3d dram 文章最新資訊

手機(jī)存儲(chǔ)芯片價(jià)格狂跌海外巨頭“圍剿”中國廠商陰謀論成真？

近日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)調(diào)研品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)公布的最新的存儲(chǔ)芯片行業(yè)調(diào)研報(bào)告顯示，DRAM跌價(jià)幅度超過預(yù)期，創(chuàng)8年以來最大跌幅。一度被調(diào)侃為“價(jià)格跑贏了房價(jià)”的內(nèi)存條，如今突然迎來8年來最大跌幅，國際巨頭對(duì)中國廠商“圍剿”的爭議也再次出現(xiàn)。
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DRAM價(jià)格暴跌韓國前景“一片烏云”

　　根據(jù)據(jù)韓媒《韓鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，DRAM的價(jià)格接連下跌，零售的計(jì)算機(jī)用DRAM價(jià)格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢(shì)比預(yù)期要快許多，預(yù)計(jì)今年出口的前景也不樂觀。　　在韓國電子產(chǎn)品價(jià)格比較網(wǎng)“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價(jià)格是4萬8900韓元，已經(jīng)下跌到5萬韓元以下，與去年4月9萬9270韓元的高點(diǎn)相比下跌了50.7%。　　B2B(企業(yè)間交易)市場(chǎng)價(jià)格指標(biāo)也呈暴跌的趨勢(shì)，據(jù)市調(diào)公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價(jià)格是比起今年1月
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DRAM大幅跌價(jià) 三星的半導(dǎo)體老大位置懸了

　　據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange公布的調(diào)查報(bào)告指，今年以來DRAM內(nèi)存價(jià)格大幅下跌，其估算一季度的跌幅從預(yù)期的25%擴(kuò)大至30%，這對(duì)于依靠存儲(chǔ)芯片取得了全球半導(dǎo)體老大位置的三星來說顯然不是好消息，其或因存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)下跌導(dǎo)致位置不保。　　存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲助三星取代Intel　　自2016年以來，受PC、智能手機(jī)等產(chǎn)品對(duì)存儲(chǔ)芯片需求不斷擴(kuò)大，PC正將機(jī)械硬盤轉(zhuǎn)換為速度更快的SSD硬盤、DRAM內(nèi)存的容量在不斷增大，智能手機(jī)的閃存和內(nèi)存容量也在不斷擴(kuò)大，存儲(chǔ)芯片價(jià)格進(jìn)入了快速上漲的階段。　　作為
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集邦咨詢：第一季DRAM合約價(jià)大幅下修，創(chuàng)8年以來最大跌幅

　　Mar. 5, 2019 ---- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，由于供過于求的市況，DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結(jié)價(jià)(Monthly Deals)，2月份更罕見出現(xiàn)價(jià)格大幅下修。目前季跌幅從原先預(yù)估的25%調(diào)整至逼近30%，是繼2011年以來單季最大跌幅。　　DRAMeXchange指出，從市場(chǎng)面來觀察，整體合約價(jià)自去年第四季開始下跌，隨后庫存水位持續(xù)攀升。近期DRAM原廠庫存(含wafer bank)普遍來到至少一個(gè)半月的高水位。同時(shí)，Intel低
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STRATASYS攜最新3D打印解決方案和高級(jí)新型材料亮相2019年TCT亞洲展

3D打印和增材制造解決方案供應(yīng)商Stratasys（Nasdaq：SSYS）今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會(huì)（TCT Asia 2019），以其業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新型增材制造技術(shù)與智能制造解決方案引領(lǐng)行業(yè)新發(fā)展。展會(huì)期間，Stratasys所展示的體素級(jí)3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料，能夠突破3D打印原型應(yīng)用極限，大幅降低生產(chǎn)耗時(shí)及人工成本，滿足客戶多元化的專業(yè)、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業(yè)頂級(jí)的行業(yè)盛會(huì)，匯聚了3D打印技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展
關(guān)鍵字：醫(yī)療，3D

Stratasys攜最新3D打印方案和高新材料亮相TCT亞洲展

3D打印和增材制造解決方案供應(yīng)商Stratasys（Nasdaq：SSYS）今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會(huì)（TCT Asia 2019），以其業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新型增材制造技術(shù)與智能制造解決方案引領(lǐng)行業(yè)新發(fā)展。展會(huì)期間，Stratasys所展示的體素級(jí)3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料，能夠突破3D打印原型應(yīng)用極限，大幅降低生產(chǎn)耗時(shí)及人工成本，滿足客戶多元化的專業(yè)、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業(yè)頂級(jí)的行業(yè)盛會(huì)，匯聚了3D打印技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展和最新應(yīng)用，
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中國將增加在美半導(dǎo)體采購量？韓媒：不太容易

　　據(jù)businesskorea報(bào)道，中國計(jì)劃在未來六年內(nèi)將在美國的半導(dǎo)體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍。　　然而，許多專家表示，美國急于遏制中國的半導(dǎo)體野心，不太可能接受中國的提議，因?yàn)樗鼘⒃黾訉?duì)中國的半導(dǎo)體依賴。　　韓國企業(yè)對(duì)該計(jì)劃持謹(jǐn)慎態(tài)度，主要有兩個(gè)原因。　　首先，中國沒有提及將購買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國半導(dǎo)體公司的高級(jí)官員表示:“中國沒有說明將進(jìn)口何種半導(dǎo)體芯片，無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下，很難預(yù)測(cè)對(duì)韓國企業(yè)的影響。
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全球硅片產(chǎn)業(yè)變遷的下一站是中國？

作為IC晶圓生產(chǎn)直接的原材料，全球硅片行業(yè)經(jīng)歷了從6寸向12寸的迭代，同時(shí)生產(chǎn)中心由美國轉(zhuǎn)移到了日本。目前日本憑借半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分工帶來的機(jī)遇占據(jù)硅片行業(yè)50%以上份額，但......
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DRAM技術(shù)再一次實(shí)現(xiàn)突破，DDR6火速殺到：速度飛天

　　據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。　　接受采訪時(shí)，SK海力士研發(fā)Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6將在5~6年內(nèi)發(fā)展起來。　　Kim Dong-kyun透露，“后DDR5”產(chǎn)品已經(jīng)有幾套技術(shù)概念成型，其中一套延續(xù)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范，另一套則是將DRAM和CPU等片上系統(tǒng)的處理技術(shù)結(jié)合。　　資料顯示，去年11月，SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的DD
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莫大康：影響2019中國半導(dǎo)體業(yè)增長的三個(gè)關(guān)鍵因素

業(yè)界都謹(jǐn)慎地觀察2019年中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展態(tài)勢(shì)，用呈”不確定性”，而一言以蔽之。本文擬從以下三個(gè)方面，包括2019年全球半導(dǎo)體業(yè)的弱勢(shì);中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展由產(chǎn)能擴(kuò)充階段轉(zhuǎn)向產(chǎn)品增長的攻堅(jiān)戰(zhàn);以及在貿(mào)易戰(zhàn)下心理因素的影響等來初探2019年中國半導(dǎo)體業(yè)的增長。
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2019年全球Flash支出達(dá)260億美元　連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

盡管隨著主要存儲(chǔ)器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)量擴(kuò)增計(jì)劃，2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會(huì)大幅下滑，但該支出金額仍然會(huì)繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出。　　ICInsights最新資料顯示，2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元。　
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非易失性存儲(chǔ)器和易失性存儲(chǔ)器的對(duì)比

　　非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。　　　　在很多的存儲(chǔ)系統(tǒng)的寫操作程序中，內(nèi)存作為控制器和硬盤之間的重要橋梁，提供更快速的性能，但是如果發(fā)生突然間斷電的情況，如何保護(hù)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)不丟失，這是存儲(chǔ)系統(tǒng)中老生常談的議題。易失性存儲(chǔ)器就是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候，里面的數(shù)據(jù)會(huì)丟失，就像內(nèi)存。非易失性存儲(chǔ)器在上面的情況下數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，像硬盤等外存。RRAM是一
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2019年第一季DRAM合約價(jià)跌幅擴(kuò)大至近20%

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2018年12月正值歐美年節(jié)時(shí)期，DRAM成交量清淡，因此不列入合約價(jià)計(jì)算，意味著12月份合約價(jià)與11月份大致持平。主流模組8GB均價(jià)仍在60美元左右，而4GB約在30美元水位，但兩種模組的最低價(jià)分別已跌破60與30美元關(guān)卡。DRAMeXchange指出，2019年第一季合約價(jià)已于去年12月開始議定，綜合庫存過高、需求比原先預(yù)估更為疲弱，以及短中期經(jīng)濟(jì)展望不明朗等因素，買賣雙方已有8GB均價(jià)降至55美
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晉華、聯(lián)電被控竊取機(jī)密案開庭美方多管齊下打擊中國內(nèi)存自主化進(jìn)程

隨著中美談判嘗試結(jié)束貿(mào)易戰(zhàn)，對(duì)于兩國沖突的一個(gè)關(guān)鍵方面——針對(duì)涉嫌盜竊商業(yè)機(jī)密的刑事起訴，美國謀求新的策略來打擊中國實(shí)現(xiàn)內(nèi)存芯片量產(chǎn)的愿景。據(jù)外媒報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周三，福建晉華與其合作伙伴臺(tái)灣聯(lián)電被控竊取商業(yè)機(jī)密一案在舊金山聯(lián)邦法院審理，預(yù)計(jì)晉華和聯(lián)電將做無罪辯護(hù)。
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Gartner：三星2018年再度登頂全球半導(dǎo)體市場(chǎng)

　　據(jù)BusinessKorea北京時(shí)間1月8日?qǐng)?bào)道，受內(nèi)存行業(yè)的增長推動(dòng)，去年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)同比增長了13%。三星電子以15.9%的市場(chǎng)份額維持住了全球龍頭老大的位置;SK海力士排名第三(注)，營收同比增長38.2%，在行業(yè)前十大公司中增速最快。　　據(jù)市場(chǎng)研究公司Gartner日前發(fā)布的2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)初步報(bào)告顯示，全球半導(dǎo)體營收去年達(dá)4767億美元，同比增長13.4%。存儲(chǔ)芯片占半導(dǎo)體總營收的比重從2017年的31%上升至了2018年的34.8%，占比最大。　　三星電子去年的半導(dǎo)體營收達(dá)759
關(guān)鍵字：三星半導(dǎo)體 DRAM