三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認，美光已將EUV技術納入DRAM技術藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節點開始導入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產，預
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美光 EUV DRAM
根據TrendForce調查，第三季PC DRAM合約價格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應，本季合約價調漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現貨市場已提前出現PC DRAM需求疲弱的態勢。賣方積極調節手上庫存，持續降價求售。合約市場方面，先前PC OEMs因擔憂長短料問題而大量備料，使DRAM庫存已達高水位，庫存迭高問題成為漲價的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預估PC DRAM合約價于第四
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TrendForce PC DRAM
三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現良好，其內存業務也不例外。該公司預計該部門將持續增長，尤其是針對高端服務器和高性能計算（HPC）市場的DRAM產品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內存模塊，該公司最近發布了業界首個512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案。 但事實證明，這家韓國巨頭可能還不滿足，因為它計劃在不久的將來的某個時候更進一步，生產768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
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三星 內存 DRAM DDR5
SK海力士公司在7月12日表示，本月已經開始生產10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內存芯片生產中應用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產中應用EUV。根據SK海力士的說法，比起前一代規格的產品，第四代在一片晶圓上產出的DRAM數量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應給智能手機制造商，并且還將在2022年初開始生產的DDR5芯片中應用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內存芯片，批量生產采用
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EUV DRAM
SK海力士宣布已于7月初開始量產適用第四代10納米（1a）級工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動端DRAM產品。*
LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動終端開發的低功耗DRAM規格。“DDR”
為電子工程設計發展聯合協會(Joint Electron Device Engineering
Council，簡稱JEDEC)規定的DRAM規格標準名稱，DDR1-2-3-4為其順序進行換代。?圖1.
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SK海力士 10納米 DRAM
AMD展示了最新的運算與繪圖技術創新成果，以加速推動高效能運算產業體系的發展，涵蓋游戲、PC以及數據中心。AMD總裁暨執行長蘇姿豐博士發表AMD在高效能運算的最新突破，揭示AMD全新3D chiplet技術；與業界領導廠商特斯拉和三星合作，擴大了AMD運算與繪圖技術在汽車與手機市場的應用；新款AMD Ryzen處理器瞄準狂熱級玩家與消費性PC；最新AMD第3代EPYC處理器所帶來領先的數據中心效能；以及為游戲玩家提供的一系列全新AMD繪圖技術。 AMD總裁暨執行長蘇姿豐展示AMD全新3D chi
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AMD 3D chiplet Ryzen
近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra代表美光發布多項產品創新，涵蓋基于其業界領先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內存和存儲創新產品，并推出業界首款面向汽車應用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創新產品和創新技術體現了美光通過內存和存儲創新加速數據驅動洞察的愿景，從而助力數據中心和智能邊緣的創新，突出了內存和存儲在幫助企業充分發揮數據經濟潛能方面的核心作用。在新的數據經濟背后，有一
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美光 176層NAND 1α DRAM
3D Xpoint技術是美光與英特爾共同開發的一種非易失性存儲技術。據悉，3D Xpoint的延遲速度僅以納秒計算，比NAND閃存速度提升1000倍，耐用性也更高，使得在靠近處理器的位置存儲更多的數據成為可能，可填補DRAM和NAND閃存之間的存儲空白。
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3D XPoint 美光 英特爾
2021 年1 月，美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節點的DRAM產品，是目前世界上最為先進的DRAM 技術，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此，《電子產品世界》記者采訪了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節點技術1α 節點DRAM 相當于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指內存陣列激活區半間距）在(10~19) nm之間。要做到這一點，需要大幅縮小位線和字線間距——可以說是收縮
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202104 DRAM
作為傳感器領域風頭最勁的企業，ams（艾邁斯半導體）通過技術積累和持續的并購戰略逐漸成為各類傳感器領域的領導者，特別是經過收購歐司朗之后，進一步實現了公司業務規模的擴大和業務領域的平衡，使得ams在各個核心領域上都有非常好的市場地位。 經過對歐司朗的收購之后，ams聚焦在三大核心技術領域，主要包括傳感、照明（光源）以及可視化，即visualization、illumination和Sensing。ams大中華區銷售和市場高級副總裁陳平路表示，隨著5G時代帶來的技術和產業的革新非常看好iToF、
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ams ArcSoft 3D dToF 安卓手機
近日，美光在業界率先推出 1α DRAM 制程技術。值此機會，該公司舉辦了線上媒體溝通會，執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預測，以及美光的研發、資本支出、產品布局等。執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年，全球GDP增長約5%。而根據不同分析師的預測，半導體產業預計增長可達12%，整個半導體產業的產值將達5020億美元。其中，內存與存儲預計增長可達19%，增度遠超整
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DRAM NAND
存儲芯片大廠美光（Micron）執行副總裁兼事業長Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車電子和智能型手機需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現明顯復蘇，并帶動存儲器需求增長。目前主要有兩種存儲器產品，一種是DRAM（動態隨機存儲器），用于緩存，另一種是NAND
Flash（閃存），用于數據的存儲。在DRAM領域，韓國三星、海力士、美國美光三家企業把控了全球主要市場份額。NAND
Flash市場則由三星、凱俠、西部數據、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱，預期今
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美光科技 DRAM NAND
作為全球工業機器視覺領域的領導者之一，康耐視公司近日宣布推出In-Sight 3D-L4000 嵌入式視覺系統。這是一款采用3D激光位移技術的創新型智能相機，能幫助用戶快速、準確且經濟高效地解決自動化生產線上的一系列檢測應用難題。“一直以來，3D檢測系統對于大多數用戶來說面臨兩個問題：產品操作復雜、使用成本昂貴，”康耐視3D事業部經理John Keating表示，“而In-Sight 3D-L4000視覺系統很好的解決了這兩個痛點，其提供了大量的3D視覺工具套件，使3D檢測能夠像行業先進的In-
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In-Sight 3D-L4000視覺系統 嵌入式視覺系統 3D圖像處理 無斑點藍色激光光學元件 3D視覺工具
· SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2· 配置了3D NAND（TLC或pSLC）閃存· 新一代產品包括5個系列共計6個尺寸TDK株式會社（TSE:6762）將于2020年12月推出新一代閃存產品，該產品擁有5個系列，并針對工業、醫療、智能電網、交通和安全等應用進行了優化。5個系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND閃存控制IC“GBDrive
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TDK 3D NAND 閃存 SSD
IT之家了解到，美光表示其 176 層 3D NAND 已開始批量生產，并已在某些英睿達的消費級 SSD 產品中出貨。
11 月 10 日消息 全球頂級半導體峰會之一的 Flash Memory 峰會將于 2020 年 11
月 10 日在美國加州圣克拉拉會議中心舉行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 閃存技術，該技術具有 176
層存儲單元堆疊。新的
176 層閃存是美光與英特爾分手以來所研發的第二代產品，上一代 3D NAND 則是 128
層設計，算是美光的過渡節點。而目前在三星的存儲技術大幅度領先之下，美光 128 層 3D NAND 并沒有特
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美光 3D NAND
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