《“十三五”國家戰略性新興產業發展規劃》明確表示國家將大力發展新能源汽車，而IGBT、碳化硅器件等作為新能源汽車的核心器件，國產化替代需求巨大。6月22日，“2018國際新能源汽車功率半導體關鍵技術論壇”在北京舉行，旨在把行業最優的核心器件推廣至新能源汽車應用。作為全球第一家提供溝槽型場截止型(Trench FS, Field Stop)IGBT量產技術的8英寸代工廠，華虹宏力在IGBT代工領域有口皆碑，始終以深厚的技術底蘊和卓越的性能品質深受客戶認可，會上被授予“新能源汽車功率半導體十佳企業”。
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華虹宏力 IGBT
英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。英飛凌將在2號館的F 01展臺，展示涵蓋整個電能供應鏈的領先產品和全套系統及應用解決方案。此外，英飛凌的技術專家還將就產品和應用發表多篇論文，并在同期的國際研討會上進行交流。 從前沿的硅基 MOSFET 和 IGBT 到數字化功率創新，以及最新的碳化硅和氮化鎵技術，英飛凌芯片對于提高發電、輸電和用電效率起著至關重要的作用。此次，英飛凌將圍繞“賦能世
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英飛凌 IGBT
英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現代IGBT應用而設計的新型二極管系列：英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進的關斷能力，關斷速度可達5 kA/μs。Prime Soft以廣受好評的基于單硅芯片設計的IGCT續流二極管系列為基礎。該二極管的典型應用為使用電壓源變換器的HVDC/FACT和中壓驅動設備，這些應用的特點是對功率損耗的要求很高。 采用新型Prime Soft二極管的客戶將受益于行業領先的低導通損耗。這是通過單硅芯片設計實現的，與多芯片二極管相比，其
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英飛凌，IGBT
自上世紀八十年代后期推出IGBT模塊后，三菱電機至今已成功將第七代IGBT模塊推向市場。在持續性和創造性的研發下，三菱電機在變頻家電、工業新能源、電動汽車、軌道牽引四大領域不斷深耕，致力于提供低損耗、高性能和高可靠性的產品。 一年一度的PCIM亞洲展今年將于6月26-28日在上海世博展覽館舉辦，屆時，三菱電機將攜19款功率模塊將集體亮相，而其中有7款新型功率模塊備受期待。(三菱電機展位號：D09) 在變頻家電領域，三菱電機成功發布面向變頻冰箱和風機驅動的SLIMDIP-S以及面向變頻空調和洗衣機的
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三菱電機 IGBT
摘要 電機驅動市場特別是家電市場對系統的能效、尺寸和穩健性的要求越來越高。 為滿足市場需求，意法半導體針對不同的工況提供多種功率開關技術，例如， IGBT和最新的超結功率MOSFET。 本文在實際工況下的一個低功耗電機驅動電路(例如，小功率冰箱壓縮機)內測試了基于這兩種功率技術的SLLIMM?-nano(小型低損耗智能模壓模塊)，從電熱性能兩個方面對這兩項技術進行了詳細的分析和比較。 1前言 家電廠商不斷地尋求更高的產品能效，以符合日益趨嚴的能效法規，達到降低能耗和節省電費的目的。更具體地講
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意法半導體 IGBT
目前全球三分之一的汽車在中國制造，但令人尷尬的現狀是，整車中幾乎所有的芯片都要依賴進口。從自主、可控、安全角度來看，汽車主控國產化同樣緊迫。
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芯片 IGBT
英飛凌科技股份公司進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP?5 IGBT產品陣容。新的產品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度日益增長的需求，適于使用自動化表面貼裝生產線。要求最大功率密度和能效的典型應用包括太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電池充電和蓄電等。 英飛凌的超薄TRENCHSTOP 5技術可以縮小芯片尺寸、提高
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英飛凌 IGBT
特朗普政府發起的貿易戰雖然收場，但這幾個月，人們開始尋找中國可能被卡脖子的短板，中國大量進口的IGBT也被挖了出來。有媒體就認為，由于中國IGBT需要大量進口，而這個產業又被西方國家把持，對于中國正在大力發展的高鐵和新能源汽車來說是一個潛在的威脅。不過，在IGBT技術上，中國其實并不差，大量依賴進口，并非技術水平不行。 造成大量進口國外產品的局面，只是因為商業上和其他一些原因。 IGBT市場基本被外商壟斷 IGBT英文全稱是Insulated Gate Bipolar Transistor，也就
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IGBT DRAM
2018年5月17日，中國中車旗下中車時代投資與青銅劍科技在湖南株洲簽署了戰略投資協議。 中車時代投資董事長王鵬博士、副總經理潘藝、投資管理部部長陽燦與青銅劍科技董事長汪之涵博士、研發總監黃輝、營銷總監陳恒星出席了簽約儀式。 弘揚中國制造，鑄就民族品牌，堅持自主創新是中國中車和青銅劍科技的共同話題和重要紐帶。此次戰略投資的達成，表明了中國中車對青銅劍科技在電力電子核心芯片與器件領域創新能力的認可。 中國中車是全球規模領先、品種齊全、技術一流的軌道交通裝備供應商，具有強大的技術研發能力和科技創新能
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青銅劍科技 軌道交通 IGBT 電力電子 新能源汽車
IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是電源應用中相當常見的器件，可用于交流電的電機控制輸出。由安森美半導體(ON Semiconductor)所推出的TO247-4L IGBT將可為相關應用提供更高的效能與更佳的成本效益，究竟它是如何辦到的?讓我們來進一步深入了解。 通過TO-247-4L IGBT封裝減少Eon損耗 IGBT是主要用作電子開關的三端子功率半導體器件，正如其開發的目的，結合了高效率和快速的開
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安森美 IGBT
中高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations今日宣布可為其SCALE? IGBT和MOSFET驅動器出廠提供涂覆三防漆服務。三防漆可防止電子元器件遭受污染物、灰塵和冷凝液等的腐蝕，從而提高系統可靠性。Power Integrations的門極驅動器出廠涂覆三防漆，生產廠商無需將板子發送至分包商進行清洗噴漆，可縮減庫存成本、縮短交付周期和降低總體擁有成本。 Power Integrations所使用的是高級丙烯
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Power Integrations IGBT
<概要> 全球知名半導體制造商ROHM新開發出兼備業界頂級低傳導損耗※1和高速開關特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列(短路耐受能力※3保持版)”和“RGW系列(高速開關版)”，共21種機型。這些產品非常適用于UPS(不間斷電源)、焊接機及功率控制板工業設備、空調、IH(感應加熱)等消費電子產品的通用變頻器及轉換器的功率轉換。
此次開發的新系列產品采用薄晶圓技術及ROHM獨有結構，在具有權衡關系的低導通損耗和高速開關特性方面，獲得了業界頂級的性能
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ROHM IGBT
2018年3月2日，英飛凌科技股份公司與上海汽車集團股份有限公司在無錫宣布成立合資企業。電子產品世界的編輯也受邀參加了無錫工廠的開幕典禮，報道如下。 ??
上汽英飛凌公司總部設在上海，工廠在無錫，主要進行汽車級IGBT模塊HybridPACK的封測，及針對中國的應用開發。上汽持股51%，英飛凌持股49%。 ??
上汽英飛凌工廠規劃 主要是HybridPACK模塊的測試和封裝，該模塊主要用于新能源汽車的電驅(注：新能源車通常電力有三部分：電機、電
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英飛凌 IGBT
英飛凌科技股份公司將EconoDUAL??3模塊集成度提升到一個全新水平：通過集成分流電阻，在交流路徑上進行電流監測。這些器件的應用有助于逆變器制造商降低成本、提高性能并簡化設計。集成分流器的EconoDUAL?3模塊可廣泛用于多種應用領域，如通用變頻器、不間斷電源和太陽能逆變器等。另外，也非常適合用于電動農業和商用車輛及電動客車。 新一代逆變器旨在降低成本并增加功率密度，同時確保延長使用壽命。到目前為止，這方面的持續改進仍局限于IGBT電氣性能、二極管及封裝技術。EconoDU
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英飛凌 IGBT
在幾乎所有的工業控制系統中，變頻器(VFD)/逆變器通常安裝在電機的前端，以便調節速度和節約能源。根據不同的輸入電壓要求，逆變器通常分為低壓(110V、220V、380V等)、中壓(690V、1140V、2300V等)和高壓(3kV、3.3kV、6kV、6.6kV、10kV等)。 由于變頻器/逆變器是提供電力的關鍵組件，因此其性能和可靠性對于不間斷電源是至關重要的。本操作說明書重點介紹在惡劣條件下也能確保VFD可靠性和正常工作的TVS二極管。 圖1?帶有保護組件的典型三相變頻器/逆變器拓
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TVS IGBT
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
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