不久前，Altera公司公開了在其下一代20nm產品中規劃的幾項關鍵創新技術，通過在20 nm的體系結構、軟件和工藝的創新，支持更強大的混合系統架構的開發。日前，Altera公司資深副總裁首席技術官Misha Burich博士專程來到北京，詳細介紹了創新技術的細節。
據Misha Burich博士介紹，Altera的20nm混合系統架構包括40-Gbps收發器技術、下一代精度可調數字信號處理(DSP)模塊體系結構以提供高達5 TFLOP(每秒5萬億次浮點運算)的IEEE 754標準浮點運算性能、
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Altera 20nm 收發器
不久前，Altera公司公開了在其下一代20nm產品中規劃的幾項關鍵創新技術，通過在20 nm的體系結構、軟件和工藝的創新，支持更強大的混合系統架構的開發。日前，Altera公司資深副總裁首席技術官Misha Burich博士專程來到北京，詳細介紹了創新技術的細節。
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Altera 20nm FPGA 201210
臺積電研發副總侯永清表示，以上參考流程能夠完整的，將臺積電先進的20奈米與CoWoS技術提供給晶片設計業者，以協助其盡早開始設計開發產品。而對于臺積電及其開放創新平臺設計生態環境伙伴而言，首要目標即在于能夠及早、并完整地提供先進的矽晶片與生產技術給客戶
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臺積電 20nm CoWoS
至于智慧型手機晶片，現在多采28或32奈米制程，明年良率會倍增到75%，吸引更多手機大廠采用。德意志證券預估，明年約有75~100%智慧型手機搭配28或32奈米制程的晶片，整體半導體產業又向前跨一步。
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臺積電 20nm
注2：doublepatterning(兩次曝光)：20nm后需要兩次曝光或多次曝光。28nm到20nm時，設備不用做大的改變，但是設計手段要變。因為20nm后，設計間距太窄了，一次曝光會使光線無法穿過，或者穿過的光線大大失真。doublepatterning就像兩個人坐在一起，為了加大間距，中間可隔開一個位置。因此，人們把一層金屬拆成兩個mask(掩膜)，這樣間距加大，光的不良效應就降低。方法是第一次曝光奇數行，第二次偶數行。
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20nm 3D
ARM和Globalfoundries都沒有透露雙方合作將持續多長時間，但鑒于20nm工藝節點還有很長的一段路要走，臺積電也不必太過擔心于增加28nm工藝節點的產量。
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ARM 20nm
近日，ARM和Global Foundries簽訂了一個長期協議，將一起研發生產下一代移動系統級(SoC)芯片。屆時，兩家公司將合力開發生產20nm芯片，并在生產過程中使用FinFET加工技術。另外，根據這個協議，ARM還需要著手開發 Artisan Physical IP 平臺，其中包括電池庫、記憶卡及POP IP解決方案。
而研發生產出來的芯片將用于下一代的智能手機、平板電腦和超級本。
據報道，Global Foundries生產的20nm LPM技術將可提升芯片40%的性能表現。
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ARM 20nm
芒果啤酒對于半導體設計與制造業有什么貢獻?我從未想象過，在一張來自世界各地的啤酒愛好者的表單中，果味啤酒會通過一項味覺測試。事實證明，芒果啤酒非常好!同樣的道理，20nm曾經被認為華而不實，不會投入量產，不會微縮，但事實證明20nm非常好。那些前沿的無晶圓廠商們6個月前還在撓頭糾結，現在已經在規劃著明年第一季度20nm的流片了。
20nm工藝節點是電子產業的轉折點。它帶來巨大的動力、性能和面積優勢，同時帶來了光刻技術、可變性和復雜性等挑戰。然而令人欣慰的是，通過在端到端、集成設計流程中使用EDA
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半導體 20nm IDM
意法半導體宣布，引領全球半導體技術升級的半導體代工廠商GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導體專有的FD-SOI(FullyDepletedSilicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅)技術為意法半導體制造28納米和20納米芯片。當今的消費者對智能手機和平板電腦的期望越來越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網功能，同時又不能犧牲電池壽命。在設備廠商滿足消費者這些需求的努力中，意法半導體的FD-SOI芯片的量產和上市將起到至關重要的作用。
多媒體融合應用需要性能
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意法半導體 20nm 28nm
全球智能手機市場近幾年來出現爆發式增長，智能手機迅速對功能手機進行更新換代，高端智能手機的需求也同樣增長迅猛。但目前最高端的28納米尺寸芯片的缺貨，可能對高端智能手機的出貨產業影響。雖然日前分析家稱，蘋果公司下一代iPhone的發布計劃不會受到高通公司28納米芯片缺貨的影響，但高通公司13日也承認28納米芯片供給吃緊，問題要等到今年10~12月才能得到緩解。
28納米芯片缺貨
隨著越來越多的人開始使用手機和平板電腦上網、玩游戲和看視頻，對移動設備芯片的需求也在增加。據美國市場研究公司com
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ARM 20nm 28nm
最近，有關于三星存儲器生產項目落戶西安的新聞充斥網絡，引起了很大的爭議。
該項目是三星電子繼1996年于美國奧斯汀之后第二次在海外設立半導體生產工廠，同時是三星電子海外投資史上最大的項目，也是我國西部地區迄今為止最大的外商投資高新技術項目。該項目主要包含20nm工藝存儲芯片生產線以及相關研發中心，三期預計總投資300億美元，第一期約70億美元，將坐落于西安市長安區興隆鄉，毗鄰西安電子科技大學，計劃今年開工，明年年底前投產。
爭議的焦點不在于三星此次投資的規模，而在于西安方面給出的優惠政策。
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三星 20nm 生產線
根據官網消息，臺積電于今日在臺南科學工業園區舉行Fab 14超大型晶圓廠五期奠基儀式。此前本站曾經報道臺積電Fab 14五期將可極大緩解28nm制程工藝產能不足的現狀，但從今日公告看來其意義遠不僅僅如此。
臺積電稱，今日奠基的Fab 14五期將是臺積電繼新竹園區Fab 12六期之后第二座具備20nm制程工藝生產能力的超大型12英寸晶圓廠，預計將于2014年初進行量產。兩座晶圓廠總無塵潔凈室面積高達87000平方米，超過11個足球場的面積，是一般2英寸晶圓廠的4倍。臺積電稱該公司的20nm制程工藝
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臺積電 20nm
通用平臺聯盟的三巨頭IBM、GlobalFoundries、三星電子將于今年3月14日(德國漢諾威CeBIT 2012展會之后一周)在加州圣克拉拉舉行2012年通用平臺技術論壇，主題是“預覽硅技術的未來”(previewing the future of silicon technology)。
屆時，三大巨頭將會聯合介紹在28nm、20nm、14nm等一系列新工藝技術上的發展和開發情況，同時還會展望下一代450毫米晶圓——比現在流行的300毫米大
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IBM 20nm
臺灣TSMC公司宣布，該公司目前已經開始了旗下Fab15(Gigafab)工廠的phase3廠房建設，新廠房將會被用于20nm以及更先進的生產工藝。
TSMC于2010年7月開始了Fab15,phase1的建設，并于2011年年中完成了設備的安裝，計劃于2012年年初投入生產。與此同時，Fab15,phase2于2011年年中開始建設，計劃于明年投入生產。Fab15/1和Fab15/2預計將會每年帶來約30億美元的產值，而phase3在不久的未來也將會達到相似的規模。
TSMC公司主席Mo
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TSMC 20nm
法國研究機構SPINTEC與開發MRAM技術的Crocus Technology共同開發出了將熱輔助切換(Thermally Assisted Switching：TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技術。并在2011年10月31日于美國亞利桑那(Arizona)州斯科茨戴爾(Scottsdale)開幕的磁技術國際會議“56th MMM”的首日進行了發布。
TAS技術是一項邊用加熱器對MTJ元件存儲層進行加熱，邊寫入數據的技術。對存儲層進行加熱后，矯頑力會
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MRAM 20nm
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