- GlobalFoundries今天宣布，最新的20nm工藝試驗芯片已于近日成功流片，這也是新工藝發展之路上里程碑式的關鍵一步。
GlobalFoundries 20nm工藝使用了四家電子設計自動化(EDA)廠商的工藝流程，分別是Cadence Design Systems、Magma Design Automation、Mentor Graphics Corporation、Synopsys Inc.。
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GlobalFoundries 20nm
- Cadence設計系統有限公司近日宣布高科技廠商三星電子有限公司使用Cadence統一數字流程，從RTL到GDSII，成功實現了20納米測試芯片的流片。Cadence Encounter工具集成平臺的流程與方法學的應用，滿足了三星片上系統(SoC)產品對于高級20納米工藝技術的需要。該流程處理了IP集成與驗證，以及20納米工藝的復雜設計規則。
此次成功表明了三星在高級工藝節點上設計與生產的領先地位，以及Cadence統一數字流程拓展到下一個工藝節點的實力。此外，達到這樣的里程碑表明設計鏈的主要方
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三星 20nm
- 三星電子日前宣布，已經成功實現了20nm工藝試驗芯片的流片，這也是迄今為止業內最先進的半導體制造工藝。三星電子此番利用了美國加州電子設計自動化企業Cadence Design Systems提供的一體化數字流程RTL-to-GDSII。
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三星 20nm Cortex-M0
- 近日比利時注明的獨立微電子研究機構IMEC近日宣布與NVIDIA達成合作協議，共同致力于先進CMOS工藝的研發。
簽署這份為期三年的協議后，NVIDIA將成為IMEC的InSite核心級別無工廠合作伙伴，能在第一時間為自己的下一代產品評估和選擇先進的制造工藝和設計技術，還將攜手研發3D三柵極晶體管、后20nm工藝光刻應用等技術。
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NVIDIA 20nm
- 集邦科技發布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。
集邦科技稱，新款智能機、平板機的發布以及春節期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節性銷售因素影響。到二季度時，閃存市場的供需就會更加平衡，價格下降幅度不會太大。
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NAND 20nm
- 法國兩家半導體研究機構CEA-Leti和Circuits Multi Projets日前宣布，他們將在一項定于明年9月份啟動的300mm多項目晶片研究計劃中采用基于20nm制程的全耗盡型SOI工藝制作這種芯片。這次 多項目晶片研究計劃是由歐洲一個專門研究SOI技術的學術團體EuroSOI+負責參與支持的。
所謂的多項目芯片(multi-project wafer：MPW)，指的是在同一片晶圓上采用相同的制程制出不同電路設計的IC芯片，這樣可以為多家廠商或研究機構的IC設計驗證節約成本，非常適用于
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FDSOI 20nm
- 據electronicsweekly網站報道，臺積電公司近日宣稱已經開發出一套采用Finfet雙門立體晶體管技術制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已經采用這種制程造出了面積僅0.1平方微米的SRAM單元(內含6個CMOS微晶體管)，據稱這種制程生產的芯片產品在0.45V工作 電壓條件下的信號噪聲僅為0.09V。
這種Finfet制程技術采用了雙外延(dual-epitaxy)和多重硅應變(multiple stressors，指應用多種應力源增強溝道載流子遷移率的技術)技術，臺積電宣稱
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臺積電 立體晶體管 20nm
- Applied Materials公司近日宣布開發出了一種新的化學氣相淀積(CVD)技術，這種技術能為20nm及更高等級制程的存儲/邏輯電路用晶體管淀積高質量的 隔離層結構。據Applied Materials公司宣稱，這些隔離結構的深寬比可超過30：1，比目前工藝對隔離結構的要求高出5倍左右。
這項技術使用了Applied Materials公司名為Eterna流動式化學氣相沉積系統(Flowable CVD:FCVD)的技術專利，淀積層材料可以在液體形態下自由流動到需要填充的各種形狀的結構中
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應用材料 CVD 20nm
- 南韓內存廠商Hynix公司日前宣布已開始量產20nm制程級別64Gb NAND閃存芯片，這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠生產的。Hynix公司表示，升級為2xnm制程節點后，芯片的生產率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手機，SSD 硬盤等的NAND閃存容量則將大有增長。
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Hynix Cheong-ju M11工廠
Hynix公司稱首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產品將于今年年底上市銷售。Hynix公司雖然不是I
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Hynix NAND 20nm
- ARM與其長期代工合作伙伴臺積電公司近日宣布雙方已經正式簽署了由臺積電公司使用28/20nm制程技術為ARM公司代工新款SOC芯片的合作協議。根據這份協議，臺積電公司將為ARM代工多款專門針對臺積電的制程技術優化過的ARM處理器產品，另外，雙方還將合作開發專門針對臺積電的制程技術優化過的 處理器核心設計技術，這些技術將被應用到包括無線功能，便攜式計算，平板電腦產品，高性能計算等應用范圍的產品中去。
去年，ARM曾經與臺積電的死對頭GlobalFoundries簽訂了一項合作協議，不過那份協議
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ARM 20nm SOC
- 據臺積電公司負責技術研發的副總裁蔣尚義表示，2011年臺積電從荷蘭ASML公司訂購的極紫外(EUV，波長13.5nm)光刻設備將運抵廠內，這批訂 購的設備將為臺積電公司2013年將公司制程能力升級到20nm級別鋪平道路.蔣尚義是在本月24日舉辦的臺積電技術論壇會議上說出這番話的,他同時還指 出EUV光刻技術要想投入商用還需要更加成熟，另外他還透露這批訂購的EUV光刻工具每小時能刻制100片晶圓。
臺積電首批EUV光刻設備將被安裝在300mm Fab12工廠內，而臺積電未來的研發重點則將放在2
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臺積電 20nm 光刻設備
- 臺積電總裁張忠謀認為,雖然近期IC業的形勢越來越好, 但是產業還是面臨諸多挑戰。
在近期舉行的臺積電技術會上張忠謀表示,摩爾定律正在減緩和芯片制造成本越來越高，因此臺積電將比過去在芯片制造商與代工之間更加加強緊密合作。
它對于大家說,此種合作關系要從芯片設計開始, 并相信未來臺積電會做得更好。
它同時指出，加強合作要依技術為先。從技術層面, 那些老的，包括新的代工競爭者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,對于臺積電都能構成大的威脅。
非常幸運, 大部分
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臺積電 20nm CMOS
- 繼Intel、美光上個月宣布投產25nm NAND閃存芯片后，韓國兩大存儲廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產計劃。
海力士將采用26nm工藝生產容量為64Gb的NAND閃存芯片，這和Intel、美光首批投產的25nm芯片容量一致。而三星則計劃在今年第二季度投產27nm NAND閃存。
海力士表示，和30nm工藝相比，新工藝的閃存芯片的產能將翻一番，成本也將大幅度降低。根據韓國當地媒體的報道，海力士將在今年第三季度開始量產 26nm閃存芯片。在這一點上三星已經占
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三星 20nm NAND閃存 海力士
- 東芝公司今天在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導體技術會議上宣布，其20nm級CMOS工藝技術獲得了重大突破，開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規模集成電路設備的大門，成為業界首個能夠投入實際生產的20nm級CMOS工藝。東芝表示，他們通過對晶體管溝道的摻雜材料進行改善，實現了這次突破。
在傳統工藝中，由于電子活動性降低，通常認為體硅(Bulk)CMOS在20nm級制程下已經很難實現。但東芝在溝道構造中使用了三層材料，解決了這一問題，成功實現了20nm級的體硅CMOS。這三層材料
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東芝 CMOS 20nm
- 據業者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產能，直至達到20萬片的產能水平。
東芝公司最近已經開始32nm制程3bpc(每存儲單元3bit數據)閃存芯片的量產，按原先的計劃，合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產量應在今年底前達到總產量的50%左右，不過按目前的產能規劃來看，實際的量產實施時間看來已經會有所拖延。
另一方面，對手In
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SanDisk 20nm NAND 閃存芯片
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