聯華電子2013年4月12日宣布,取得臺灣檢驗科技股份公司(SGS,Societe Generale de Surveillance)頒發之ISO 22301營運持續管理系統證書,成為全球第一家獲該項認證的晶圓專工公司。顯示聯華電子針對重大災害已作好應變準備,并建立了可快速恢復之機制。通過此項認證有助強化聯華電子在客戶、保險公司和利益關系人心目中的風險管理形象。
聯華電子有感于重大事故所帶來的營運沖擊,于2000年初即發展各廠區面對不同外在威脅下之營運持續計劃(BCP),并通過年度演練與稽核持續
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聯電 晶圓
聯電苦于追趕28納米制程進度,法人擔憂公司市占率流失及競爭力不足,對于聯電今年獲利預計低于去年,目前本土法人對聯電今年EPS預估由0.7元下調至0.4元左右。
聯電已耗費一年時間致力于提高28納米良率,但仍無法邁入穩定量產階段,公司管理層也預估今年底28納米產品僅有個位數的營收貢獻度。法人擔憂聯電28納米制程進展過慢,無法跟上變化快速的市場,恐導致今年市占率流失。法人認為,聯電已錯失智能型手機、平板計算機等可攜式裝置的升級趨勢;預期聯電未來兩季將面臨高階通訊產品需求疲弱、先進制程市占率流失等問題
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聯電 28納米
全球領先的高精真空產品及尾氣處理系統制造商及相應增值服務領先供應商Edwards集團公司(納斯達克代碼:EVAC)日前宣布,聯電公司(UMC)(紐約證券交易所代碼:UMC/臺灣證券交易所代碼:2303)已經收到一份來自新加坡國家環境局的基金。發放能效技術基金項目(GREET)激勵基金是因為聯電使用Edwards的環保型iXL120干式真空泵。
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Edwards 聯電 真空泵
全球晶圓代工業者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產14納米FinFET后,臺灣晶圓雙雄臺積電與聯電亦陸續公布FinFET制程發展藍圖與量產時程表,希冀藉此一新技術,提供IC設計業者效能更佳的制造方案,搶占通訊與消費性電子IC制造商機。
鰭式電晶體(FinFET)已成為晶圓制造業者角逐未來行動通訊市場的關鍵利器。為進一步提升晶片效能并縮小尺寸,各家晶圓代工業者皆已挾不同的制程技術積極研發FinFET架構,預計明后年即可開花結果,并開始挹注營收貢獻。
在眾家晶圓廠中,
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聯電 晶圓 28納米
聯電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產。聯電正全力研發新一代14nmFinFET制程技術,預計效能可較現今28nm制程提升35~40%,可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優勢,擴大搶攻通訊與消費性電子IC制造商機。
聯電執行長孫世偉表示,14nmFinFET制程技術將會是聯電切入未來次世代通訊運算市場的最佳利器。
聯電執行長孫世偉表示,由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過程中,勢必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術才能實現,而此
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聯電 處理器 14nm FinFET
瑞信證券出具最新半導體報告指出,晶圓代工廠8月營收表現亮眼,特別是臺積(2330)8月營收大幅優于預期,而聯電(2303)則在低價智慧型手機拉貨帶動下,營收走高,世界先進(5347)也在驅動IC出貨拉升下,繳出亮眼成績單,不過,瑞信證券認為,晶圓代工廠營收第三季表現搶眼,第四季后仍將面臨兩個季度的庫存修正狀況,預估晶圓代工廠產能利用率落底時間將落在明年農歷年。
瑞信證券表示,晶圓代工廠第三季的強勁營收成長并不代表第四季將沒有庫存修正,瑞信證券指出,在半導體庫存水位升高影響下,加上PC
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聯電 晶圓
聯電矽穿孔(TSV)制程將于2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3D IC)商機大餅,聯電加緊研發邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術,將采Via-Middle方式,在晶圓完成后旋即穿孔,再交由封測廠依Wide I/O、混合記憶體立方體(HMC)等標準組裝晶片。目前規畫于今年第四季邁入產品實測階段,并于2013年展開商用量產。
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聯電 3D IC
的變化,上有半導體代工工廠的境況也可謂是喜憂參半。作為一個國家科技實力的象征,很多半導體企業可以獲得來自政府的直接或間接投資,但如果一個國家有多家半導體代工企業,那么相對弱勢的企業則很難得到來自政府的鼎力支持。另一方面,半導體代工行業是一項前期投資非常巨大且投資回報周期相對較長的行業,資金鏈是否健康直接關系到企業能否繼續生存下去
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聯電 半導體
IC設計界傳出,臺積電的先進制程產品訂單出貨比(B/B)值上月已升破1,聯電產能趨于滿載,臺積電甚至在本季起針對特定制程啟動「產能配給」供應,對客戶的交貨期也從正常的四至六周拉長到十周以上,宣告半導體業旺季提前到來。
臺積電、聯電將分別在26、25日舉行法說會,屆時將發布第一季財報及第二季展望,但因目前處于財報緘默期,晶圓雙雄均表示目前無法評論接單狀況。
部分IC設計公司由于客戶端需求好轉,拉貨力道加速,轉而向晶圓代工廠加碼下單。據了解,先進制程28奈米至成熟制程65奈米等均傳出供應吃緊,
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聯電 IC設計
外電報導,格羅方德(Globalfoundries)行銷副總諾恩(MicahelNoonen)發出豪語,公司去年第四季營收首度超越聯電,成為全球第二大晶圓代工廠。這是聯電近30多年來,首度失去晶圓代工二哥寶座,臺灣獨霸全球晶圓代工領域的地位面臨挑戰。
聯電16日不愿對競爭對手狀況置評。業界認為,臺積電、聯電聯手稱霸全球晶圓代工業多年,近年三星、格羅方德崛起,臺灣晶圓雙雄腹背受敵,格羅方德規模超越聯電,讓晶圓代工業版圖大洗牌,臺灣應更審慎因應「美韓夾擊」帶來的沖擊。
格羅方德是超微2009年
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聯電 晶圓
聯電8日公布內部自行結算2月營收為新臺幣75.23億元,月減6.55%,并為近33個月來單月營收新低。聯電說明,2月受工作天數減少影響,應為第1季營運谷底,3月隨著工作天數增加,業績應可順利回升。
聯電表示,自結2月業績較上月80.51億元減少6.55%,主要是元月有客戶急單挹注,而2月受工作天數減少影響。而隨市場需求符合預期,2月應為第1季營運谷底,3月隨著工作天數增加,業績應可順利回升。據聯電法說資料預估,今年第一季營收將較去年第4季244.3億元小幅下滑5%以內,隨1-2月營收累計約155
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聯電 晶圓
晶圓代工廠聯電本月9日公布去年12月營收達81.05億元,第4季營收244.25億元,季減3%;世界先進12月營收達10.52億元,第4季營收為33.08億元,季減14.6%。兩家晶圓代工廠第4季營收均優于市場預期,主要是受惠于急單涌入及新臺幣貶值。臺積電于10日公布12月營收,市場初估與11月的358.59億元相當。
聯電12月營收達81.04億元,較11月微增0.5%,第4季營收達244.25億元,僅較第3季的251.86億元減少3%,優于市場普遍預估的季減5%。聯電第4季接單平穩,11月及
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聯電 晶圓
聯電近日公布自結8月營收,為新臺幣82.01億元,月減6.91%,并為2年多來的單月營收新低。聯電表示,全球經濟的不確定性升高,影響顧客對公司的投片量,但營收衰退幅度仍在早先預期范圍內。
聯電表示,內部自行結算8月營收為新臺幣82.01億元,較去年同期減少24.67%,較上個月減少6.9%。營收衰退幅度仍在早先預期范圍內。
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聯電 半導體
晶圓代工大廠聯電日前舉行財報會,第2季每股獲利0.26元,針對第3季財測數字,聯電預估營收減少11~13%、營業利益率至1~3%、產能利用率下滑至71~73%,低于市場預期;執行長孫世偉表示,2011年是晶圓代工產業近10年來首度在第3季出現負成長現象,若只是庫存消化,或許1季時間可以解決,但關鍵問題出在終端需求和全球經濟動蕩,因此針對第4季景氣,還需要再觀察一段時間。
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聯電 晶圓代工
聯電與Cypress 27日宣布采用新的65納米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon;硅-氧-氮化硅-氧-硅)閃存技術,已成功產出有效硅芯片(working silicon),預計將于第3季正式問世;聯電不但會采用此新制程為Cypress生產次世代PSoC可編程系統單芯片、nvSRAM和其他產品,也可在Cypress授權協議下,將此技術提供其他公司使用。
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聯電 SONOS閃存
聯電介紹
臺灣聯電集團總部設在臺灣,集團旗下有5家晶圓代工廠,包括聯電、聯誠、聯瑞、聯嘉以及最新投資的合泰半導體,是全球半導體投資第四大,僅次于英代爾、摩托羅拉及西門子. 根據"經濟部中央標準局"公布的近5年島內百大"專利大戶"名單,以申請件數排名, 聯電第一、工研院第二、臺積電第三;就取得美國專利件數而言,1993年至1997年所累積的件數,聯電是臺積電的兩倍、工研院的3倍. [
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