- 6月6日，長三角一體化發展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行，合肥長鑫與蘇州瑞紅電子化學品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設。2019年國內存儲芯片取得了兩個突破——長江存儲的3D閃存、合肥長鑫的DRAM內存雙雙量產，其中內存國產化的意義更重要一些，畢竟這個市場主要就是美日兩大陣營主導，門檻太高。合肥長鑫的12英寸內存項目總計投資高達1500億，去年底量產了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內存芯片，可以供應DDR4
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國產 DRAM 內存 合肥長鑫
- 存儲器大廠南亞科28日召開年度股東常會，會中董事長吳嘉昭對于近期的產業狀況發表看法，指出2020年上半年DRAM市場的需求較2019年同期有小幅度的成長，其主要原因是受惠于異地工作、遠端教育、視頻會議等各項需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因為各項不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續的觀察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿易戰導致的關稅問題，使得供應鏈面臨調整，加上全球經濟放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導致DRAM需求減少，使得平均銷貨較2018年減少超過45%，也使得南亞科在2019年
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存儲器 10nm 南亞科 DRAM
- 三星電子一季度在全球DRAM市場的份額超過了40%，但銷售額在這一季度有下滑。外媒的數據顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場的份額為44.1%，是第一大廠商，較第二大廠商SK海力士高出了近15個百分點，后者的市場份額為29.3%。雖然三星的市場份額超過了40%，但一季度三星DRAM的營收其實有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠商是美光科技，其一季度的市場份額為20.8%，銷售額下滑1
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三星 DRAM
- 電子醫療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產生的醫護或宅經濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩健的成長動能，更讓NAND Flash產業成為這波疫情的少數成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產業新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設計生產后，也為市場添增了一股活力。
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群聯 3D NAND 長江存儲
- 據證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術研發進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現全員復工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。今年早些時候，長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來，長江存儲將跳過如今業界常見的96層，直接投入128層閃存的研發和量產工作。▲長江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到，長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月，總
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長江存儲 3D NAND
- 從20nm技術節點開始，漏電流一直都是動態隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現明顯的結構異常，DRAM設計中漏電流造成的問題也會導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關重要的一個考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線接觸 (BLC) 與存儲節點接觸 (SNC) 之間的電介質泄漏；(d) DRAM電容處的電介質泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
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DRAM GIDL
- 據ZDnet報道，三星宣布，已成功將EUV技術應用于DRAM的生產中。
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三星 EUV DRAM
- 當前在芯片制造中最先進的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內存顆粒的生產中。這家韓國巨頭今日宣布，已經出貨100萬第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評估，這為今后高端PC、手機、企業級服務器等應用領域開啟新大門。得益于EUV技術，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復步驟，并進一步提升產能。三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導入EUV，明年基于D1a大規模量產DDR5和LPDDR5內存芯片，預計會使12
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三星 DRAM EUV
- 新推出的Surface Neo并不是微軟唯一的雙屏設備。在去年10月份的發布會上，微軟還宣布了一款名為“Surface Duo”的Surface手機，Surface Duo可運行Google的Android應用，并直接從谷歌Play商店支持Microsoft服務。Surface Duo是由Panos Panay領導的Surface團隊設計的，它具有出色的硬件，但是之前有傳言稱Surface Duo設備將配備中核相機。與三星Galaxy Fold和華為Mate Xs競爭的Surface Duo可能沒有配備出
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微軟 Surface Duo 3D
- 圖片已經成為人們在社交媒體展現自我的重要方式。為了追求“完美的圖像”，越來越多的應用程序提供了濾鏡或編輯功能來增強圖像效果。盡管智能手機攝影功能創新層出不窮，但仍然有一些圖像效果只能通過專業相機和復雜昂貴的鏡頭來實現。歐司朗推出首款3D傳感發射器模塊，讓智能手機以交錯景深拍攝高質量的圖像和視頻，達到專業效果。例如在人像拍攝中，實現人臉聚焦、背景模糊的小景深。如今，智能手機、可穿戴設備和其他移動設備的功能越來越多，留給內部元器件的設計空間也越來越小。對制造商而言，能找到合適的發射和接收器件以及IC元器件，進
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3D 感應 VCSEL
- 對于任何名副其實地從事AR/VR/XR、產品設計或仿真工作的工程師而言，光線追蹤是他們應該熟悉的一種技術。因為它是自三維（3D）圖形誕生以來圖形技術領域最重要的進步之一，而且它即將從高深的電影和廣告領域轉向移動、可穿戴和汽車等嵌入式領域，作為全新的、更有效的處理光線追蹤的方法進入市場。如果你去看任何的三維場景，會發現其逼真度很大程度上取決于光照。在傳統的圖形渲染（光柵化處理）中，光照貼圖和陰影貼圖是預先計算好的，然后應用到場景中以模擬場景外觀。然而，雖然可以實現很美觀的效果，但其始終受限于一個事實，即這些
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路徑追蹤 3D
- 據IDC預測，2025年全球數據將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數據量，半導體存儲器將具有極大的市場。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營收規模均成長近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營收頭把交椅。整體來說，2017年全球半導體市場規模比2016年成長22.2%，達4197.2億美元，存儲器的
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存儲器、NAND、DRAM
- 這款指甲大小的英特爾芯片是首款采用了Foveros技術的產品。英特爾院士、芯片工程事業部成員?Wilfred Gomes，手執一枚采用Foveros先進封裝技術打造而成的處理器。該處理器將獨特的3D堆疊與一種混合計算架構結合在一起，這種架構混搭了多種類型、功能各異的內核。（圖片來源：Walden Kirsch/英特爾公司）Foveros封裝技術改變了以往將不同IP模塊放置在同一2D平面上的做法，改為3D立體式堆疊，讓處理器有了全新的構建模式。試想一下，全新設計的芯片就像一個設計成1毫米厚的夾心蛋
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3D 封裝
- 最近的疫情危機給全球大多數電子產品的前景蒙上了陰影，智能手機Q1季度會是暴跌50%。不過內存廠商現在可以輕松下了，Q1季度開始就進入全球牛市，預計會連漲七個季度，也就是2020年底才可能穩下來。自從1月初的三星供電停電、東芝工廠起火之后，這兩家公司紛紛表態對生產基本沒影響，但是全球存儲芯片的市場依然像是打了雞血，內存及SSD硬盤的現貨價應聲而起，1月份就漲價高達30%。那這一波內存漲價要持續多久呢？UBS瑞銀分析師Timothy Acuri日前發表報告評估了內存市場的發展趨勢，他認為內存漲價將持續至少7個
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DRAM、內存
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