- 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，2018年第二季由于供給吃緊情況延續，帶動整體DRAM報價走揚，DRAM總營收較上季成長11.3%，再創新高。除了圖像處理內存(graphicDRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動價格有15%顯著上漲外，其余各應用類別的內存季漲幅約在3%左右。 展望第三季價格走勢，DRAMeXchange指出，PC-OEM廠已陸續在七月份議定合約價格。就一線大廠定價來看，均價已來到34.5美元，較前一季上漲約1.5%
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DRAM 美光
- 智能手機的漲價潮已然是一種普遍現象，Galaxy Note 9的定價邏輯或許只是新一輪漲價潮的開始，曾經標售1999元的旗艦機早已漸行漸遠。
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手機 DRAM
- 一、引言3D芯片的處理對象是多邊形表示的物體。用多邊形表示物體有兩個優點：首先是直接(盡管繁瑣)，多邊形表示的物體其表面的分段線性特征除輪廓外可
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3D 圖形芯片 算法原理
- 根據集邦咨詢半導體研究中心最新調查，DRAM原廠已陸續與客戶談定7月份利基型內存合約價，價格大致和6月相同。展望第三季，預期DDR4利基型內存報價水平將較接近主流標準型與服務器內存，因原廠可透過封裝打線形式的改變(bonding option)做產品類別更換。DDR3則呈現相對穩健的供需結構，報價預期沒有明顯變動。整體而言，第三季利基型內存價格走勢預估將持平。 DDR3具成本優勢，短期仍為利基型記內存主流 就產品應用種類觀察，首先在利基型內存需求大宗的電視，今年出貨量持穩，約為2.157億臺。不過
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DRAM DDR3
- 幾年前突然“大火”的存儲行情，給業界帶來的極大的沖擊。在 PC 市場衰退后本就不多的 DIY 用戶，要么咬牙買高價內存(DRAM)和固態硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機升級的計劃。當然，市場也不是沒有好消息。據集邦咨詢(DRAMeXchange)所述，近期閃存降價的趨勢，有望持續到 2019 上半年。 DRAMeXchange 報告稱，2018 年 3~4 季度，NAND 閃存的平均銷售價格，預計將下降 10% 。集邦認為，市場需求較低的情況下所增長的產能，是推動這一趨勢的主要原因。
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閃存 DRAM
- 在最近發布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關系數將達到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關聯，以及到2022年的最新預測。 如圖所示，在2010-2017年的時間段內，全球GDP增長與IC市場增長的相關系數為0.88，這是一個強勁的數字，因為完全相關為1.0。在此期間之前的3
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DRAM NAND
- 今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內三大存儲廠商相繼進入試產階段，中國存儲產業將迎來發展的關鍵階段。業界認為，國內存儲產業發展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或將對全球存儲市場價格走勢造成影響。 而隨著中美貿易局勢的緊張，以及中國監管機構正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調查，中國存儲產業的發展也愈發受到關注。 目前，中國存儲器產業已經形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內存的合肥長鑫，以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營。 近期傳出合肥長鑫投產8
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NAND DRAM
- 美光科技有限公司(納斯達克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯華電子股份有限公司(以下簡稱“聯電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權訴訟的案件，該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯電和晉華提起專利侵權訴訟，實為報復此前臺灣檢察機關針對聯電及其三名員工侵犯美光商業機密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯電和晉華向美國加利福尼亞北區聯邦地區法院提起的民事訴訟。 該初步禁令禁止美光科技兩中國子公司在中國制造、銷
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美光科技 DRAM NAND
- 此次對美國芯片巨頭美光(Micron)發出“訴中禁令”雖不是最終判決，但似乎暗示美光確實存在侵權行為。而這是中國發展半導體一路被指稱“竊密”和“侵權”以來，首次成功重拳回擊。
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芯片，美光，DRAM
- 6月26日-28日，基本半導體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。 基本半導體展臺以充滿科技感和未來感的藍白為主色調，獨有的3D SiC?技術和自主研發的碳化硅功率器件吸引了眾多國內外參展觀眾的眼球。 全球獨創3D SiC?技術 展會期間，基本半導體技術團隊詳細介紹了公司獨創的3D SiC?外延技術，該技術能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過外延生長結構取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應用中擁有更高的穩定性。優良的外延質量和設計靈活性也有利于實現高電流密度的
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基本半導體 3D SiC技術 碳化硅功率器件
- 在“2018中國半導體市場年會暨IC中國峰會”上，紫光集團有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲器產業崛起之路”報告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時間，紫光進入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
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存儲器 3D NAND 自主可控 201807
- 受惠于市場需求強力推升，服務器存儲器供應持續吃緊，近來市場傳出，存儲器龍頭廠三星與海力士18nm制程出現良率問題，應用于高階服務器產品遭到退貨，包括美國及大陸廠商已要求暫時停止出貨。盡管三星對外刻意采取低調，但多家臺灣地區業者近日仍紛紛接獲消息，業界預計最快1~2個月左右應可改善良率，但由于第3季DRAM價格預期將緩步上升，如今再受到高階DRAM產出供不應求，將為下半年市場價格漲幅投下變量。 根據市場消息傳出，三星及SK海力士先后于5月起傳出18nm制程出現質量疑慮，并遭到數據中心客戶退貨，且在改善
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SK海力士 DRAM
- Gartner 6月11日公布，2018年第1季全球服務器銷售額年增33.4%至166.93億美元、出貨量年增17.3%。 Gartner研究副總裁Jeffrey Hewitt指出，服務器市場是由超大規模(Hyperscale)數據中心以及企業與中型數據中心支出攀高所驅動。他還提到，服務器第1季銷售均價上揚的原因之一是DRAM價格因供給吃緊而走高。 Gartner統計顯示，2018年第1季北美服務器銷售額、出貨量分別成長34%、24.3%，亞太分別成長47.8%、21.9%，歐洲、中東與非洲(EM
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DRAM
- 受中美競爭特別是中興事件的影響，國內對芯片的重視程度被進一步拔高，而在存儲芯片方面隨著三大存儲芯片企業長江存儲、合肥長鑫和福建晉華的快速推進讓人看到中國存儲芯片企業有機會打破當前由美日韓企業壟斷的局面，不過要打破這一局面還需要時間。 美日韓壟斷存儲芯片市場 存儲芯片主要分為兩種，分別是DRAM和NAND flash，在我們日常見到的產品中分別是PC用的DRAM內存條和SSD硬盤，這兩類產品在各個行業都有廣泛的應用，而且隨著各個產業的發展這兩類產品的重要性正日益凸顯，這也導致存儲芯片價格自2016年
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芯片，DRAM
- SK海力士在無錫可謂多災多難。2008年曾經停電4個小時，2013年又發生重大火災，都有大量晶圓報廢，對全球DRAM內存、NAND閃存供應造成重大影響。
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SK海力士，DRAM
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