自動光學檢測 AOI AI 3D 檢測鐵三角
西門子數字化工業軟件近日與半導體晶圓制造大廠聯華電子 (UMC) 合作，面向聯華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規劃、裝配驗證和寄生參數提取 (PEX)?工作流程。聯電將同時向全球客戶提供此項新流程。通過在單個封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術，客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實現多個組件功能。相比于在 PCB
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西門子 聯華電子 3D IC 混合鍵合流程
近日，長江存儲科技有限責任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領域，以滿足AIoT、機器學習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著長江存儲嵌入式產品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數據、AIoT的加速
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長江存儲 3D NAND
這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態盤，都呈現火力全開的姿態，從技術到產品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯網、嵌入式、服務器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態規格
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長江存儲 3D NAND
近日，有消息稱，國內存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會實現232層堆疊的3D NAND閃存技術。這意味著國內存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發布了業界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規模量產和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規模應用也要到2023年去了。可見，國產存儲芯片，在技術上確實已經追上了三星
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長江存儲 3D NAND
中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經完成192層3D NAND閃存樣品生產，預計年底實現大規模量產交付。長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業，從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進入了128層3D NAND 閃存的研發，并成功在2020年正式宣布研發成功，它是
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長江存儲 3D NAND
頭一段時間，有媒體報道稱，長江存儲自主研發的192層3D NAND閃存已經送樣，預計年底實現量產。長江存儲一直是我們優秀的國產存儲芯片企業，從成立之初便保持了一個高速的發展狀態。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進行了128層3D NAND 閃存的研發，并在2020年正式宣布研發成功，它是業內首款128層QLC規格的3D N
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長江存儲 3D NAND
MaxLinear Inc.和 Qorvo今天宣布推出一項聯合解決方案，旨在應對 32x32 和 64x64 大規模 MIMO 無線電在尺寸、重量和功耗方面的關鍵挑戰。該解決方案支持高效功率放大器 (PA)，減小了無線電的功率、重量和體積，使大規模 MIMO 無線電更加實用。此外，此解決方案在功耗和功率損耗方面為每個多元件無線電節省了數百瓦的功率。MaxLIN? 線性化技術與 Qorvo 的 GaN 高效功率放大器 QPD0011J Doherty 功率放大器（由 QPD0006 驅動）相結合，在 41.
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MaxLinear Qorvo 大規模 MIMO 高效功率放大器
比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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imec 晶背供電 邏輯IC 布線 3D IC
3D深度傳感器在汽車座艙監控系統中發揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創新的汽車智能座艙，支持新服務的無縫接入，并提高被動安全。它們對于滿足監管規定和NCAP安全評級要求，以及實現自動駕駛愿景等都至關重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時間）系統領域的湃安德（pmd）合作，開發出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標準，具有更高的分辨率。
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3D 圖像傳感器
增強現實（AR）應用將從根本上改變人類的生活和工作方式。預計今年下半年，AR領域的開拓者Magic Leap將推出其最新的AR設備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業級應用而設計，將成為市場上最具沉浸感的企業級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學設計，擁有行業領先的光學技術和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優化復雜的流程，并支持員工進行無縫協作。Magic Leap 2的核心優勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D s深度傳感
5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發表其與中科院微電子研究所合作開發的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產品的量產。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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當人們在75年前使用寶麗來 (Polaroid ) 相機拍攝出世界上第一張實時成像照片時，便是一項以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫面的創舉。時至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉過來，亦即在幾秒鐘內將一組靜態影像變成數字 3D 場景。 NVIDIA Research 透過人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場景這項稱為逆向渲染 (inverse rendering) 的過程，利用 AI 來預估光線在真實世界中的表現，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
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