聯(lián)電通過資本支出18.19億美元

　　聯(lián)電日前調(diào)高資本支出，25日董事會正式通過2010年資本支出追加計畫，2010年總預算調(diào)高至18.19億美元，主要用以擴充12寸與8寸廠產(chǎn)能。

　　聯(lián)電原訂2010年資本支出為12億~15億美元，執(zhí)行長孫世偉在8月初法人說明會中即宣布，將資本支出調(diào)高至18億美元。

　　孫世偉日前指出，2010年資本支出將有高達87%用以擴充12寸廠產(chǎn)能，13%資金用以擴充8寸廠產(chǎn)能。目前機臺采購與裝置進度順利，新加坡 Fab12i廠大幅建置65/55奈米產(chǎn)能以服務客戶，在臺南科學園區(qū) Fab12A廠的第3期無塵室已于7月提前竣工并全力進行機臺移入，預計在年底前開始產(chǎn)出，2011年將可加速貢獻 40奈米營收。

　　臺積電日前宣布將2010年資本支出由原訂的48億美元，調(diào)升到59億美元，其中58億美元用于投資晶圓廠，而當中的79%用來擴充65奈米、40奈米及28奈米制程，13%用來投資超越摩爾定律(More-than-Moore)的新制程技術，另外8%用于研發(fā);另外1億美元將用來投資新事業(yè)。

　　臺積電在日前董事會也通過資本支出案，會中核準投入19.72億美元，擴充12寸廠先進制程產(chǎn)能。臺積電目前有晶圓12廠(Fab12)與南科晶圓14廠 (Fab14)此2座超大型晶圓廠，合計月產(chǎn)能產(chǎn)能已超過20萬片約當12寸晶圓，預計年底將擴充至24萬片。另外也通過以3.19億美元預算，投入 LED及薄膜太陽能模塊新事業(yè)發(fā)展;另外也通過投入19.72億美元擴充12寸廠產(chǎn)能。