全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司與Swoboda共同開發和銷售用于汽車應用的高性能電流傳感器模塊。此次合作將英飛凌一流的電流傳感器IC與?Swoboda在傳感器模塊開發和產業化方面的技術專長相結合，以滿足混合動力與電動汽車傳感解決方案市場的快速增長。雙方聯合開發的高性能電流測量解決方案加快了牽引逆變器和電池管理系統等大批量應用，以及其他關鍵汽車應用的上市時間。其中的首款產品Swoboda CSM510HP2采用全封裝電流傳感器模塊，在不影響性能的情況下顯著減少了占用面積。
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英飛凌 Swoboda 電動汽車 電流傳感器
專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術，開啟了電力系統和能量轉換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲存系統、電動汽車充電、電源和電機驅動應用。貿澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
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貿澤 英飛凌 CoolSiC G2 MOSFET
近年來，隨著科技的不斷進步和全球對綠色低碳發展的需求日益增長，半導體行業迎來了前所未有的發展機遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費電子、電動汽車、可再生能源等多個領域展現出巨大的應用潛力。作為全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者，英飛凌在氮化鎵領域持續深耕，通過戰略布局、技術創新、市場應用拓展等不斷鞏固其市場地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會期間舉辦了一場專門的氮化鎵新品媒體溝通會，會上英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業務市場總監程文濤先生以及英飛凌科技
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氮化鎵 英飛凌 GaN Systems
OptiMOS? 7 40V 車規MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術的40V車規MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。如下圖所示，英飛凌40V MOSFET不同代際產品在比導通電阻的演進。英飛凌40V MOSFET比導通電阻代際演進英飛凌OptiMOS?
7
技術是英飛凌開發的第五代溝槽技術，是當今領先的雙多晶硅溝槽技術。無引腳封裝結合銅夾技術的使用，大幅提高了產品的電流能
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OptiMOS MOSFET 英飛凌
●? ?電源故障是數據中心和電信基礎設施運營商面臨的一項日益嚴峻的挑戰??? ●? ?英飛凌功率系統可靠性建模是保障數據中心供電可靠性與穩定性的關鍵步驟●? ?更高的設備利用率和以數據為依據的維護建議可提高盈利能力、降低總體擁有成本和碳足跡功率系統可靠性建模解決方案英飛凌科技股份公司近日推出功率系統可靠性建模。這項創新解決方案能夠應對數據中心和電信基礎設施面臨的日益嚴峻的系統電源故障問題。這些設施39%的宕機時間因停
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英飛凌 功率系統 可靠性建模 數據中心 電力短缺
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出全新CoolGaN?晶體管700 V G4產品系列。與市場上的其他氮化鎵（GaN）產品相比，該系列晶體管的輸入和輸出性能優化了20%，從而提高效率，降低功率損耗，并提供了更具成本效益的解決方案。憑借電氣特性與封裝的優勢結合，它們能夠在消費類充電器和筆記本適配器、數據中心電源、可再生能源逆變器、電池存儲等眾多應用中發揮出色的性能。該產品系列包含13款器件，額定電壓為700 V、導通電阻范圍在20 mΩ至315 mΩ之間。由于器件規格粒度增多，再
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英飛凌 CoolGaN 功率晶體管
XDP?
XDPS2221是一款集成了交流直流功率因數校正（PFC）控制器和DC-DC混合反激控制器（HFB）的單一解決方案。通過兩個階段的協調操作，可以輕松滿足監管效率的要求。此外，所有門極驅動器的進一步集成和600
V高壓啟動單元（用于初始IC電壓供應）可以減少外部物料清單（BOM）成本和元器件數量。基于新穎的零電壓開關（ZVS）HFB拓撲結構和基于GaN的器件，它在各種輸入/負載條件下都具有領先同類產品的效率。憑借這些特點及XDP?
XDPS2221固有的拓撲結構優勢，如，零電壓
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英飛凌 PFC+ 混合反激式拓撲 XDPS2221 適配器
英飛凌科技股份公司近日推出新一代高壓（HV）和中壓（MV）CoolGaNTM半導體器件系列。這使客戶能夠將氮化鎵（GaN）的應用范圍擴大到40 V至700 V電壓，進一步推動數字化和低碳化進程。在馬來西亞居林和奧地利菲拉赫，這兩個產品系列采用英飛凌自主研發的高性能?8?英寸晶圓工藝制造。英飛凌將據此擴大CoolGaNTM的優勢和產能，確保其在GaN器件市場供應鏈的穩定性。據Yole Group預測，未來五年GaN器件市場的年復合增長率（CAGR）將達到46%。英飛凌科技電源與傳感系統事
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英飛凌 8英寸 晶圓代工 CoolGaN
英飛凌科技股份公司近日推出兩項全新的CoolGaN?產品技術：CoolGaN?雙向開關（BDS）和CoolGaN??Smart Sense。CoolGaN? BDS擁有出色的軟開關和硬開關性能，提供40 V、650 V?和?850 V電壓雙向開關，適用于移動設備USB端口、電池管理系統、逆變器和整流器等。CoolGaN? Smart Sense?產品具有無損電流檢測功能，簡化了設計并進一步降低了功率損耗，同時將各種晶體管開關功能集成到一個封裝中，適用于消費類USB-
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英飛凌 CoolGaN 功率系統
引言大多數家用電器都使用電機來操作其功能，如在洗衣機中轉動滾筒，或者在冰箱中壓縮制冷劑。通過變頻技術來調節電機是一種有效的高能效解決方案。變頻技術需要使用適當的半導體解決方案。一種行之有效的方法是使用智能功率模塊（IPM）。將功率半導體和驅動電路集成到一個模塊中，有助于系統設計人員提高系統可靠性。這種解決方案簡化了生產裝配工序，并且可以在硬件設計方面節省時間和精力。然而，這樣的緊湊型封裝集成也給散熱帶來了不小的難度。因此，至關重要的是使用高能效半導體來減少器件內部的功率損耗。英飛凌新近開發的CIPOS M
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全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出全新的AIROC??CYW5591x無線微控制器（MCU）產品系列。新系列整合了強大的長距離Wi-Fi 6/6E與低功耗藍牙5.4以及安全的多功能MCU，使客戶能夠為智能家居、工業、可穿戴設備和其他物聯網應用打造成本更低且節能的小尺寸產品。該平臺具有很高的靈活性，能夠加快客戶產品的上市速度。這離不開英飛凌的ModusToolbox?軟件、RTOS和Linux主機驅動程序、經過全面驗證的藍牙協議棧和多個示例代碼、支持Matter軟件，
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?? ?英飛凌在半導體行業發揮先鋒作用，為客戶提供有關各個產品系列對氣候影響的具體數據，提高碳足跡透明度?? ?英飛凌的目標是將其提供的產品碳足跡數據的覆蓋范圍，最終擴大到全部的產品組合?? ?提供產品層面的碳足跡數據是英飛凌實施可持續發展戰略過程中又一座重要里程碑英飛凌科技股份公司將率先為客戶提供完整的產品碳足跡（PCF）數據，在半導體行業發揮先鋒作用。公司的最終目標是提供全部產品組合的碳足跡數據，目前英飛凌已經可以為其一半的產品組合提供碳足跡
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英飛凌 碳足跡 低碳
前言在近代急速發展的汽車技術因素下，不斷引伸出不同場景下對汽車功能的使用需求。當中產生了對汽車通訊功能要求上的大幅度提升，因此功能更先進和更強大的車載以太網已經漸漸地變成了車身通訊必不可缺的成員之一。文章會從了解現今對車載網絡（In-Vehicle Network）的應用需求開始，看看車載以太網是怎樣通過自身強大的網絡功能，滿足日新月異的汽車通訊功能要求，獲得不同汽車生產和開發商的信任和使用，同時最后也會分享英飛凌最新的AURIX TM TC4x系列微控制器是如何滿足客戶對高速以太網絡
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英飛凌 車載以太網 AURIX TC4x
英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結（SJ）MOSFET產品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產品系列的后續產品。全新超結MOSFET實現了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產品陣容。該系列產品配備集成式快速體二極管，適用于服務器和工業開關模式電源裝置（SMPS）、電動汽車充電器、微型太陽能等廣泛應用。這些元件采
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英飛凌 oolMOS 8 SJ MOSFET 電源應用
隨著人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務器電源（PSU）必須在不超出服務器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現，促使英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開發電壓650 V以下的SiC MOSFET產品。現在，英飛凌基于今年早些時候發布的第二代（G2）CoolSiCTM技術，推出全新CoolSiC??MOS
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英飛凌 CoolSiC MOSFET AI服務器電源
英飛凌介紹
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財年公司營業額達71.9億歐元，是全球領先的半導體公司之一。作為國際半導體產業創新的領導者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業電子、內存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導體產品及完整的系統解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發，全球共擁有41,000項專利。自從1996年在無錫建立 [
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