碳化硅發展勢頭旺，英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

王? 瑩? （《電子產品世界》編輯）

近期，多家公司發布了碳化硅 （SiC）方面的新產品。作為新興 的第三代半導體材料之一，碳化硅 具備哪些優勢，現在的發展程度 如何？

不久前，碳化硅的先驅英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機會，電子產品世 界訪問了英飛凌電源與傳感系統事 業部大中華區開關電源應用高級市 場經理陳清源先生。 

碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系 

碳化硅MOSFET是一種新器 件，使一些以前硅材料很難被應用 的電源轉換結構，例如電流連續模 式的圖騰柱 PFC(CCM mode Totem Pole PFC)成為可行，另外由于價格高于同等級的硅器件，所以市場上 對其應用經驗還需不斷積累增加。 好消息是碳化硅在使用上的技術門 檻并不高，相信假以時日，碳化硅 器件會用于服務器、數據中心、通 訊系統，具體產品是開關電源、工 業電源、太陽能逆變器、UPS(不 間斷電源)，電池化成(formation)電 源、充電樁等。 

與另一種寬帶隙器件氮化鎵 （GaN）相比，碳化硅器件商用歷 史更長，因此技術和市場的接受程 度都更加廣泛。 

英飛凌是市場上唯一能夠提供 涵蓋硅、碳化硅和氮化鎵等材料的 全系列功率產品的制造商。此次新 產品的發布意義之一在于：完善了 其600 V/650 V細分領域的硅基、 碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合。 

那么，英飛凌如何平衡三者的 關系？ 

陳清源經理指出，不同的客戶 因為各自的應用場景和技術儲備， 而對三種材料的器件有不同程度 的使用。硅材料由于技術成熟度最高，以及性價比方面的優勢，所 以未來依然會是各個功率轉換領域的主要器件。而氮化鎵器件由于在 快速開關性能方面的優勢，會在追 求高效和高功率密度的場合，例如 數據中心、服務器等，有較快的增 長。在三種材料中，碳化硅的溫度 穩定性和可靠性都被市場驗證，所 以在對可靠性要求更高的領域，例 如汽車和太陽能逆變器等，可看到 較快的增長。 

650 V CoolSiC? MOSFET 的特點及工藝 

英飛凌650 V CoolSiC?MOSFET的額定值在(27~107) mΩ 之間，既可采用典型的TO-247 3 引腳封裝，也支持開關損耗更低的 TO-247 4引腳封裝。與過去發布的 所有英飛凌CoolSiC? MOSFET產 品相比，全新650 V系列基于先進 的溝槽半導體技術。通過最大限度 地發揮碳化硅強大的物理特性，確 保了器件具有出色的可靠性、開關 損耗和導通損耗。此外，它們還具 備高的跨導水平（增益）、4 V的 閾值電壓(Vth)和短路穩健性。總而 言之，溝槽技術可以在毫不折衷的 情況下，在應用中實現 最低的損耗，并在運行 中實現最佳可靠性。