近期，英飛凌科技與美的集團簽署戰略合作協議。通過深度整合各自優勢資源，雙方將在智能家電、新能源以及全球供應等多維度加深合作，共同為消費者提供綠色、安全、高效的產品與服務。英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人于代輝， 美的集團副總裁兼首席可持續發展官李國林代表雙方正式簽署戰略合作協議。英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人于代輝(圖右)與美的集團副總裁兼首席可持續發展官李國林(圖左)長期以來，英飛凌與美的集團緊密合作，技術協同的深度與廣度持續升級，合作領域不斷拓展，從最初聚
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英飛凌 美的
TLD7002-16ES網關應用示例在現代汽車中，眾多電子控制單元（ECU）負責控制各種功能，如發動機管理、傳動控制、制動系統和信息娛樂系統。每個ECU通常都配備有自己的MCU，這增加了汽車電氣架構的總體復雜性和成本。車燈的情況也是如此，前后左右的車燈通常都有各自獨立的ECU。尤其在一些車燈包含成百上千個像素，或者燈是由多塊分散的印刷電路板（PCB）組成時，以市場現存大量量產的LED驅動解決方案而言，每個燈板都需要使用一片MCU來作為控制的轉發點來提升系統的可靠性，通訊速度以及電磁兼容（EMC）性能。本文
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英飛凌 EMC 車載燈光 域控制器
Infineon Technologies 開發了用于固態保護和配電設計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產品。JFET 通過反向偏置 PN 結上的電場來控制電導率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著降低導通損耗。大體通道優化的 SiC JFET 在短路
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英飛凌 SiC JFET 固態配電
氮化鎵（GaN）單片雙向開關正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動導通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯二極管實現第三象限傳導。這種被動式反向導通不僅缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導致效率損失。為實現雙向可控傳導，工程師常采用背對背（B2B）拓撲級聯兩個器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統復雜度。由于有效的州電阻（RDSON）加倍，因此需要這些設備的平行組，以使返回到使用單向開關獲得的值。可以執行此類四季度操作的單片設備可以通過用單個設備替換四個活
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英飛凌 氮化鎵 雙向開關
●? ?2025財年第二季度：營收為?35.91?億歐元，利潤為6.01?億歐元，利潤率16.7%●? ?2025財年第三季度展望：假設歐元兌美元匯率為1:1.125，預計營收將達到?37?億歐元。在此基礎上，利潤率預計為14%~16%左右●? ?2025財年展望：假設歐元兌美元匯率為1:1.125（之前假設為1:1.05），預計營收較上一年將略有下降。這包括了對關稅政策潛在影響的估算。調整后的毛
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英飛凌 2025財年第二季度
英飛凌科技股份公司已獲得德國聯邦經濟事務部（German Federal Ministry for Economic Affairs）的最終批準，為其位于德累斯頓的智能發電廠提供資金。與此同時，該公司預計，由于美國對汽車征收關稅，到 2025 年銷量將減少 10%。該晶圓廠的 10 億歐元資金將推動該公司對智能功率器件生產的 50 億歐元投資。這是歐盟芯片法案和 IPCEI ME/CT 創新計劃（微電子和通信技術方面歐洲共同利益的重要項目）資助的一部分，該計劃于 2 月通過德國政府獲得批準。“我們的智能電
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英飛凌憑借其高性能功率開關器件和EiceDRIVER?列的隔離柵極驅動器而聞名，每個功率開關都需要驅動器，對于驅動器的選擇，英飛凌共有441個不同的型號（截止2025年1月16日），分別屬于非隔離型、電平位移型和采用無磁芯變壓器的隔離型。 《好物下載丨《英飛凌柵極驅動電路設計選型指南》——92頁產品信息和技術資料》為了實現驅動器的驅動能力，每個驅動器都需要電源。對于電平轉換柵極驅動器，電源通常是由自舉電路提供。對于隔離柵極驅動器，需要一個同樣具有隔離功能的隔離電源供電。接下來，你將了解到我們的&
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英飛凌
英飛凌科技股份公司作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術的領導者，始終以卓越性能與高可靠性相結合的解決方案引領行業。目前，CoolSiC?產品系列覆蓋了400 V至3.3 kV的電壓范圍，應用領域包括汽車動力傳動系統、電動汽車充電、光伏系統、儲能及高功率牽引逆變器等。現在，英飛凌又憑借豐富的SiC業務開發經驗以及在硅基電荷補償器件（CoolMOS?）領域的創新優勢，推出了SiC溝槽型超結（TSJ）技術。ID-PAK封裝MDIP-04-01英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁Peter W
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英飛凌 SiC超結技術
近日，為推動下一代固態配電系統的發展，英飛凌科技股份公司正在擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性，使其成為先進固態保護與配電系統的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模式下的熱穩定性以及精確的過壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業和汽車應用中實現可靠且高效的系統性能，包括固態斷路器（SSCB）、AI數據中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動器、工業安全繼電器以及汽車電池隔離開關等。英飛凌科技零碳工業功率
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英飛凌 CoolSiC JFET 固態配電
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司與全球頂尖汽車系統制造商馬瑞利宣布聯合推出創新的MEMS激光束掃描（LBS）系統，共同推進汽車顯示技術的發展。這一基于英飛凌LBS技術的解決方案助力馬瑞利突破傳統顯示屏的限制，創造沉浸式的座艙體驗。這項前沿技術已在2025上海車展的馬瑞利展臺首次亮相。英飛凌MEMS LBS系統目標應用場景英飛凌科技傳感器與射頻業務部門負責人Thomas Schafbauer博士表示：“汽車行業座艙設計對創新光學解決方案的需求正在加速增長，英飛凌致力于比以往更快地為客
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英飛凌科技股份公司將在德國紐倫堡舉行的歐洲電力電子系統及元器件展（PCIM Europe 2025）上展示最新的半導體、軟件及工具解決方案，這些解決方案有助于解決當前的環保與數字化轉型挑戰。公司將在7號展廳470號展臺展示豐富的功率器件產品組合中的重點產品，涵蓋硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等所有相關功率技術。以“數字低碳，共創未來”為主題，英飛凌將舉辦多場展示和演講，并提供與專家交流的機會。英飛凌將參加PCIM Europe 2025英飛凌將在PCIM 2025上重點展示：●?
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智能座艙不僅是汽車智能化的重要組成部分，更是智能汽車與駕乘人員交互的核心應用場景。隨著汽車電子電氣化結構的發展和智能化方向的演進，對智能座艙技術不斷提出全新的技術挑戰。在2025慕尼黑電子展現場，EEPW專門采訪了來自汽車半導體排名第一的英飛凌科技智能座艙負責人Robin Qiu，一起來暢談智能座艙技術的發展趨勢和英飛凌提供的全面解決方案。 英飛凌在智能座艙方面擁有全面的產品和解決方案，涵蓋了微控制器、3D TOF傳感器和各種環境參數傳感器，以及各類投影芯片等。談到英飛凌產品和方案的特點，Robin Qi
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全社會都在積極推動低碳化轉型，而低碳化的背后其實是電氣化。在 新型電氣能源架構 中，相比于從前，一次能源到終端用戶的 能源轉換次數增多 。雖然可再生能源是免費的，但是這種多層級的能源轉換，每一步都會帶來一定的能耗損失，因此 追求更高效的能源轉化效率至關重要 。SiC正是功率半導體的 能效提升技術 ，它的出現滿足了低碳化時代兩大全新的市場需求：1能效創新： SiC技術在光伏、儲能、數據中心等大功率電源管理領域，能夠顯著
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英飛凌 碳化硅 溝槽柵技
Marelli 已簽署協議，將 Infineon Technologies 的激光束掃描 （LBS） 技術用于車載顯示器。基于 MEMS 的 LBS 技術將使 Marelli 能夠在本周的上海車展上為其客戶創造身臨其境的駕駛艙體驗，擺脫傳統顯示器的限制。Infineon MEMS LBS 系統完全符合汽車標準，具有抗沖擊和抗振動能力，最高符合 ASIL-B 標準。芯片級封裝易于集成到各種應用中，通過反射激光束創建具有大景深的無聚焦投影顯示，即使在高環境光條件下也能實現更亮的顯示。這簡化了光學設計，降低了功
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英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區損耗提高功率系統的性能，進一步提升整體系統效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開關應用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD?）較大，基于GaN的拓撲結構可能產生較高的功率損耗。如果控制器的死區時間較長，那么這種情況就會更加嚴重，導致效率低于目標值。目前功率器件設
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英飛凌介紹
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財年公司營業額達71.9億歐元，是全球領先的半導體公司之一。作為國際半導體產業創新的領導者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業電子、內存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導體產品及完整的系統解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發，全球共擁有41,000項專利。自從1996年在無錫建立 [
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