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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 聯(lián)電

        智能手機(jī)需求不佳為上游廠商敲警鐘

        •   花旗環(huán)球證券分析師GlenYeung指出,智慧型手機(jī)業(yè)者對半導(dǎo)體廠第三季的投片量不佳,將使半導(dǎo)體大廠第三季營收陷入嚴(yán)重困境(Inbig trouble)。   花旗環(huán)球追蹤供應(yīng)鏈發(fā)現(xiàn),即使智慧型手機(jī)大廠蘋果與宏達(dá)電,也缺乏強(qiáng)力拉貨力道,因此供應(yīng)鏈廠商如聯(lián)電第三季的營收表現(xiàn)也被大幅下修,季增率原本預(yù)期為20%,現(xiàn)在降為3%。 
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        聯(lián)電擬先拿下大陸和艦30%股權(quán)日后再全數(shù)購回

        •   聯(lián)電本周三將舉行股東會,由于聯(lián)電先前合并和艦條件,因大股東意見不同及未符合主管機(jī)關(guān)規(guī)定下破局,聯(lián)電這次重新修訂預(yù)計(jì)先取得和艦3成股權(quán),日后再全數(shù)購回,議案將在股東會討論,預(yù)料將成為今年股東會焦點(diǎn)。   
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        聯(lián)電發(fā)行5億美元?dú)W元可轉(zhuǎn)換公司債

        •   聯(lián)電日前定價(jià)發(fā)行了5億美元的歐元可轉(zhuǎn)換公司債(Euro-Convertible Bond,ECB),以負(fù)利率發(fā)行,首創(chuàng)臺幣計(jì)價(jià)。主辦承銷商野村證券表示,以臺幣計(jì)價(jià)公司沒有匯兌風(fēng)險(xiǎn),將匯兌風(fēng)險(xiǎn)轉(zhuǎn)嫁到投資人身上,未來可能成為公司發(fā)行海外債的新趨勢。   
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        聯(lián)電務(wù)實(shí)研發(fā)策略奏效

        •   晶圓代工廠40納米及28納米等先進(jìn)制程技術(shù)競爭激烈,臺積電目前仍是全球最大40/28納米產(chǎn)能供應(yīng)者,全球晶圓(GlobalFoundries)及韓國三星電子等2家業(yè)者緊跟在后,但過去與臺積電在技術(shù)研發(fā)上競爭激烈的聯(lián)電,已多次表示,不會跟進(jìn)其它同業(yè)進(jìn)行軍備競賽。   
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        聯(lián)電擴(kuò)大12寸產(chǎn)能

        •   為維持全球第二大晶圓代工廠地位,聯(lián)電今年資本支出的18億美元預(yù)算,其中9成資金將用來擴(kuò)充南科12寸廠Fab12A及新加坡12寸廠Fab12i的產(chǎn)能。   
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        聯(lián)電2010年?duì)I收創(chuàng)新高

        •   聯(lián)電2010年?duì)I收創(chuàng)下1204億(新臺幣,下同)新高,全年EPS達(dá)1.91元,則是近年來最佳紀(jì)錄。聯(lián)電今年資本支出預(yù)計(jì)與去年的18億美元持平。   聯(lián)電日前召開法說會,公布2010年第四季營收為313.2億元,季減4.1%,年增12.9%。單季毛利率為32.1%,營業(yè)凈利率21.1%,稅后凈利64.2億元,每股獲利為0.52元。2010年全年?duì)I收為1204.3億元,獲利239億元,每股盈余1.91元。   
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        聯(lián)電MEMS感測芯片成功產(chǎn)出

        •   晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開發(fā)已3年,19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測芯片,預(yù)計(jì)2011年投入量產(chǎn)。   聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證,訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平,其性能極具國際競爭力,預(yù)計(jì)將于2011年上半年提供工程樣品,接著便能進(jìn)入量產(chǎn)。CMOS-MEMS加速度計(jì)的產(chǎn)品開發(fā)也己符合消費(fèi)性電子產(chǎn)品之應(yīng)用規(guī)格 (1g ~16g),其功能也達(dá)量產(chǎn)的目標(biāo)。 
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        聯(lián)電65納米eFlash制程搶先問世

        •   搶在臺積電之前,聯(lián)電日前率先與合作伙伴美高森美(Microsemi)共同發(fā)布首款采用65奈米嵌入式快閃(Embedded Flash,eFlash)制程技術(shù)生產(chǎn)的現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)平臺,讓eFlash制程技術(shù)順利邁入65奈米世代,對其未來進(jìn)一步拓展汽車、工業(yè)、醫(yī)療及航天等半導(dǎo)體市場將大有幫助。     
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        聯(lián)電第三季度獲利創(chuàng)近6年新高

        •   聯(lián)電法說會昨公布第3季獲利創(chuàng)近6年新高,每股盈余0.7元。展望第4季,聯(lián)電認(rèn)為,整體產(chǎn)能利率將維持在9成以上水平,預(yù)估Q4出貨季減5%,不過高階制程比重持續(xù)提升有助平均價(jià)格上揚(yáng),65奈米制程以下先進(jìn)制程比重可望拉升至35%。   
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        Global Foundries緊追 聯(lián)電"二哥"位置難坐

        •   2009年初才正式成軍的Global Foundries,近2年在晶圓代工業(yè)界掀起波瀾,2010年9月初在美國舉辦首屆全球技術(shù)論壇,揭露20納米技術(shù)藍(lán)圖,展現(xiàn)其先進(jìn)制程布局速度,并可望于年底前試產(chǎn)28納米制程。10月中技術(shù)論壇移師來臺,Global Foundries更宣布2010年?duì)I收可望上看35億美元(約新臺幣1,085億元)。Global Foundries這1年來的攻城略地,確實(shí)讓市場印象深刻,但如此的積極作為,也恐怕更加動搖聯(lián)電的晶圓二哥地位。   
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        聯(lián)電通過資本支出18.19億美元

        •   聯(lián)電日前調(diào)高資本支出,25日董事會正式通過2010年資本支出追加計(jì)畫,2010年總預(yù)算調(diào)高至18.19億美元,主要用以擴(kuò)充12寸與8寸廠產(chǎn)能。   聯(lián)電原訂2010年資本支出為12億~15億美元,執(zhí)行長孫世偉在8月初法人說明會中即宣布,將資本支出調(diào)高至18億美元。   孫世偉日前指出,2010年資本支出將有高達(dá)87%用以擴(kuò)充12寸廠產(chǎn)能,13%資金用以擴(kuò)充8寸廠產(chǎn)能。目前機(jī)臺采購與裝置進(jìn)度順利,新加坡 Fab12i廠大幅建置65/55奈米產(chǎn)能以服務(wù)客戶,在臺南科學(xué)園區(qū) Fab12A廠的第3期無塵室
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        聯(lián)電6月收入同比增長26%

        •   據(jù)臺灣媒體報(bào)道,臺灣聯(lián)電周四宣布,公司6月份收入同比增長26%,從上年同期的新臺幣82.4億元增至新臺幣103.4億元。   聯(lián)電在公告中稱,截至6月30日的6個月收入同比增長69%,從新臺幣334.7億元增至564.6億元。聯(lián)華電子沒有透露收入增長的原因。   聯(lián)電第二季度收入增長31%,從上年同期的新臺幣226.3億元增至新臺幣297.5億元。該公司第一季度收入增長超過一倍,從上年同期的新臺幣108.4億元增至新臺幣267.2億元。   聯(lián)電4月底表示,繼第一季度8英寸等值晶圓發(fā)貨量達(dá)到10
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        聯(lián)電:明年試產(chǎn)28nm工藝3D堆疊芯片

        •   據(jù)悉,臺灣代工廠聯(lián)電(UMC)計(jì)劃于2011年年中開始,使用28nm新工藝試產(chǎn)3D立體堆疊式芯片,并于2012年批量投產(chǎn)。   聯(lián)電CEO孫世偉(Shih-Wei Sun)表示,這種3D堆疊芯片使用了硅通孔(TSV)技術(shù),是聯(lián)電與日本爾必達(dá)、臺灣力成科技(PTI)共同研發(fā)完成的。這次三方合作匯聚了聯(lián)電的制造技術(shù)、爾必達(dá)的內(nèi)存技術(shù)和力成的封裝技術(shù),并在3D IC方案中整合了邏輯電路和DRAM。   孫世偉指出,客戶需要3D-IC TSV方案用于下一代CMOS圖像傳感器、MEMS芯片、功率放大器和其他
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        聯(lián)電通過私募案 將貼近市價(jià)發(fā)行

        •   聯(lián)電15日召開股東會,會中通過私募增資案,聯(lián)電董事長洪嘉聰指出,為維護(hù)股東權(quán)益,目前的股價(jià)不會發(fā)行,未來發(fā)行價(jià)格將貼近市價(jià),而大股東也不會參與。對于第3季狀況,財(cái)務(wù)長劉啟東表示,第3季產(chǎn)能依然吃緊,其中以高階制程最緊。   聯(lián)電股東會中承認(rèn)2009年度財(cái)報(bào),每股純益新臺幣 0.31元,并決議通過每股配發(fā)0.5元現(xiàn)金股息。   另外,會中也通過辦理私募增資。洪嘉聰強(qiáng)調(diào),通過私募增資案只是保留彈性,于未來適當(dāng)時機(jī)辦理,引進(jìn)策略合作伙伴,而目前價(jià)格將不會發(fā)行,未來發(fā)行價(jià)格將會貼近市價(jià),同時,聯(lián)電大股東及
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        聯(lián)電重拾月營收百億風(fēng)光 臺積電可望續(xù)創(chuàng)歷史新高

        •   聯(lián)電5月營收恢復(fù)成長態(tài)勢,達(dá)到新臺幣100.9億元,創(chuàng)下歷史第4高紀(jì)錄,由于聯(lián)電6、8及12寸廠產(chǎn)能處于滿載,預(yù)期2010年下半單月營收仍有高點(diǎn)可期。至于產(chǎn)能同樣處于滿載的臺積電近期亦將公布營運(yùn)實(shí)績,預(yù)期將續(xù)創(chuàng)歷史新高。   受惠于產(chǎn)能滿載、產(chǎn)品平均單價(jià)(ASP)攀升及部分訂單遞延到5月出貨,聯(lián)電5月營收表現(xiàn)亮麗,一舉突破100億元大關(guān),達(dá)100.9億元,創(chuàng)下近30個月來單月新高紀(jì)錄,同時亦是過去歷史第4 高。聯(lián)電累計(jì)前5月營收461.24億元,年增率82.82%。   由于聯(lián)電接單暢旺,尤其65
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        聯(lián)電介紹

        臺灣聯(lián)電集團(tuán)總部設(shè)在臺灣,集團(tuán)旗下有5家晶圓代工廠,包括聯(lián)電、聯(lián)誠、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉以及最新投資的合泰半導(dǎo)體,是全球半導(dǎo)體投資第四大,僅次于英代爾、摩托羅拉及西門子. 根據(jù)"經(jīng)濟(jì)部中央標(biāo)準(zhǔn)局"公布的近5年島內(nèi)百大"專利大戶"名單,以申請件數(shù)排名, 聯(lián)電第一、工研院第二、臺積電第三;就取得美國專利件數(shù)而言,1993年至1997年所累積的件數(shù),聯(lián)電是臺積電的兩倍、工研院的3倍. [ 查看詳細(xì) ]

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