3d dram 文章 最新資訊

受華為斷供影響，DRAM 十月份價格暴跌 9％

• 11月1日消息 據(jù)韓媒 The Lec 今日報道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價格遭遇集體暴跌。分析師認為，這是由于美國對華為的制裁所致，這加劇了存儲芯片市場價格的下跌。據(jù)市場研究公司 DRAM Exchange 上個月 30 日的統(tǒng)計，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價格下降 8.9%。這與八月和九月連續(xù)第二個月保持平穩(wěn)的情況形成了對比，就 NAND 閃存而言，128GB 存儲卡和用于 USB 的多層單元存儲（MLC）
• 關鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

完全漲不動：內(nèi)存價格繼續(xù)觸底

• 根據(jù)IC Insights的分析報告，DRAM內(nèi)存芯片在今年底之前將繼續(xù)呈現(xiàn)下滑態(tài)勢。簡單回顧下，內(nèi)存跌價大致是從2018下半年開始，2019年12月均價一度跌至3.9美元。盡管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家辦公、遠程學習等推動了PC等設備的需求增長，內(nèi)存價格有所小幅反彈，但持續(xù)的時間并不長。6月份DRAM均價是3.7美元，7、8月份則在3.51美元處徘徊。通常來說，三四季度是DRAM價格大幅飆升的旺季，可今年的情況大家都懂，無論是廠商還是個人消費者，其季節(jié)性的購買行為也被擾亂了。另外，盡管5G智能
• 關鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM

• SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標準，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品，尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機器學習等領域。         圖1. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          圖2. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          SK海力士于2018年1
• 關鍵字： SK海力士  DDR5  DRAM  

"爛尾”的格芯成都廠終于有人接盤了？將轉產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片？

• 擱淺2年多的成都格芯廠，在今年5月正式宣布停業(yè)4個多月之后，終于迎來了接盤者————成都高真科技有限公司（以下簡稱“高真科技”），并有望轉產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。根據(jù)企查查的資料顯示，高真科技成立于2020年9月28日，注冊資本51.091億元人民幣。經(jīng)營范圍包括：“銷售：電子元器件、集成電路、集成電路芯片及產(chǎn)品、電子產(chǎn)品、機械設備、計算機、軟硬件及其輔助設備；存儲器及相關產(chǎn)品、電子信息的技術開發(fā)；電子元器件制造；集成電路制造；軟件開發(fā)；質檢技術服務（不含進出口商品檢驗鑒定、認證機構、民用核安全設備無損檢驗、
• 關鍵字： 格芯成都  DRAM  

HBM2E 和GDDR6： AI內(nèi)存解決方案

• 前言人工智能/機器學習（AI/ML）改變了一切，影響著每個行業(yè)并觸動著每個人的生 活。人工智能正在推動從5G到物聯(lián)網(wǎng)等一系列技術市場的驚人發(fā)展。從2012年到 2019年，人工智能訓練集增長了30萬倍，每3.43個月翻一番，這就是最有力的證 明。支持這一發(fā)展速度需要的遠不止摩爾定律所能實現(xiàn)的改進，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計算機硬件和軟件的各個方面都需要不斷的快速改進。從2012年至今，訓練能力增長了30萬倍內(nèi)存帶寬將成為人工智能持續(xù)增長的關鍵焦點領域之一。以先進的駕駛員輔助系
• 關鍵字： ADAS  ML  DRAM  內(nèi)存  

三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線開始量產(chǎn)

• 實現(xiàn)DRAM量產(chǎn)后，預計生產(chǎn)新一代VNAND與超精細制程的晶圓代工產(chǎn)品 憑借更快更薄的產(chǎn)品搶占移動設備市場，下一步進軍汽車電裝市場 韓國首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線正式開工，首發(fā)量產(chǎn)產(chǎn)品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節(jié)）LPDDR5移動DRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線的建筑面積達12.89萬平方米（
• 關鍵字： EUV10  納米級  LPDDR5  DRAM  

三星宣布其全球最大半導體生產(chǎn)線開始量產(chǎn)16Gb LPDDR5 DRAM

• 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當下最高的移動產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個新的門檻，克服了先進節(jié)點下DRAM擴展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產(chǎn)品與技術執(zhí)行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號線占地超過128900平方米，相當于約16個足球場，是迄今為止全
• 關鍵字： 三星  LPDDR5  DRAM  

三星加快部署3D芯片封裝技術 希望明年同臺積電展開競爭

• 據(jù)國外媒體報道，本月中旬，三星展示了他們的3D芯片封裝技術，而外媒最新的報道顯示，三星已加快了這一技術的部署。外媒是援引行業(yè)觀察人士透露的消息，報道三星在加快3D芯片封裝技術的部署的。加快部署，是因為三星尋求明年開始同臺積電在先進芯片的封裝方面展開競爭。從外媒的報道來看，三星的3D芯片封裝技術名為“eXtended-Cube” ，簡稱“X-Cube”，是在本月中旬展示的，已經(jīng)能用于7nm制程工藝。三星的3D芯片封裝技術，是一種利用垂直電氣連接而不是電線的封裝解決方案，允許多層超薄疊加，利用直通硅通孔技術來
• 關鍵字： 三星  3D  芯片  封裝  臺積電  

三星電子展示3D晶圓封裝技術 可用于5納米和7納米制程

• 據(jù)臺灣媒體報道，三星電子成功研發(fā)3D晶圓封裝技術“X-Cube”，稱這種垂直堆疊的封裝方法，可用于7納米制程，能提高該公司晶圓代工能力。圖片來自三星電子官方三星的3D IC封裝技術X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、簡稱TSV)，能讓速度和能源效益大幅提升，以協(xié)助解決次世代應用嚴苛的表現(xiàn)需求，如5G、人工智能(AI)、高效能運算、行動和穿戴設備等。三星晶圓代工市場策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技術，確保TSV在先進的極紫外光(EUV)制程節(jié)
• 關鍵字： 三星  3D  晶圓  封裝  

第四代低功耗動態(tài) DRAM 與其延展版的車輛應用解決方案

• 日本計劃在東京奧運會上展示無人駕駛技術，展現(xiàn)了近年來汽車智能化的成果。隨著5G技術與人工智能（ AI）的發(fā)展，車載通訊技術已慢慢從早期的娛樂影音播放以及導航系統(tǒng)，發(fā)展到現(xiàn)在的深度學習與車聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著無人駕駛的目標前進。而實現(xiàn)此目標的關鍵因素正是半導體。目前，先進駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）是車載通訊中最普遍的應用之一，它包含不同的子功能主動式巡航控制、自動緊急煞車、盲點偵測以及駕駛人監(jiān)控系統(tǒng)等。車輛制造商一直試著添加更多主動式安全保護，以達到無人駕駛的最終目標。因此，越來越多的半導體產(chǎn)商與車輛制造
• 關鍵字： ADAS  NOR  DRAM  AI  V2X  EM  

KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)

• 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規(guī)光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構架，針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
• 關鍵字： DRAM  NAND  

打破國外壟斷，全國產(chǎn)3D芯片為機器人“點睛”

從原子的物理世界到0和1的數(shù)字世界，3D視覺“感知智能”技術是第一座橋梁。我國放量增長的工業(yè)級、消" />

• 傳統(tǒng)機器人只有“手”，只能在固定好的點位上完成既定操作，而新一輪人工智能技術大大推動了機器和人的協(xié)作，這也對機器人的靈活性有了更高要求。要想像人一樣測量、抓取、移動和避讓物體，機器人首先需要對周邊世界的距離、形狀、厚薄有高精度的感知，而3D視覺芯片可以引導機器人完成上述復雜的自主動作，它相當于機器人的”眼睛”和”大腦”。近日，中科融合感知智能研究院（蘇州工業(yè)園區(qū)）有限公司（以下簡稱中科融合）的全球首顆高精度3D-AI雙引擎SOC芯片，已經(jīng)在國內(nèi)一家芯片代工廠進入最終流片階段。這顆芯片將和中科融合已經(jīng)進入批
• 關鍵字： 3D-AI  雙引擎  SOC  MEMS  

SK海力士開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

• 7月2日，SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
• 關鍵字： SK海力士  DRAM  

SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

• SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。           圖1. SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM, HBM2E    SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs,  輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.
• 關鍵字： SK海力士  超高速  DRAM  HBM2E  

Melexis 推出汽車級 3D 霍爾效應傳感器 IC

• 微電子半導體解決方案全球供應商Melexis 近日宣布推出 MLX90395 Triaxis? 磁力計節(jié)點，這是一款汽車級 (AEC-Q100) 單片傳感器 IC，可利用霍爾效應提供三維無接觸式傳感功能。MLX90395 雙裸片版本可實現(xiàn)冗余，適用于要求苛刻的場景，例如汽車應用中的變速換檔桿位置傳感。MLX90395 的功能通過系統(tǒng)處理器定義，而不是硬連線到器件本身。就位置傳感的適用性而言，該產(chǎn)品幾乎不受任何范圍限制。MLX90395 提供 I2C 和 SPI 兩種接口，可輕松在汽車或工業(yè)控制環(huán)境中集成。
• 關鍵字： IC  3D