絕緣柵雙極管(igbt) 文章 最新資訊
分享：IGBT的檢測方法
- IGBT有三個電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測電阻法判別結(jié)
- 關(guān)鍵字： IGBT 場效應(yīng)管 檢測方法
三個將造成IGBT損壞的低級操作錯誤
- 熟悉IGBT的朋友都知道，IGBT的內(nèi)部主要是MOS結(jié)構(gòu)。這就意味著IGBT對于靜電非常敏感，在使用過程中稍有不當(dāng)就可能造成IGBT的損壞。那么在使用IGBT時(shí)，需
- 關(guān)鍵字： IGBT 電源 電路設(shè)計(jì)
IGBT的特點(diǎn)、應(yīng)用及未來的研究方向
- 近年來，IGBT被廣泛關(guān)注，隨著技術(shù)的發(fā)展，其應(yīng)用前景被廣泛看好，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)IGBT，在很多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。 什么是IGBT? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓
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IGBT掃盲文，IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用知識學(xué)習(xí)
- IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用 IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快 的特點(diǎn)(控制和響應(yīng))，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)。 理想等效電路與實(shí)際等效電路如圖所示： IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動態(tài)特性(開關(guān)特性)。 動態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
- 關(guān)鍵字： IGBT，MOSFET
五大領(lǐng)域齊發(fā)力 三菱電機(jī)創(chuàng)新產(chǎn)品持續(xù)搶占市場新高地
- 隨著功率半導(dǎo)體的不斷發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步，功率器件下游產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)步擴(kuò)張，未來在政策資金支持以及國內(nèi)新能源汽車的蓬勃發(fā)展下，國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來黃金發(fā)展期。 6月26日，PCIM 亞洲 2018展會在上海世博展覽館隆重舉行。作為全球500強(qiáng)企業(yè)，同時(shí)也是現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件的開拓者，大中國區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體攜多款功率器件產(chǎn)品及相關(guān)解決方案亮相，同時(shí)發(fā)布了更高集成度、更小體積、更能降低生產(chǎn)成本，并擁有全面保護(hù)功能的表面貼裝型IPM，以及助力新能源發(fā)電應(yīng)用新封裝大功率IGBT模塊兩款最新產(chǎn)品。 (圖一：2018
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絕緣柵雙極管(igbt)介紹
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