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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

        絕緣柵雙極管(igbt) 文章 最新資訊

        現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

        •   Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司(德國 慕尼黑)  摘要:通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。  關(guān)鍵詞:IGBT; MOSFET; 柵極驅(qū)動器;耐受性;隔離? ? &nb
        • 關(guān)鍵字: 201905  IGBT  MOSFET   柵極驅(qū)動器  耐受性  隔離  

        意法半導(dǎo)體的先進IGBT專為軟開關(guān)優(yōu)化設(shè)計 可提高家電感應(yīng)加熱效率

        •   意法半導(dǎo)體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER?IGBT兩款產(chǎn)品能夠在軟開關(guān)電路中實現(xiàn)最佳的導(dǎo)通和開關(guān)性能,提高諧振轉(zhuǎn)換器在16kHz-60kHz開關(guān)頻率范圍內(nèi)的能效。  新IH系列器件屬于意法半導(dǎo)體針對軟開關(guān)應(yīng)用專門優(yōu)化的溝柵式場截止(TFS) IGBT產(chǎn)品家族,適用于電磁爐等家電以及軟開關(guān)應(yīng)用的半橋電路,現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計人員可以選用這些IGBT,來達到更高的能效等級。除新的IH系列外,意法半導(dǎo)體的軟開關(guān)用溝柵式場截止(TFS) IGBT系列產(chǎn)品
        • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  IGBT  

        2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾人民幣2,900億元

        • TrendForce在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》指出,受益新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價,帶動2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣,其中離散式元件市場規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣,較2017年增長8%。
        • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  IGBT  

        變頻器中IGBT爆炸原因分析,深入透徹!

        •   IGBT是電力電子裝置的CPU,在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中,IGBT模塊更為重要。但是,IGBT模塊會經(jīng)常出現(xiàn)爆炸的情況。下面,小編就結(jié)合案例具體分析一下。  定義  一、IGBT爆炸:因為某些原因,模塊的損耗十分巨大,熱量散不出去,導(dǎo)致內(nèi)部溫度極高,產(chǎn)生氣體,沖破殼體,這就是所謂的IGBT爆炸。  二. IGBT爆炸原因分析  1.爆炸的本質(zhì)是發(fā)熱功率超過散熱功率,內(nèi)部原因應(yīng)該就是過熱。  2.人為因素 (1)進線接在出線的端子上(2)變頻器接錯電源(3)沒按要求接負(fù)載3.常
        • 關(guān)鍵字: IGBT,變頻器  

        集邦咨詢:需求持續(xù)擴張,2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾2,900億元

        •   Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價,帶動了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣,較2017年同比增長8%。  集邦咨詢分析師謝瑞峰指出,功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動型的產(chǎn)業(yè),2019年
        • 關(guān)鍵字: IGBT  SiC   

        除了代工小米9,造車的比亞迪還做了這些事!

        • 比亞迪不僅在汽車制造上實力深厚,在手機代工和其它業(yè)務(wù)方面,仍然保持走在行業(yè)前沿的水平。作為我國重要的制造企業(yè)代表,比亞迪在行業(yè)中具有模范作用,相信經(jīng)過不斷技術(shù)突破和進步,比亞迪將會為我國眾多制造企業(yè)樹立一個又一個全新的示范里程碑!
        • 關(guān)鍵字: 小米9  比亞迪  IGBT  

        本土廠商同歐日三分天下,中國IGBT不再“一芯難求”

        • 國內(nèi)汽車界中,“一芯難求”的現(xiàn)狀被打破了。
        • 關(guān)鍵字: IGBT  

        關(guān)于工業(yè)電機驅(qū)動的IGBT,你想知道的都在這里

        •   摘要 :工業(yè)電機驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是:更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路耐受時間。這凸顯了柵極驅(qū)動器電路以及過流檢測和保護功能的重要性。本文討論現(xiàn)代工業(yè)電機驅(qū)動中成功可靠地實現(xiàn)短路保護的問題。    工業(yè)環(huán)境中的短路:工業(yè)電機驅(qū)動器的工作環(huán)境相對惡劣,可能出現(xiàn)高溫、交流線路瞬變、機械過載、接線錯誤以及其它突發(fā)情況
        • 關(guān)鍵字: 工業(yè)電機  IGBT  

        富士電機電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行蒞臨青銅劍科技考察交流

        •   11月7日,富士電機株式會社電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行到訪青銅劍科技。這是繼今年5月應(yīng)用技術(shù)部部長五十嵐征輝博士來訪之后,富士電機高層再次蒞臨青銅劍科技商談合作事宜,標(biāo)志著雙方合作進入新階段。 青銅劍科技總工程師高躍博士和市場總監(jiān)蔡雄飛對藤平龍彥博士一行的來訪表示熱烈歡迎,詳細介紹了公司的核心產(chǎn)品以及與富士電機的合作進展。藤平龍彥博士對青銅劍科技最新的IGBT驅(qū)動產(chǎn)品非常關(guān)注,仔細詢問了產(chǎn)品的性能優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域,對青銅劍科技的研發(fā)實力表示充分肯定。會談期間,雙方對下一步的合作重點和計劃
        • 關(guān)鍵字: 青銅劍  IGBT  

        推進航天領(lǐng)域合作 l 航天科工微電院董事長武春風(fēng)一行到訪青銅劍科技

        •   11月8日,成都航天科工微電子系統(tǒng)研究院有限公司董事長武春風(fēng)一行到訪青銅劍科技,董事長汪之涵博士、總工程師高躍博士和副總裁傅俊寅陪同接待,雙方就合作事宜進行了深入交流。  汪之涵博士陪同武春風(fēng)一行參觀了公司展廳和研發(fā)實驗室,詳細介紹了青銅劍科技的核心產(chǎn)品、領(lǐng)先技術(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域及公司發(fā)展規(guī)劃等情況。武春風(fēng)對青銅劍科技的科技創(chuàng)新成果表示積極肯定。座談中,雙方就航天領(lǐng)域的前沿技術(shù)和熱點話題進行了深入探討和討論,進一步商談了合作細節(jié),一致表示未來將擴展多渠道的合作。  航天科工微電子系統(tǒng)研究院秉持“信息互通、資
        • 關(guān)鍵字: 青銅劍  IGBT  

        IXYS IGBT驅(qū)動模塊可幫助高功率系統(tǒng)設(shè)計,縮短設(shè)計時間,降低設(shè)計成本

        •   IXYS公司新推出的IXIDM1403驅(qū)動模塊旨在為市場提供IGBT驅(qū)動器件,使設(shè)計周期縮短,設(shè)計成本做到盡可能最低,并具有極高的緊湊性和最高的性能和可靠性。IXIDM1403支持雙通道大功率IGBT模塊,隔離電壓高達4000 V,開關(guān)速度高達50 kHz,具有短路保護和電源電壓監(jiān)控功能。  IXIDM1403是基于IX6610 / IX6611 / IXDN630芯片組的高壓隔離柵極驅(qū)動模塊,它允許創(chuàng)建隔離的IGBT驅(qū)動器,在初級側(cè)和次級側(cè)之間以及次級側(cè)驅(qū)動器之間設(shè)置高壓隔離柵。它創(chuàng)建了一個非常靈活
        • 關(guān)鍵字: IXYS  IGBT  

        新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗

        • 本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進步。IGBT技術(shù)進步主要體現(xiàn)在兩個方面:
        • 關(guān)鍵字: IGBT  軟開關(guān)  損耗  

        安森美半導(dǎo)體推動電動汽車充電樁市場創(chuàng)新發(fā)展

        •   電動汽車(也叫新能源汽車)是指以車載電源為動力,用電機驅(qū)動車輪行駛,符合道路交通、安全法規(guī)各項要求的車輛由于對環(huán)境影響相對傳統(tǒng)汽車較小,它的前景被廣泛看好近年來在國家環(huán)保政策的激勵下,在大家對綠色低碳健康生活的憧憬下,電動汽車正日益普及。中國是世界最大的汽車市場,中國新能源汽車業(yè)近年來快速發(fā)展令世界矚目。據(jù)Goldman Sachs報道,2016年中國電動汽車占全世界電動汽車的45%, 這一百分比到2030年可能升至60%。根據(jù)中國的“一車一樁”計劃,電動汽車充電樁總數(shù)在2020年將達480萬個,與現(xiàn)
        • 關(guān)鍵字: 安森美  IGBT  SiC  

        基于EXB841的IGBT 驅(qū)動電路優(yōu)化設(shè)計

        • 設(shè)計高性能的驅(qū)動與保護電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù).日本FUJI公司的EXB841芯片是一種典型的適用于300A以下IGBT的專用驅(qū)動電路,具有單電源、正負(fù)偏壓
        • 關(guān)鍵字: EXB841  IGBT  驅(qū)動電路  優(yōu)化設(shè)計  

        IGBT保護電路設(shè)計中的必知問題

        • 引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率
        • 關(guān)鍵字: IGBT  過流保護  過壓保護  過熱保護  
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        絕緣柵雙極管(igbt)介紹

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