絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極管(igbt)技術社區(qū)
突發(fā)！傳IGBT大廠停止接單
- IGBT市場缺口高達50%，安森美已不再接單?！ ‰S著新能源汽車發(fā)展，IGBT需求量水漲船高，同時疊加持續(xù)一年有余的全球缺芯大背景，車規(guī)級IGBT依舊在苦苦掙扎。今年2月，業(yè)內(nèi)已發(fā)出預警稱，今年下半年IGBT或將成為新能源汽車生產(chǎn)瓶頸所在，其影響可能將超過MCU?！ ∪缃襁~入5月，IGBT供不應求已有愈演愈烈之勢。目前IGBT交貨周期已全線拉長到50周以上，個別料號周期甚至更長。需求高漲下，IGBT訂單與交貨能力比最大已拉至2：1。若去掉部分非真實需求訂單，預計真實需求是實際供貨能力的1.5倍，這也意
- 關鍵字： IGBT
全球第一IGBT企業(yè)，訂單與交貨量2:1，交貨周期長達50周
- IGBT作為一種常用的半導體芯片，我們生活中的家用電器、汽車等商品上面都有，受到“缺芯潮”以及物料短缺等因素影響，IGBT目前也處于緊缺狀態(tài)，尤其是車規(guī)級IGBT更是缺貨嚴重，缺口最大的時候已經(jīng)超過50%。全球最大的IGBT企業(yè)依然缺貨 芯片巨頭英飛凌是全球最大的IGBT供應商，整個IGBT市場英飛凌占據(jù)三分之一份額，訂單量、出貨量都是遙遙領先，就是這樣規(guī)模的企業(yè)同樣面臨著巨大的供需缺口，目前合作伙伴訂單量和交貨量比例大約為2：1，而且交貨周期長達50周，尤其是車規(guī)及IGBT供需缺口還有進一步擴大趨
- 關鍵字： IGBT
海外大廠訂單排滿，光伏需求大增加劇IGBT缺貨
- 5月16日報道，最近，海外大廠安森美、英飛凌等紛紛傳出IGBT訂單接不過來的消息。士蘭微和華潤微相關人士表示，由于汽車和光伏需求增加明顯，IGBT訂單增長很快，做不過來。 CINNO Research半導體事業(yè)部總經(jīng)理Elvis稱，車規(guī)級IGBT下探至0.5，即供需缺口在50%以上。因為車規(guī)級IGBT認證周期很長，悠關生命安全，認證項目復雜且冗長，付出成本昂貴，技術Know-How不易取得，一般快則兩到三年，慢則甚至五到十年之間。因此產(chǎn)能的擴充在近期內(nèi)無法緩解終端市場強大需求的短缺，至少在2023年
- 關鍵字： IGBT
海外大廠已停止接單 國內(nèi)IGBT企業(yè)有望填補空缺
- 獲悉，最近，海外大廠安森美、英飛凌等紛紛傳出IGBT訂單接不過來的消息。安森美深圳廠內(nèi)部人士透露消息稱，車用絕緣柵雙極晶體管訂單(IGBT)已滿且不再接單，但不排除訂單中存在一定比例的超額下單。士蘭微(600460)和華潤微相關人士也表示，由于汽車和光伏需求增加明顯，IGBT訂單增長很快，做不過來。 供應鏈業(yè)者表示，2021年起車用半導體中的功率元件、微控制器最為缺乏，且直至2022年情況都未見明顯改善。在IGBT產(chǎn)品中，車用IGBT的缺口則更大。CINNOResearch半導體事業(yè)部總經(jīng)理Elvi
- 關鍵字： IGBT
歐盟或將加速建筑安裝光伏 IGBT產(chǎn)業(yè)鏈有望受益
- 獲悉，歐盟的REPowerEU計劃草案提出，2022年屋頂光伏發(fā)電量增加15TWh。該草案還要求歐盟和各國政府今年采取行動，將屋頂光伏裝置的安裝申請許可時間縮短至三個月，并提出“到2025年，所有新建筑以及能耗等級D或以上的現(xiàn)有建筑，都應安裝屋頂光伏設備”。該計劃有望利好IGBT等逆變器產(chǎn)業(yè)鏈公司?！ ?jù)悉，REPowerEU計劃是歐盟在今年3月8日提出的，價值高達1950億歐元，旨在讓成員國家在2030年之前逐步消除對俄羅斯化石燃料的依賴，其中近三分之二的削減可在今年（2022年）底前實現(xiàn)，結束歐盟
- 關鍵字： IGBT
Power Integrations推出汽車級IGBT/SiC模塊驅動器產(chǎn)品系列SCALE EV，為巴士、卡車以及建筑和農(nóng)用電動汽車提供強大動力
- 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門極驅動板。新款驅動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊，其應用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車（包括巴士和卡車）以及建筑、采礦和農(nóng)用設備的大功率汽車和牽引逆變器。SCALE EV板級門極驅動器內(nèi)部集成了兩個增強型門極驅動通道、相關供電電源和監(jiān)控遙測電路。新驅動板已通過汽車級認證和ASIL B認證，可實現(xiàn)AS
- 關鍵字： Power Integrations IGBT SiC 模塊驅動器 SCALE EV PI
環(huán)旭電子預計在2022量產(chǎn)電動車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊
- 搭配電動車市場的快速成長，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試，近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞，預計在2022正式量產(chǎn)電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機構Canalys的報告指出，2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛，與去年同期相比大幅成長160%，成長率遠高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關鍵功率半導體組件和模塊需求，其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
- 關鍵字： 環(huán)旭電子 電動車用逆變器 IGBT SiC 電源模塊
環(huán)旭電子預計2022量產(chǎn)電動車用逆變器用IGBT與SiC電源模塊
- 搭配電動車市場的快速成長，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試，近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞，預計在2022正式量產(chǎn)電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機構Canalys的報告指出，2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛，與去年同期相比大幅成長160%，成長率遠高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關鍵功率半導體組件和模塊需求，其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
- 關鍵字： 環(huán)旭電子 電動車用逆變器 IGBT SiC 電源模塊
Power Integrations推出適用于“新型雙通道”模塊的SCALE-iFlex Single即插即用型門極驅動器
- SCALE-2技術可優(yōu)化外形尺寸，提高耐壓在3300V以內(nèi)的功率逆變器和變換器的效率、性能和可靠性
- 關鍵字： PI 雙通道門機驅動器 SCALE-iFlex?Single IGBT
功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究
- 高端變頻空調(diào)在實際應用中出現(xiàn)大量外機不工作，經(jīng)過大量失效主板分析確認是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結合大量失效品分析與電路設計分析，對IGBT失效原因及失效機理分析，分析結果表明：經(jīng)過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關波形檢測、熱設計分析、IGBT極限參數(shù)檢測對比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因導致，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應、驅動控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設計方面全部提升IGBT工作可靠性。
- 關鍵字： 主動式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應 ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET
Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本
- 如今為商用車輛推進系統(tǒng)提供動力的節(jié)能充電系統(tǒng)，以及輔助電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應用都依賴于高壓開關電源設備。為了滿足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴大其碳化硅產(chǎn)品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關頻率，之前的技術要求設計人員在性能上做出妥協(xié)并使用復雜的拓撲結構。此外，電力電
- 關鍵字： MOSFET MCU IGBT
ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調(diào)、路燈等工業(yè)設備，開發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來，隨著節(jié)能意識的提高，在交流400V級工業(yè)設備領域，可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導體的應用越來越廣。而另一方面，在工業(yè)設備中，除了主電源電路之外，還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源，但出于設計周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
- 關鍵字： MOSFET IGBT
在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢
- 摘要隨著汽車電動化推進，智能充電基礎設施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電應用也是方興未艾，越來越多的應用領域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應用表現(xiàn)，證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢，例如，將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例，并與硅功率半導體進行了輸出功率和開關頻率比較。前言隨著汽車電動化推進，智能充電基礎設施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電
- 關鍵字： MOSFET IGBT
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
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